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SEL與增強調制帶寬和溫度范圍-調制性能與高溫操作調制性能由于光學諧振腔中的載流子和光子密度非常高硝拧，內(nèi)部調制行為表現(xiàn)出更高的阻尼径筏，因此低寄生對VCSELs尤為重要葛假。因此，VCSELs的特點是具有較小的松弛振蕩超調滋恬，可以補償寄生滾轉聊训。在圖3中，可以在很寬的溫度范圍內(nèi)確定優(yōu)越的調制性能恢氯。如圖3(a)所示带斑，3dB帶寬在25℃時超過12GHz，在55℃時為11GHz勋拟，在85℃時為10GHz勋磕，如圖3(b)所示。散點代表測量數(shù)據(jù)敢靡，而繪制的穿過線擬合到公式(1)挂滓，可以提取如圖4所示的內(nèi)在參數(shù)。在這里啸胧，我們展示了先前和改進設計的阻尼率與共振頻率fR平方的關系赶站，提取了-因子和阻尼偏移。通過速率方程分析纺念，我們可以 ...
控制，泵浦源調制帶寬>100 kHz陷谱。激光器輸出光束被分成兩路烙博，一路與1550nm赫茲量級線寬連續(xù)激光器拍頻，得到激光器某一個梳齒的相位噪聲信息烟逊；另一路用于載波包絡相位零頻探測渣窜，首先通過一個色散補償光纖(PM-DCF)，然后通過兩級功率放大和光柵對壓縮脈沖焙格，產(chǎn)生脈寬260fs、平均功率3.3W激光脈沖夷都。隨后脈沖被送入約30cm長ND-HNLF眷唉，根據(jù)FROG測量結果，其脈沖寬度小于70fs囤官，平均功率1.8 W冬阳，峰值功率約為13kW。然后連接~ 30厘米長HNLF產(chǎn)生倍頻程頻譜党饮，波長覆蓋從970~2200nm肝陪。用PPLN晶體對2000nm波段進行倍頻后與1000nm基頻光一同輸入共線f-to ...
動態(tài)范圍和高調制帶寬。通過使用快刑顺、慢壓電傳感器（PZTs）或電光調制器（EOMss）氯窍，用于控制的光學參考鎖相（ 穩(wěn)定性）方案顯然已經(jīng)成熟[20-24]饲常，因此可以在超過10 kHz的頻率范圍內(nèi)抑制相位噪聲。該方案可以支持一個sub-MHz的響應帶寬[23]狼讨。傳統(tǒng)的穩(wěn)定其他自由度的方法是通過泵浦電流調制[24-27]或腔外聲光調制器[20,28,29]反饋誤差信號來調節(jié)泵浦功率贝淤。可實現(xiàn)的帶寬已擴展到100 kHz以上政供。受激壽命的長短主要取決于激光腔的增益和腔體的設計播聪。然而，在許多應用中布隔，降低在高頻區(qū)域的快速相位波動是必要的离陶，如標準傳輸[30,31]和高諧波產(chǎn)生[32,33]。為了抑制的快速相位波動 ...
i大限度利用調制帶寬衅檀。這是必要的招刨，因為AOD通常在升頻的次倍頻通帶上工作，以避免諧波干擾术吝。用于驅動AOD的射頻頻率梳的直接數(shù)字合成（DDS）定義了每個像素的激發(fā)计济，而這是通過特定的射頻和相位決定的，從而導致射頻頻率梳與檢測信號之間的相位相干性排苍。而這種相位相干性可以使用相敏數(shù)字鎖相放大器的并行陣列使得圖像多路分解沦寂，這可以在Matlab中實現(xiàn)。FIRE的并行讀出將導致zui大像素速率等于AODF的帶寬淘衙。圖2顯示了FIRE顯微鏡的典型輸出传藏。檢測到的時域信號(圖2a)是來自一排像素的射頻標記發(fā)射的傅里葉疊加。使用短時傅里葉變換計算的時間分辨頻譜(圖2b)揭示了樣本在水平行內(nèi)位置相關的頻率成分彤守。而樣本的垂 ...
10THz的調制帶寬毯侦，實驗表明調制速度接近1THz。電光調制器的頻率相關傳遞函數(shù)可由下式表達式中具垫，l侈离、ωRF、nRF筝蚕、no分別為電光調制器長度卦碾、射頻頻率、射頻折射率起宽、光學折射率洲胖。對于我們目前正在生產(chǎn)的使用鈮酸鋰厚度為600 nm的非好相位匹配器件，圖2顯示了不同長度器件的歸一化調制響應∣TRF∣2作為調制頻率的函數(shù)坯沪。使用我們目前的600 μm長器件绿映，理論帶寬接近600 GHz。圖2所示。計算了不同器件臂長TFLN(厚度為600 nm)調制器的調制帶寬叉弦。對于微環(huán)結構丐一，生產(chǎn)了兩種類型的器件。圖1(b)顯示了一個簡單的環(huán)形結構耦合到波導卸奉。對間隙進行了優(yōu)化钝诚，以實現(xiàn)臨界耦合。將激光波長調整到接近器件的共 ...
