射波長處碱屁，激光模式與下一個高階縱向模式競爭磷脯，當MEMS電流高于27mA時，縱向模式zui終在1524nm處開始激光娩脾。排放峰值隨加熱功率的變化如圖4(b)所示赵誓。依賴于Lair的發(fā)射波長λ與加熱功率P熱成正比，也與調(diào)諧電流Imems的平方成正比：其中柿赊，Rmems=40Ω為MEMS電極的歐姆電阻俩功。由于工藝相關(guān)問題，ARC部分蝕刻碰声。因此诡蜓，激光器無法調(diào)諧到整個FSR，該MEMS VCSEL的FSR為94nm胰挑。值得一提的是蔓罚，F(xiàn)SR可以通過進一步減小犧牲層的厚度來提高，從而使半VCSEL和MEMS DBR之間的初始氣隙變小瞻颂。光輸出功率(P)和電壓(V)隨激光電流（IL）的變化如圖5所示豺谈。發(fā)射波長調(diào)諧到155 ...
概念，繪制了光模式約束作為波長的函數(shù)贡这，對于具有相似波導參數(shù)的MWIR和LWIR激光器茬末。圖3LWIR激光器的優(yōu)點之一是能夠充分利用晶格匹配和應變補償InGaAs/InAlAs材料的帶隙偏移，而MWIR激光器需要高應變生長以改善電子約束盖矫，從而提高電流注入效率丽惭。這種MWIR設(shè)計方法的缺點是需要高偏置電壓击奶，這反過來又有助于產(chǎn)生更大的熱功率。LWIR范圍內(nèi)的典型工作電壓（7-10 V）明顯低于MWIR范圍（10-15 V）吐根，從而使應用工程更具容忍度正歼。LWIR激光器的典型能帶結(jié)構(gòu)如圖3所示與InP匹配的InGaAs/InAlAs晶格的帶偏移估計為βECB = 0.52 eV，激光發(fā)射波長為λ = 9.1 ...
的：它允許激光模式的光學限制在橫向方向拷橘，并有助于優(yōu)化散熱局义，通過改善在活躍區(qū)域產(chǎn)生的熱量的橫向傳輸，并通過平面化設(shè)備的頂面冗疮，從而允許向下安裝激光器萄唇。通過電子束蒸發(fā)沉積頂部和底部觸點金屬，隨后在頂部觸點上電解鍍一層厚金層术幔，從而完成了器件的制造另萤。這些器件被切成小塊，銦被焊接到銅支架上诅挑，以獲得非常佳的散熱效果四敞。設(shè)備溫度由安裝在設(shè)備本身附近的溫度傳感器監(jiān)測。圖2(A)顯示了安裝的器件和完整波導的面拔妥。圖2在分布式反饋（DFB）激光器的情況下忿危，MOCVD生長在包括InP緩沖層和InGaAs犧牲光柵層的有源核心完成后被中斷。電子束光刻是為了直接在InGaAs犧牲層的頂部跟蹤光柵圖案没龙，然后蝕刻以獲得單模工作所需 ...
括铺厨，例如，激光模式和較長波長的有源區(qū)域之間的重疊減少硬纤。特別是后者解滓，對激光閾值和斜率效率都有貢獻，因此以不同的方式影響激光的操作筝家。從脈沖和連續(xù)模式下閾值電流的比較[見圖4(c)]洼裤，我們可以估計相對于散熱器的活性區(qū)域溫度的增加約25 K，我們假設(shè)在低占空比（<1%）的脈沖模式下工作時溪王，器件沒有發(fā)生明顯的加熱腮鞍。分布式反饋激光器已經(jīng)由與DFB-C工藝相同的材料制成。波導核心在有源區(qū)兩側(cè)包括InGaAs包層在扰，以增加光約束缕减。我們的dfb利用了波導的這一特性雷客，在波導InGaAs包層中蝕刻一個周期圖案芒珠，隨后再生長InP低折射率層作為光波導的頂部包層。在另一種方案中搅裙，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一 ...
專用于測量激光模式皱卓、激光線寬與邊帶的激光光譜儀裹芝；偏振態(tài)分析儀；用于測量指向穩(wěn)定性以及激光調(diào)試時使用的激光位置敏感探測器娜汁、四象限探測器嫂易；用于紅外激光調(diào)試的紅外觀察儀。以及專門用于超快激光器脈寬掐禁、光譜怜械、色散分析的FROG超短脈沖分析儀、自相關(guān)儀等傅事。 ...
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