展示全部
光電導(dǎo)開關(guān)法圖1 光電導(dǎo)開關(guān)法輻射太赫茲原理圖如圖1茎活，太赫茲光電導(dǎo)天線是在低溫生長的半導(dǎo)體表面上沉積兩片金屬電極，兩端電極之間保持一條微米量級(jí)寬度的空隙琢唾。在光電導(dǎo)開關(guān)兩端上施加偏置電壓后载荔，當(dāng)飛秒激光聚焦到天線縫隙表面時(shí)，基底材料中的電子吸收能量并從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶采桃，在天線表面瞬間（10-14 s）生成光生載流子（電子）懒熙。電子在偏置電場的加速作用下定向遷移生成瞬態(tài)光電流丘损，進(jìn)而向外輻射太赫茲波。理論上只要外加電場足夠強(qiáng)工扎，太赫茲輻射就可以得到顯著的增強(qiáng)徘钥，但是實(shí)際實(shí)驗(yàn)中過高的能量會(huì)導(dǎo)致光電導(dǎo)開關(guān)被損壞。另外半導(dǎo)體基底定庵、金屬電極的幾何結(jié)構(gòu)與泵浦激光脈沖持續(xù)時(shí)間共同影響著光電導(dǎo)天線（光電導(dǎo)開關(guān)）的性能吏饿。半導(dǎo) ...
或 投遞簡歷至: hr@auniontech.com
