中文：熒光；英文：fluorescent

拗窃、量子信息瞎领、熒光和拉曼光譜學(xué)等領(lǐng)域，特別是量子信息計(jì)數(shù)和微光探測技術(shù)很關(guān)鍵的器件之一随夸。目前九默，可用的單光子探測器件有：光電倍增管（PMT），工作在蓋革模式下的雪崩光電二級(jí)管（APD）等宾毒。在400至900nm光波段驼修，以硅APD為敏感元件的單光子探測器性能良好，暗計(jì)數(shù)小于25cps伍俘，量子效率在650nm附近可高達(dá)到70%邪锌。但由于帶隙寬度的限制，硅APD對(duì)波長1微米以上的光沒有響應(yīng)癌瘾。在近紅外光波段（1100~1650nm）觅丰，目前性能很好的是基于銦鎵砷（）APD的單光子探測器，其量子效率在1.55μm波長處能達(dá)約25%妨退，暗計(jì)數(shù)約10^3cps左右妇萄⊥善螅總體而言，不論光電倍增管還是基于APD的單光子探測器冠句，其 ...

的結(jié)構(gòu)轻掩。使用熒光或者反射光照明，能夠在透明基底或電極上觀察和定位特定的材料懦底。全息光鑷可以將許多具有新的物理或光學(xué)特性的材料組織在三維空間唇牧。潛在的應(yīng)用是構(gòu)建光子晶體帶隙材料、制作生物或納米尺度的電子元件以及在電極上沉積不同的材料以便測量他們的電學(xué)特性聚唐。2007 年丐重，美國的科學(xué)家利用紅外光形成的光鑷在硅片上控制微粒的運(yùn)動(dòng)，他們通過選擇合適厚度和摻雜濃度的硅片杆查，使之透過紅外光進(jìn)而能夠被CCD探測扮惦。這項(xiàng)技術(shù)突破了傳統(tǒng)的在液相中捕獲粒子的瓶頸。若將全息光鑷技術(shù)與之結(jié)合亲桦，則可以在特定的固體表面組裝一些有意義的結(jié)構(gòu)崖蜜。特別要指出的是，在全息光鑷發(fā)明之前客峭，光鑷技術(shù)主要側(cè)重在單粒子的基礎(chǔ)研究方面豫领，全息光鑷在對(duì)多粒 ...

，利用特殊的熒光染料或者蛋白質(zhì)熒光探針（鈣離子指示劑舔琅，calcium indicator）氏堤，將神經(jīng)元當(dāng)中的鈣離子濃度通過熒光強(qiáng)度表現(xiàn)出來，從而達(dá)到檢測神經(jīng)元活動(dòng)的目的搏明。大腦神經(jīng)元3D鈣離子成像系統(tǒng)正是利用鈣成像的原理，473nm的激光器作為熒光激發(fā)光源闪檬，通過SLM(液晶空間光調(diào)制器)產(chǎn)生客戶需要的3D激發(fā)模式星著，多焦點(diǎn)的光束照射到加入了熒光探針的生物組織（在體或離體），激發(fā)出熒光粗悯。通過傳統(tǒng)的顯微鏡技術(shù)虚循，將鈣離子的分布清晰的顯示在相機(jī)上。我們可以通過鈣離子濃度的分布狀況样傍，研究大腦神經(jīng)元的活動(dòng)及互聯(lián)性横缔。圖4. 老鼠腦組織鈣離子分布隨時(shí)間變化如果您需要免費(fèi)試用及產(chǎn)品報(bào)價(jià)，請(qǐng)聯(lián)系此產(chǎn)品的負(fù)責(zé)工程師：陳工 ...

像衫哥，還可用于熒光成像茎刚，光電流成像。 拉曼 熒光 光電流4撤逢，高性價(jià)比目前市面上拉曼成像光譜設(shè)備價(jià)格均高于100萬人民幣膛锭，韓國Nanobase公司的激光掃描拉曼成像設(shè)備價(jià)格折合人民幣約為50萬人民幣粮坞，價(jià)格遠(yuǎn)低于同類產(chǎn)品。Nanobase在國內(nèi)的獨(dú)家代理是上海昊量光電設(shè)備有限公司初狰，上海昊量光電設(shè)備有限公司是光學(xué)器件莫杈，激光，光譜等光電領(lǐng)域的專業(yè)公司奢入，歡迎對(duì)Nanobase拉曼光譜系統(tǒng)感興趣的客戶聯(lián)系我們筝闹，2016客戶可享受產(chǎn)品推廣折扣。韓國Nanobase公司致力于研發(fā)和生產(chǎn)各種外腔式可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器及高性能光譜儀腥光。 ...

