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鎖相檢測和高重復頻率脈沖激光器逊桦，可以測量太赫茲頻率電場引起的φ≤10?4rad的相移。由式(3)可知抑进，當π = 4.2 × 106V/m時强经，該器件感應太赫茲頻率電場的動態(tài)范圍下限為ETHz = 1.3 × 103V/m。對于相同的電光相互作用長度l = 600μm和調(diào)制響應TRF(ωRF)寺渗，由于薄膜鈮酸鋰具有較高的電光系數(shù)和較低的折射率匿情，因此與ZnTe和GaP相比兰迫，薄膜鈮酸鋰產(chǎn)生更高的相移φ。這可以通過比較電光材料的半波場Eπ來說明:Eπ LN = 4.2 × 106V/m < Eπ ZnTe = 1.6 × 107V/m < Eπ GaP = 4.4 × 107V/m(對于ZnT ...
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