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只能看到針狀納米棒的合成阳液。接著用PTCDA處理了SiO2/Si,Si怕敬，PTCDA充當(dāng)CVD外延生長的成核中心，并有助于在這兩種基底上獲得相對較大的二維MoS2帘皿。但是圖2b,e所示的MoS2結(jié)晶性不好东跪，因為沒有觀察到明顯的層狀結(jié)構(gòu)和規(guī)則形狀。如上圖是O2等離子體處理的SiO2/Si,Si鹰溜，O2等離子體激活了基底表面上的原子虽填，正如圖2c所示，在SiO2 / Si上生長的MoS2表現(xiàn)出更加無序的結(jié)構(gòu)曹动。如圖f所示斋日，Si基底尺寸小，在O2等離子體清洗后墓陈，二維MoS2結(jié)晶良好恶守。光學(xué)性能如上圖是生長在不同襯底上的MoS2和WS2的WS2的 PL光譜」北兀可以看出長在Si基底上的二維材料的PL信號都很弱兔港，可能是因 ...
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