薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器在太赫茲頻段的應(yīng)用（本文譯自Thin film lithium niobate optical modulators for THz frequencyapplications（Seyfollah Toroghia, John Rollinsonb）1介紹太赫茲（THz）頻率范圍覆蓋了0.1THz到10THz的電磁頻譜，這是一個目前高度研究的頻率范圍爆阶。太赫茲波光子具有獨特的特性燥透，使它們能夠用于多種應(yīng)用沙咏。太赫茲信號能夠穿透許多光學(xué)信號無法穿透的材料辨图，因此，它們可以用來觀察不透明材料的內(nèi)部肢藐。例如故河，這在安全領(lǐng)域有應(yīng)用。太赫茲波的另一個應(yīng)用是在分子檢測方面吆豹∮愕模空氣污染監(jiān)測系統(tǒng)需要低成 ...
波導(dǎo)，并在激光波導(dǎo)側(cè)面重新生長絕緣Fe:InP痘煤。極化子C-V和霍爾測試已被用來確保Fe:InP是一個良好的電絕緣體凑阶。橫向再生的目的是雙重的：它允許激光模式的光學(xué)限制在橫向方向，并有助于優(yōu)化散熱衷快，通過改善在活躍區(qū)域產(chǎn)生的熱量的橫向傳輸宙橱，并通過平面化設(shè)備的頂面，從而允許向下安裝激光器蘸拔。通過電子束蒸發(fā)沉積頂部和底部觸點金屬师郑，隨后在頂部觸點上電解鍍一層厚金層，從而完成了器件的制造调窍。這些器件被切成小塊宝冕，銦被焊接到銅支架上，以獲得非常佳的散熱效果邓萨。設(shè)備溫度由安裝在設(shè)備本身附近的溫度傳感器監(jiān)測地梨。圖2(A)顯示了安裝的器件和完整波導(dǎo)的面菊卷。圖2在分布式反饋（DFB）激光器的情況下，MOCVD生長在包括InP緩沖 ...
折射率層作為光波導(dǎo)的頂部包層湿刽。在另一種方案中的烁，犧牲InGaAs蝕刻層在距離有源核心一定距離的地方生長，中間有一個InP緩沖層诈闺。這使我們能夠使用選擇性蝕刻渴庆，并在不影響有源區(qū)域的情況下通過InGaAs層進行蝕刻。埋藏異質(zhì)結(jié)構(gòu)的選擇性生長和接觸沉積完成了激光加工雅镊。圖5圖6單模器件的結(jié)果如圖5所示襟雷，在15?C下，我們從單個發(fā)射極獲得了高達約Pout = 180 mW的連續(xù)功率仁烹。2毫米長的器件安裝在正面朝下耸弄，并在高達60°C的連續(xù)波中工作，輸出功率為10 mW卓缰。典型光譜如圖6(a)所示计呈，其中對數(shù)尺度表示30 db側(cè)模抑制比。從連續(xù)波亞閾值光譜[圖6(b)]征唬，我們可以確定布拉格阻帶的寬度捌显，對應(yīng)耦合強度的估 ...
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