室溫下Max調(diào)制帶寬高達17GHz螃宙。偏置電流和高速信號通過射頻微探頭和偏置T傳遞到VCSEL。光通過透鏡光纖探頭耦合到光纖中所坯。在12mA的偏置電流下谆扎，VCSEL發(fā)出1326.2nm的光，光功率為4.7dBm包竹。室溫下測得的PI和VI曲線如圖2所示燕酷。可以看到低閾值電流為2mA周瞎，Max輸出功率為3.4mW苗缩。在12mA（14mA）的偏置電流下，VCSEL消耗20.1mW（24.7mW）的電力声诸。圖1 O波段光鏈路實驗設(shè)置（50Gb/s眼圖酱讶，針對B2B通信優(yōu)化的傳輸眼）光鏈路和測量設(shè)置如圖1所示。在FPGA上生成4個27比特長的偽隨機比特流（PRBS），并通過適當?shù)难舆t復(fù)用成串行27比特的PRBS流破花。之后 ...
以極大地提高調(diào)制帶寬佳励，Max可達20GHz。在更高的溫度下灶挟，例如65°C，Max帶寬減少到大約15GHz毒租。這種Max調(diào)制帶寬可以在11毫安的非常低的工作電流下實現(xiàn)稚铣。該激光器設(shè)計還特別注意實現(xiàn)小于1mA的極低閾值電流（ItH）和4mW的高光功率，如圖1(b)所示。該激光器設(shè)計包括導(dǎo)波效應(yīng)惕医，能夠抑制側(cè)模耕漱，有利于主模，實現(xiàn)大于45dB的高側(cè)模抑制比抬伺。圖1(a)不同溫度下短腔VCSEL的調(diào)制帶寬與偏置電流的關(guān)系螟够，(b)LIV和UI特性綜上所述，用于這些實驗的器件是單模和偏振穩(wěn)定的1550nmVCSEL峡钓，具有極低的閾值電流妓笙，高側(cè)模抑制比（SSMF），高帶寬和極低功耗等優(yōu)異的器件參數(shù)椒楣。InP技術(shù)允許在O波 ...
17GHz的調(diào)制帶寬给郊。這兩個器件都由五個壓縮應(yīng)變的AlGaInAs量子阱組成，這些量子阱嵌入在低氮摻雜的InP層和高磷摻雜的AlInAs包層之間捧灰。電流約束是通過圓形p+-AlGaInAs/n+-GaInAs埋隧道結(jié)（BTJ）實現(xiàn)的淆九，而BTJ區(qū)域外的電流阻塞是通過反向偏置n+p結(jié)實現(xiàn)的。對于高速性能毛俏，芯片和接觸墊寄生的減少是通過鈍化與苯并環(huán)丁烯（BCB）來實現(xiàn)的炭庙。圖1a)SC-VCSEL示意圖（未按比例）；b)VCSEL1的功率-電流-電壓特性與直流電流的關(guān)系本實驗使用兩個SC-VCSELs煌寇，BTJ直徑（dBTJ）為5μm焕蹄。在這兩種情況下，閾值電流為0.95mA阀溶，Max輸出功率為4.2mW腻脏，溫度 ...
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