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CCD的電荷存儲(chǔ)構(gòu)成CCD的基本單元是MOS（金屬-氧化物-半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)捕透。如下圖，在柵極不施壓的情況下碴萧，P型半導(dǎo)體中多數(shù)載流子空穴的分布是均勻的乙嘀。在柵極施加小于P型半導(dǎo)體閾值電壓Uth時(shí)，在半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生耗盡區(qū)破喻。當(dāng)柵極電壓繼續(xù)增加虎谢，并大于閾值電壓后，耗盡區(qū)的深度和柵極電壓成正比曹质。將半導(dǎo)體與絕緣界面上的電勢(shì)記為表面電勢(shì)Φs婴噩，表面電勢(shì)隨著柵極電壓Ug的增加而增加擎场。下圖描述了二者在不存在反型層電荷時(shí)，不同氧化層厚度下表面電勢(shì)和柵極電壓之間的關(guān)系讳推。從曲線中看出顶籽，氧化層厚度越薄，曲線的直線性越好银觅。當(dāng)柵極電壓Ug不變時(shí)礼饱，表面電勢(shì)Φs和反型層電荷密度Qinv之間的關(guān)系。下圖可以看出究驴，Φs隨著Qinv的增加而線 ...
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