元的光損傷和熒光團(tuán)的光漂白关顷。此外，傳統(tǒng)顯微鏡僅限于對(duì)二維表面進(jìn)行成像柴我，而神經(jīng)回路具有三維結(jié)構(gòu)解寝。深度掃描可用于構(gòu)建3D圖像，但速度非常慢艘儒，因?yàn)樗ǔＭㄟ^以大約20 Hz的速率掃描物鏡來實(shí)現(xiàn)聋伦。這不足以監(jiān)測在一毫秒的時(shí)間尺度上發(fā)生的神經(jīng)活動(dòng)。對(duì)于光遺傳學(xué)研究界睁，需要能夠在3D空間中動(dòng)態(tài)和任意形成多個(gè)焦點(diǎn)的顯微鏡以監(jiān)視和操縱發(fā)射模式觉增，并且顯微鏡必須能夠進(jìn)行3D成像以捕獲神經(jīng)元電路的響應(yīng)。在掃描雙光子/三光子顯微鏡的激發(fā)路徑中添加液晶空間光調(diào)制器（SLM）翻斟，可以將激發(fā)源分成幾百個(gè)獨(dú)立的焦點(diǎn)逾礁，并以高達(dá)300 Hz的頻率重新配置焦點(diǎn)的3D位置。因此访惜，使用SLM可以傳遞光線嘹履，同時(shí)可激發(fā)多個(gè)3D位點(diǎn)的神經(jīng)元，然后 ...

的干擾债热，常規(guī)熒光顯微鏡無法獲得層析圖像砾嫉。三維結(jié)構(gòu)光照明顯微鏡提高分辨率、獲得層析圖像的原理窒篱，就是利用特定結(jié)構(gòu)的照明光來獲得樣品的高頻信息焕刮，采用特定算法在橫向和縱向上擴(kuò)展樣品頻域信息的同時(shí)彌補(bǔ)凹陷帶來的影響。飽和結(jié)構(gòu)照明顯微鏡(SSIM)的原理法國OXXIUS多波長合束激光器應(yīng)用在Nikon顯微鏡受激發(fā)射損耗顯微（STED）在STED顯微術(shù)中墙杯，有效熒光發(fā)光面積的減小是通過受激發(fā)射效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)的配并。一個(gè)典型的STED顯微系統(tǒng)中需要兩束照明光，其中一束為激發(fā)光高镐，另外一束為損耗光溉旋。當(dāng)激發(fā)光的照射使得其衍射斑范圍內(nèi)的熒光分子被激發(fā)，其中的 電子躍遷到激發(fā)態(tài)后嫉髓，損耗光使得部分處于激發(fā)光斑外圍的電子以受激發(fā)射的 ...

發(fā)光源5）集熒光成像低滩、電致發(fā)光召夹、光致發(fā)光、透射率恕沫、反射率成像等諸多功能于一體监憎。參考文獻(xiàn)：[1] Scheer R., Walter T., Schock H. W., Fearheiley M. L., Lewerenz H. J., CuInS2 based thin film solar cell with 10.2% efficiency, Applied Physics Letters, 63, (1993).[2] Suriakarthick R. et al., Photochemically deposited and post annealed copper indiu ...

發(fā)光源5）集熒光成像、電致發(fā)光婶溯、光致發(fā)光鲸阔、透射率、反射率成像等諸多功能于一體迄委。參考文獻(xiàn)：[1]Delamarre A. , Paire M., Guillemoles J.-F. and Lombez L., Quantitative luminescence mapping of Cu(In,Ga)Se2 thin-film solar cells, Progress in Photovoltaics, 10, 1002, (2014).如果您需要了解更多的產(chǎn)品信息褐筛， 請(qǐng)聯(lián)系我們！產(chǎn)品鏈接：http://www.wjjzl.com/details-1013.html電話：021-3 ...

上獲得材料的熒光和透射圖譜成像圖叙身，不需要空間上的掃描即可獲得亞微米的空間分辨率渔扎。 下圖展示了利用IMA采集的鈣鈦礦晶體的高光譜數(shù)據(jù)。圖1展示了鈣鈦礦的PL數(shù)據(jù)信轿。僅在幾分鐘內(nèi)晃痴，在670×900μm2的面積上獲得了550-900nm的一百萬個(gè)PL光譜。圖（a）和（b）顯示了分別在625nm和750nm處拍攝的兩張不同的單色PL圖像财忽。圖（c）為圖1中不同位置的光譜圖倘核，（d）顯示為指定區(qū)域PL圖譜頻移成像圖。圖2展示在180×134μm2區(qū)域內(nèi)不同鈣鈦礦樣品的高光譜透射率數(shù)據(jù)即彪。圖3展示的是相同區(qū)域內(nèi)樣品的PL成像圖紧唱。高光譜成像設(shè)備可以獲得以下參數(shù)的空間分布：△ 表面缺陷△ 晶界△ 相分離△ 無序化這 ...

曼/光電流/熒光/熒光壽命測量，為研究團(tuán)隊(duì)提供強(qiáng)有力的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)隶校。韓國成均館大學(xué)的 Si Young Lee教授在他的研究Large Work Function Modulation of Monolayer MoS2 by Ambient Gases中使用這套系統(tǒng)漏益，研究了MoS2器件在不同環(huán)境氣體下的工作效率，并最終制出部分鈍化的新型半導(dǎo)體深胳，其理想因子幾乎為1遭庶，具有完美的電可逆性，并且通過光電流成像系統(tǒng)測得耗盡層寬度為~200nm稠屠，比體半導(dǎo)體窄了極多。相關(guān)研究成果發(fā)表在ACS NANO雜志上(ACS Nano 2016,10,6,6100-6107)西班牙IMDEA-nanocientia的A ...