量子級(jí)聯(lián)激光器-長(zhǎng)波紅外（λ>6 μm）的材料與制造封裝MOCVD特別適合生長(zhǎng)非常厚的層如失，通常包括在QCL結(jié)構(gòu)中，需要很長(zhǎng)的生長(zhǎng)時(shí)間送粱。為了得到非常尖銳的多量子阱界面褪贵，對(duì)襯底溫度、界面切換機(jī)制、生長(zhǎng)速率脆丁、V/III比等生長(zhǎng)參數(shù)進(jìn)行了迭代生長(zhǎng)條件優(yōu)化世舰。雖然還沒(méi)有完全解釋?zhuān)缑娲植诙瓤隙ㄔ赒CL性能的定義中起作用。模擬和實(shí)測(cè)x射線衍射曲線對(duì)比如圖1所示槽卫。測(cè)量是在用于MWIR QCL設(shè)計(jì)的InGaAs/InAlAs多層材料上進(jìn)行的跟压，生長(zhǎng)應(yīng)變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應(yīng)變平衡∩辜校總的來(lái)說(shuō)裆馒，需要在完整的結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)少量的殘余應(yīng)變，并且x射線圖中的衛(wèi)星峰需要窄才能認(rèn)為材料質(zhì)量好丐怯。仿真曲線與實(shí)驗(yàn)曲線吻合較好 ...
量子級(jí)聯(lián)激光器-長(zhǎng)波紅外（λ>6 μm）的制造性能展示到目前為止喷好，在λ = 6-8 μm范圍內(nèi)，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)波長(zhǎng)的高功率（pto bbb1w）工作读跷。當(dāng)波長(zhǎng)達(dá)到λ = 9 μm （pto = 0.5 W）時(shí)梗搅，性能顯著提高，而當(dāng)波長(zhǎng)超過(guò)9 μm時(shí)效览，性能迅速下降无切。本文總結(jié)了波長(zhǎng)為λ = 6.1 μm （QCL-A）、λ = 7.3 μm （QCL-B）丐枉、λ = 7.8 μm （QCL-C）和λ = 8.9 μm （QCL-D）的激光器的實(shí)驗(yàn)結(jié)果哆键。這些器件的激光器結(jié)構(gòu)基本上是相似的，包括與InP襯底相匹配的多阱InGaAs/InAlAs有源區(qū)域晶格瘦锹，以及所謂的結(jié)合-連續(xù)體或等效方式的四個(gè)或更多有 ...
波長(zhǎng)的中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器（QCL Laser）籍嘹、激光模組及激光管。 ...
或 投遞簡(jiǎn)歷至: hr@auniontech.com
