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真空界面上的熒光粉層；它被一層薄薄的鋁膜覆蓋挺勿，以防止光反饋曲横。陽(yáng)極屏相對(duì)于MCP的電位為6kV。電子能量被熒光粉材料吸收并轉(zhuǎn)化為光，結(jié)果在增強(qiáng)器的輸出處得到明顯增強(qiáng)的圖像禾嫉。像增強(qiáng)器的輸出窗口通常通過光纖耦合到下一個(gè)組件灾杰，既可以是圖像傳感器，也可以是下①級(jí)的像增強(qiáng)器熙参。圖1光子被轉(zhuǎn)化為電子艳吠，加速，然后在MCP中倍增像增強(qiáng)器不夠怎么辦孽椰？與高速相機(jī)相組合的像增強(qiáng)器提供了很大的可能性昭娩，但有時(shí)產(chǎn)生的圖像質(zhì)量仍然不夠。光輸出限制了使用像增強(qiáng)器時(shí)可以獲得的Z大幀率黍匾。只要增益恒定栏渺，光輸出隨輸入線性增加。然而膀捷，即使是在高速應(yīng)用中使用特殊低電阻MCP的情況下迈嘹，MCP的增益只有在特定的輸出水平上是恒定的。超過一定的水平 ...
側(cè)全庸，然后通過熒光粉屏幕通過增強(qiáng)器進(jìn)入CCD檢測(cè)器。這種掃描模式可以獲得三維圖的檢測(cè)結(jié)果(強(qiáng)度vs頻率和時(shí)間)融痛。使用電子倍增電荷耦合器件(EMCCD)是進(jìn)行基于條紋的熱重測(cè)量的一種擴(kuò)展選擇壶笼，可以提高檢測(cè)靈敏度，這是一些CCD探測(cè)器的附加功能雁刷。iccd通常需要Peltier冷卻(從- 20°C到- 100°C以下)覆劈，通常不是水冷卻或液氮冷卻。這些組件影響著電子器件沛励、整體尺寸责语、成本和iccd的復(fù)雜性，目前iccd的規(guī)模仍然相當(dāng)大目派。3. SPADsCMOS工業(yè)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)能夠以低成本和更小尺寸設(shè)計(jì)高速電子元件與spad相結(jié)合坤候，而無需探測(cè)器冷卻。這使得在一個(gè)微小的固態(tài)芯片上安排簡(jiǎn)化的光探測(cè)和快速(亞納秒)讀 ...
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