展示全部
成了PN結(jié)（阻擋層）纱昧。N區(qū)自由電子向P區(qū)擴(kuò)散，P區(qū)空穴向N區(qū)擴(kuò)散堡赔，N區(qū)就形成帶正電離子识脆，P區(qū)就形成帶負(fù)電離子。于是PN結(jié)形成了由N區(qū)指向P區(qū)的內(nèi)電場善已。這個(gè)內(nèi)電場會產(chǎn)生兩種性質(zhì)：1.阻礙多子擴(kuò)散運(yùn)動（N區(qū)自由電子向P區(qū)擴(kuò)散灼捂，P區(qū)空穴向N區(qū)擴(kuò)散）2.促進(jìn)少子漂移作用（由本征激發(fā)產(chǎn)生的自由電子和空穴，數(shù)量極少）由于內(nèi)電場的這兩種性質(zhì)换团，當(dāng)給PN結(jié)加正向電壓時(shí)（P區(qū)接正極悉稠，N區(qū)接負(fù)極），形成的外電場會與內(nèi)電場方向相反艘包，外電場的引入促進(jìn)了多子擴(kuò)散的猛，削弱了內(nèi)電場，電流可以順利通過想虎，形成較大的擴(kuò)散電流卦尊。由于擴(kuò)散電流遠(yuǎn)大于漂移電流，則可以忽略漂移電流的影響舌厨，PN結(jié)呈現(xiàn)低阻性岂却，PN結(jié)處于導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)接反向電 ...
a) 包含阻擋層的有機(jī)半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)示意圖裙椭。插圖：由電子受體材料（PC71BM 和 eh-IDTBR）組成的感光層的納米結(jié)構(gòu)填充示意圖躏哩。 b) PBDTTT-EFT、eh-IDTBR 和 PC71BM 的分子結(jié)構(gòu)揉燃。通過以6 mW cm-2的入射功率密度打開和關(guān)閉 LED 來評估有機(jī)半導(dǎo)體器件的響應(yīng)時(shí)間扫尺。如圖2所示，富勒烯受體有機(jī)半導(dǎo)體表現(xiàn)出 6.24 μs 的上升時(shí)間和 10.8 μs 的下降時(shí)間你雌。由于OPD器件的響應(yīng)時(shí)間受內(nèi)部電容和電荷傳輸時(shí)間的影響器联，推測 PC71BM 具有較高的內(nèi)部電容和較大的陷阱位點(diǎn)二汛。非富勒烯受體OPD器件的上升和下降時(shí)間分別為2.72 μs和4.32 μs。圖2 a ...
之間穿過絕緣阻擋層的隧道電流依賴于磁層中磁化方向的相對方向拨拓。例如肴颊，這種效應(yīng)目前應(yīng)用于數(shù)字磁記錄的讀磁頭，并將用于目前正在開發(fā)的未來磁隨機(jī)存取存儲器渣磷。c自旋轉(zhuǎn)矩傳遞:由兩個(gè)鐵磁層組成的納米結(jié)構(gòu)堆棧中婿着，由自旋極化電子對其中一層磁化所施加的轉(zhuǎn)矩引起的鐵磁層磁化的電流感應(yīng)開關(guān)。這是一種在磁阻器件中轉(zhuǎn)換磁化強(qiáng)度的方法醋界，目前正在深入研究中竟宋。d自旋晶體管:三端器件，其中發(fā)射極(E)和集電極(C)之間的電流取決于發(fā)射極和基極(B)之間的電流形纺，此外丘侠，還取決于兩個(gè)鐵磁層的相對方向。e帶隧道勢壘的自旋晶體管:像(d)一樣的三端器件逐样，其中發(fā)射極偏置電壓可以用來調(diào)節(jié)注入集電極的電子的能量蜗字。zui后兩個(gè)裝置僅僅代表了所謂 ...
件中集成絕緣阻擋層，使實(shí)驗(yàn)人員能夠靈活地在不同的偏置電壓下操作同一器件脂新，從而注入不同能量的熱電子挪捕。對類似結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，在室溫下產(chǎn)生了3400%的磁阻效應(yīng)争便。傳輸比级零，即這種器件的基極電流和集電極電流之間的比率，目前小于1(在10?6和10?4之間滞乙，因此不會獲得像實(shí)際晶體管那樣的放大奏纪。然而，通過磁性來編程或控制邏輯運(yùn)算的想法是在開發(fā)更有效的自旋注入半導(dǎo)體方面酷宵，人們付出了巨大的努力亥贸。目前出現(xiàn)的另一種方法是通過電場來操縱多鐵性系統(tǒng)的磁化。多鐵性材料具有耦合的電浇垦、磁和結(jié)構(gòu)序參數(shù)炕置，從而同時(shí)具有鐵電性、鐵磁性和鐵彈性男韧。在這種共存的情況下朴摊，磁化可以受到電場的影響，而電場的極化可以受到磁場的影響此虑，這種特性被稱為“ ...
0.35As阻擋層以粗體標(biāo)示甚纲，Ga0.32In0.68As井層以楷體標(biāo)示，n摻雜2.11017 cm?3層以下劃線標(biāo)示朦前。我們計(jì)算了該結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)能帶能量圖介杆，作為施加電場從87到116 kV/cm的函數(shù)鹃操，得到預(yù)期的過渡頻率范圍從2137到2583 cm?1，如圖1b所示春哨。計(jì)算由于“對角線”躍遷設(shè)計(jì)固有的線性斯塔克效應(yīng)荆隘，頻率隨著外加電場的增加而增加偶極矩陣元表示光躍遷的強(qiáng)度，在103 kV/cm指定電場附近達(dá)到Max值赴背，與防交叉場重合椰拒。由于發(fā)射頻率取決于工作閾值電壓，激光閾值電壓的變化可以實(shí)現(xiàn)增益譜的調(diào)諧凰荚。前者可以通過改變閾值電流密度來實(shí)現(xiàn)燃观，而閾值電流密度又可以通過改變腔長來非常有效地改變。圖1為了 ...
為：從注入層阻擋層厚度開始便瑟，以納米為單位：4.0/1.26/ 1.3/ 4.40/ 1.3/3.87/ 1.4/3.72/ 2.3/2.88/ 1.8/2.58/ 1.9/2.29/ 2.0/ 2.19/ 2.2/2.09/ 2.2/1.86/ 2.9/1.86,Al0.64In0.36As層以正字體打印缆毁，Ga0.33In0.67As層以斜體字體交替打印。所有層都生長在n摻雜Si胳徽， 21017 cm?3 InP襯底上积锅。活性區(qū)有30個(gè)活性/注入器堆棧养盗，平均摻雜從原來的21016 cm - 3減少到標(biāo)稱的1.61016 cm- 3。InGaAs波導(dǎo)層的厚度從0.3增加到0.4 um适篙， InGaAs ...
或 投遞簡歷至: hr@auniontech.com
