射率的分布式布拉格反射器（DBR）激涤，與需要30-40對(duì)反射鏡的半導(dǎo)體DBR相比，DBR要薄得多例衍。這使有效腔長(zhǎng)度減少了50%以上昔期，并大大降低了光子壽命，這一效應(yīng)直接增加了器件的帶寬InPBTJVCSEL概念包括一個(gè)特定的處理步驟佛玄，其中大部分半導(dǎo)體材料被蝕刻掉硼一，為晶圓上的每個(gè)激光器產(chǎn)生一個(gè)定義的半導(dǎo)體平臺(tái)結(jié)構(gòu)。這個(gè)制造步驟產(chǎn)生的空隙隨后被苯并環(huán)丁烯（BCB）填充梦抢，這是一種聚合物材料般贼，被旋轉(zhuǎn)到晶圓上并在高溫下固化。被測(cè)設(shè)計(jì)（DUT）的平臺(tái)直徑已進(jìn)一步優(yōu)化奥吩，以保持寄生到Min哼蛆。如圖1(a)所示，在室溫下霞赫，光子壽命的降低和寄生率的降低都可以極大地提高調(diào)制帶寬腮介，Max可達(dá)20GHz。在更高的溫度下端衰，例如6 ...
lF3分布式布拉格反射器（DBR）作為上下反射鏡組成叠洗。高折射率和低折射率四分之一波介電層之間的折射率對(duì)比導(dǎo)致光場(chǎng)進(jìn)入介電鏡的有效穿透長(zhǎng)度比半導(dǎo)體層減少。減小的腔長(zhǎng)提高了弛豫共振頻率旅东，為本實(shí)驗(yàn)中使用的設(shè)備提供了17GHz的調(diào)制帶寬灭抑。這兩個(gè)器件都由五個(gè)壓縮應(yīng)變的AlGaInAs量子阱組成，這些量子阱嵌入在低氮摻雜的InP層和高磷摻雜的AlInAs包層之間抵代。電流約束是通過(guò)圓形p+-AlGaInAs/n+-GaInAs埋隧道結(jié)（BTJ）實(shí)現(xiàn)的腾节，而B(niǎo)TJ區(qū)域外的電流阻塞是通過(guò)反向偏置n+p結(jié)實(shí)現(xiàn)的。對(duì)于高速性能荤牍，芯片和接觸墊寄生的減少是通過(guò)鈍化與苯并環(huán)丁烯（BCB）來(lái)實(shí)現(xiàn)的案腺。圖1a)SC-VCSEL示意 ...
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