寬可調(diào)諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調(diào)制（2）-Mems容器結構與加工1.半VCSEL結構BCB MEMS可調(diào)諧VCSEL的示意圖如圖1所示绰咽。它主要由兩部分組成：半VCSEL和MEMS DBR菇肃。半VCSEL主要由一個基于AlInGaAs的有源區(qū)、兩個InP熱和電流擴散層取募、一個埋地隧道結（BTJ）和一個固定底部DBR反射鏡組成琐谤。由兩個重摻雜p-AlGaInAs和n-GaInAs層組成的圓形BTJ限制了結構中心的電流，以保證有源區(qū)域具有足夠高的電流密度玩敏。為了實現(xiàn)高斯基模的高放大斗忌，增益曲線和光模之間的重疊必須是z佳的。這只能在束腰符合BTJ半徑的情況下實現(xiàn)旺聚。因此织阳，由于其不同的橫向 ...
，可以將激光波長調(diào)諧到1584nm砰粹。這對應于60nm的連續(xù)單模調(diào)諧唧躲，中心波長為1554nm。在1584nm的發(fā)射波長處，激光模式與下一個高階縱向模式競爭弄痹，當MEMS電流高于27mA時饭入，縱向模式zui終在1524nm處開始激光。排放峰值隨加熱功率的變化如圖4(b)所示肛真。依賴于Lair的發(fā)射波長λ與加熱功率P熱成正比谐丢，也與調(diào)諧電流Imems的平方成正比：其中，Rmems=40Ω為MEMS電極的歐姆電阻毁欣。由于工藝相關問題庇谆，ARC部分蝕刻。因此凭疮，激光器無法調(diào)諧到整個FSR饭耳，該MEMS VCSEL的FSR為94nm。值得一提的是执解，F(xiàn)SR可以通過進一步減小犧牲層的厚度來提高寞肖，從而使半VCSEL和MEMS ...
寬可調(diào)諧1550納米MEMSVCSEL的10gb/s直接調(diào)制（4）-動態(tài)測量1)小信號調(diào)制響應：小信號調(diào)制響應的S21參數(shù)給出了激光動態(tài)行為的估計。在不同的偏置電流和不同的發(fā)射波長下進行了實驗衰腌。散熱器溫度設置為20℃新蟆。該芯片的共面連接由級聯(lián)地面信號40GHz探頭直接連接。用接觸針單獨探測MEMS進行電熱驅(qū)動右蕊，如圖7所示琼稻。27GHz皮秒脈沖偏置電路將來自矢量網(wǎng)絡分析儀（Agilent Technologies E5071C ENA）的高頻信號與來自激光二極管控制器的直流偏置相結合。小信號功率電平設置為?7dbm饶囚。輸出光與標準單模透鏡光纖對接耦合帕翻。zui后，一個光電二極管（Anritsu MN47 ...
萝风；這種裝置的波長調(diào)諧也可用于WDM傳輸嘀掸。我們實現(xiàn)了一種新型的1580nmVCSEL，型號為VertilasVL-1585-10-SE-T4规惰。該器件的閾值電流為0.85mA睬塌，在25°C下提供3.9mW的光功率，并且可以在沒有溫度或波長控制的情況下工作歇万。VCSEL使用的原型機沒有扎辮子揩晴；在器件孔徑處對準一個劈裂的SMF尾纖，收集輸出光束堕花。在功率和波長對施加偏置電流的響應方面文狱，該器件的直流特性如圖1a所示。插圖顯示了得到的光譜樣本缘挽；非調(diào)制連續(xù)波（實心瞄崇，黑色）和調(diào)制（紅色呻粹，虛線）輸出。器件波長在1575-1580nm之間變化苏研；獲得的Max光功率為0.6mW(-2.55dBm)等浊；側模抑制比（SMSR）為 ...
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