紀錄高小信號調制帶寬和25Gb/s的數(shù)據(jù)速率榄棵。因此凝颇，這些設備可以很好地作為100G以太網(wǎng)解決方案中獨特的低成本和高數(shù)據(jù)速率激光源。更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關于昊量光電：上海昊量光電設備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商疹鳄，產(chǎn)品包括各類激光器拧略、光電調制器、光學測量設備瘪弓、光學元件等垫蛆，涉及應用涵蓋了材料加工、光通訊腺怯、生物醫(yī)療袱饭、科學研究、國防呛占、量子光學虑乖、生物顯微、物聯(lián)傳感晾虑、激光制造等疹味；可為客戶提供完整的設備安裝，培訓帜篇，硬件開發(fā)糙捺，軟件開發(fā)，系統(tǒng)集成等服務笙隙。您可以通過我們昊量光電的官方網(wǎng)站www.wjjzl.com了解更多的產(chǎn)品信息洪灯，或直接來電咨詢4006-888-532。 ...
用于10G以太網(wǎng)的1.3μm InGaAsInP VCSEL在1.3μm波長范圍內(nèi)發(fā)射的垂直腔面發(fā)射激光器（VCSELs）已經(jīng)達到一定程度的成熟竟痰，可以進入工業(yè)應用签钩。光通信模塊中更小的外形尺寸和更低的功耗標準增加了對新一代超低功率長波激光器的需求。在IEEE 802.3ae推薦中找到10GBASE-LR（遠程）標準凯亮，描述了10G以太網(wǎng)在1.3μm的10G以太網(wǎng)边臼，在10km的廣泛部署的標準單模光纖（SMF）的鏈路上哄尔。對于10GBASE-SR（短距離）標準假消，850nm VCSELs已經(jīng)被用作具有成本效益的光源。近年來岭接，為了提高VCSEL在1.3μm波長下的性能富拗，人們做了很多努力臼予，包括晶圓熔接器件和含 ...
們首次進行了調制帶寬超過10GHz的1.55um VCSEL陣列的數(shù)據(jù)傳輸實驗，并提出了一種新的可擴展帶寬升級的應用方案啃沪。設備結構本研究所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器粘拾。基本結構是先前發(fā)表的高速1.55um VCSEL結構创千，單片集成到一維陣列結構中缰雇，光刻定義的間距為250um。對于高帶寬的電信應用追驴，保持較低的寄生電容是必不可少的械哟。這導致如圖1所示的結構，具有10um厚的低介電常數(shù)鈍化苯并環(huán)丁烯殿雪，市售名稱為Cyclotene 3022-57暇咆。該裝置本身只有30um寬。芯片的p側觸點可以在設備的頂部和底部進行訪問丙曙，以實現(xiàn)各種安裝方式爸业。在制造過程中，去除InP襯底亏镰，并集成電鍍金散 ...
.5GHz的調制帶寬扯旷。對于大于3mA的偏置電流，可以找到高于7ghz的平坦調制帶寬拆挥，足以以10Gb/s的速度傳輸數(shù)據(jù)薄霜。這些結果適用于VCSEL陣列中的所有激光器。請注意纸兔，對于4毫安以上的潛水電流惰瓜，帶寬和輸出功率幾乎是平坦的。VCSEL陣列的頻率響應和調諧特性在3mA偏置電流以上汉矿，帶寬足以達到10Gb/s測量了兩種波長分別為1550nm和1570nm的CWDMVCSEL陣列的調諧特性崎坊。圖4(a)顯示了在室溫下未冷卻得到的結果。帶寬升級的VCSEL特性：(a)兩個CWDMVCSEL陣列(b)高速VCSEL的諧振頻率與驅動電流高于閾值的平方根的調諧特性在圖4(b)中洲拇，共振頻率與高于閾值的驅動電流的平 ...
用奈揍。1.1 調制帶寬太赫茲頻率調制的關鍵技術是目前正在開發(fā)的薄膜鈮酸鋰技術。使用薄膜鈮酸鋰赋续，可以完美地相位匹配太赫茲波信號和光信號男翰，實現(xiàn)高達幾十太赫茲的調制速度是可行的。這種相位匹配之所以可能纽乱，是因為太赫茲信號的有效折射率（由于其波長很長）不受亞微米厚的鈮酸鋰薄膜的影響蛾绎。太赫茲波信號的有效折射率幾乎等于二氧化硅（或石英基底）的折射率。石英在太赫茲頻率下的折射率約為2。另一方面租冠，對于波長較小的光信號(即1.55 um)鹏倘，導模的有效折射率接近鈮酸鋰的光學折射率，也近似等于2顽爹。因此纤泵，在薄膜鈮酸鋰波導調制器中實現(xiàn)太赫茲信號和光信號的相位匹配成為可能。圖1(a)顯示了薄膜鈮酸鋰電光調制器的結構镜粤。薄膜鈮酸 ...
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