中文:二代近貼管拗窃;英文:gen II wafer

關(guān)鍵詞
解釋
中文:二代近貼管昔园;英文:gen II wafer的原理;中文:二代近貼管并炮;英文:gen II wafer的定義;中文:二代近貼管甥郑;英文:gen II wafer是什么逃魄。
又稱“薄片管”。采用沿軸縱向均勻電場(chǎng)澜搅,獲得放大倍率為1伍俘、無畸變正立圖像的靜電像管。它由分別作為光陰極與陽極(熒光屏)的兩個(gè)平行平面組成(平板電容器結(jié)構(gòu))勉躺,使電子束形成投射成像癌瘾。克服了縮小極間距離導(dǎo)致靜電擊穿的限制饵溅,成像質(zhì)量大大提高妨退。在近貼管的光陰極與陽極之間加入MCP,就構(gòu)成了雙近貼管蜕企,具有結(jié)構(gòu)緊湊咬荷、高增益等突出優(yōu)點(diǎn)。
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