中文：光譜分離嘀略；英文：spectral separation

光束需要進行光譜分離，以便使用高效的濾光器消除反射的泵浦光束悠垛，使用邊緣銳利的濾光片吼砂，將泵浦和探針的光譜分離約7 nm的波長《ξ模或者通過“雙色”方法渔肩，利用二次諧波產(chǎn)生使泵浦或探測光束的頻率加倍。這兩種方法都會損耗較多的激光功率拇惋，損耗對于測量高導電性材料(如金剛石)是一個關(guān)鍵問題周偎，需要足夠高的激光功率強度來產(chǎn)生足夠高的信噪比。此外撑帖，雙色法對激光的強度和波長穩(wěn)定性都有很高的要求蓉坎。否則，激光波長的波動將轉(zhuǎn)化為泵浦和探測光束的功率強度的波動胡嘿，并在TDTR測量中出現(xiàn)噪聲蛉艾。其次泄漏泵束對Vout信號的影響主要是線性的，Vout=Vout0+aVleak。Vout0為不受泄漏泵束影響的反相熱信號勿侯，a為比例常數(shù)拓瞪， ...

塊將光子對的光譜分離成8個13nm寬的波段，分別圍繞1530和1550nm助琐，對應(yīng)于信號和閑置光子祭埂。信號和閑置光子分別被引導到Bob和Alice站點。讀出干涉儀引入與源干涉儀相同的時間延遲兵钮。使用偏振控制器來zui大化符合率蛆橡，因為每個SNSPD的檢測效率對偏振敏感（±10%）。糾纏可見度不受讀出偏振的影響掘譬。如果未來的系統(tǒng)采用對偏振不敏感的SNSPDs泰演，偏振控制器可以被移除。使用100GHz間隔的密集波分復用器（DWDM）模塊將每個頻率通道引導到不同的光纖中葱轩。使用兩個超導納米線單光子探測器（SNSPDs）來測量特定的頻率復用通道對睦焕。為了解析整個系統(tǒng)的性能，依次進行不同復用通道的測量酿箭。光譜復用和探測部 ...

重疊复亏，會導致光譜分離不完全。如果以485nm左右的光進行激發(fā)（灰色部分）缭嫡，兩種熒光團會被同時激發(fā)缔御。只有波長大于550nm時才能選擇性地激發(fā)其中的一種，從而獲得光譜鑒別妇蛀。圖1. Alexa Flour488和Alexa Fluor 555熒光染料的歸一化熒光激發(fā)和發(fā)射光譜耕突。發(fā)射光譜的重疊區(qū)域由綠色陰影表示∑兰埽灰色陰影區(qū)域表示圖2中用于采集圖像A-C的激發(fā)帶寬（475/28nm）眷茁。針對串擾的問題，雖然已經(jīng)開發(fā)出具有窄發(fā)射光譜的量子點納米晶體纵诞，可以提供更好的分離光譜上祈。但與有機染料相比，這種改進的代價是熒光團尺寸增加了一個數(shù)量級以上浙芙，這反過來又阻礙了它們在雙分子標記應(yīng)用中的應(yīng)用登刺。Lumencor的固態(tài)光 ...

塊將光子對的光譜分離成8個13nm寬的波段，分別圍繞1530和1550nm嗡呼，對應(yīng)于信號和閑置光子纸俭。信號和閑置光子分別被引導到Bob和Alice站點。光譜復用和探測產(chǎn)生的光子對通過一個粗波分復用器（CWDM）分離南窗，該復用器的作用是將SPDC光譜分成寬帶寬的兩半揍很。對于在Alice和Bob使用超過16個密集波分復用器（DWDM）通道的系統(tǒng)郎楼，CWDM將替換成一個分束器，該分束器有效地將1540nm以下的完整SPDC光譜發(fā)送給Bob窒悔，將1540nm以上的光譜發(fā)送給Alice呜袁。PPLN產(chǎn)生的糾纏閑置和信號光子分別被發(fā)送到標記為Alice和Bob的接收站。每個接收站的一個讀出干涉儀將所有光譜帶投影到一個復合 ...

重疊蛉迹，會導致光譜分離不完全傅寡。如果以485nm左右的光進行激發(fā)（灰色部分）放妈，兩種熒光團會被同時激發(fā)北救。只有波長大于550nm時才能選擇性地激發(fā)其中的一種，從而獲得光譜鑒別芜抒。圖1. Alexa Flour488和Alexa Fluor 555熒光染料的歸一化熒光激發(fā)和發(fā)射光譜珍策。發(fā)射光譜的重疊區(qū)域由綠色陰影表示≌梗灰色陰影區(qū)域表示圖2中用于采集圖像A-C的激發(fā)帶寬（475/28nm）攘宙。針對串擾的問題，雖然已經(jīng)開發(fā)出具有窄發(fā)射光譜的量子點納米晶體拐迁，可以提供更好的分離光譜蹭劈。但與有機染料相比，這種改進的代價是熒光團尺寸增加了一個數(shù)量級以上线召，這反過來又阻礙了它們在雙分子標記應(yīng)用中的應(yīng)用铺韧。Lumencor的固態(tài)光 ...

向模式之間的光譜分離。對于設(shè)計合理的MEMS VCSEL缓淹，F(xiàn)SR是無模跳連續(xù)調(diào)諧的極限哈打。2.MEMS設(shè)計與加工由于VCSELs的短腔固有低增益和在有源區(qū)域內(nèi)適度的約束因子，因此必須在整個調(diào)諧范圍內(nèi)提供足夠高的反射率讯壶，以實現(xiàn)低閾值電流和高輸出功率料仗。MEMS DBR由11.5層對的介電材料SiNx/SiOy組成，采用電感耦合等離子體（ICP）在低溫（<100℃）PECVD中沉積伏蚊。該MEMS反射鏡的折射率在SiNx和SiOy之間的差值為0.5立轧，在1550nm中心波長周圍的120nm波長范圍內(nèi)的反射率為>99.5%。每層的光學厚度為λ0/4（中心波長λ0=1550nm）躏吊。由于DBR提供了寬 ...