面進(jìn)行精細(xì)的刻蝕，這種技術(shù)利用了飛秒激光的超短脈沖特性抛丽，能夠在極短的時間內(nèi)釋放巨大的能量谤职，實(shí)現(xiàn)對材料的非熱性加工。飛秒激光技術(shù)自問世以來發(fā)展迅速亿鲜，以其卓越的加工精度和速度允蜈，能夠在包括石英玻璃在內(nèi)的多種材料表面進(jìn)行微米乃至納米級別的精細(xì)加工。這種技術(shù)的應(yīng)用范圍廣泛蒿柳，從微電子到生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域饶套，都能看到飛秒激光技術(shù)的身影。它不僅提高了加工效率垒探，還極大地拓展了材料加工的可能性妓蛮，為精密制造領(lǐng)域帶來了革命性的變化。結(jié)語：雖然玻璃有很多優(yōu)點(diǎn)圾叼，但其脆性特性使得對它的精密加工難度很大蛤克。利用近年發(fā)展起來的激光加工技術(shù)，通過調(diào)整激光的波長夷蚊、功率和脈沖寬度等工藝優(yōu)化构挤，可在玻璃材料加工領(lǐng)域不斷提高產(chǎn)品良率，并獲得穩(wěn)定成熟 ...
IE/ICP刻蝕轉(zhuǎn)移到我們的混合SiN/LN平臺上惕鼓。圖3中的布局還顯示了攜帶射頻信號的調(diào)制電極筋现。圖3給出了馬赫-曾德爾（MZ）調(diào)制器的布局和加工切塊芯片的圖像2.2 低頻特性圖4(a)顯示了光通過兩個光柵耦合器（即光纖到光纖插入損耗）后的測量插入損耗與波長的關(guān)系。我們的光柵耦合器實(shí)現(xiàn)了小于-10dB的插入損耗箱歧》桑考慮到在不到一毫米長的波導(dǎo)中，輸入和輸出耦合器之間的傳播損耗可以忽略不計呀邢，每個耦合器的耦合損耗約為5dB凰慈。測量的耦合器3dB光纖到光纖帶寬為45nm。根據(jù)理論計算驼鹅，每個耦合器預(yù)期損耗為-4dB微谓。圖4. (a) 測量的光柵耦合器插入損耗（光通過兩個輸入和輸出耦合器后）。(b) 電極間隙為7 ...
工藝有光刻输钩、刻蝕豺型、電鍍和激光加工等。納制造則是在納米尺度上進(jìn)行制造买乃，一般包括納米電子器件姻氨、納米材料、納米藥物載體和納米傳感器等的制造過程剪验。常用的納制造加工方法有納米印刷肴焊、原子層沉積和納米自組裝技術(shù)等前联，能夠控制材料實(shí)現(xiàn)原子和分子水平上的結(jié)構(gòu)制備。微制造和納制造技術(shù)是現(xiàn)代制造技術(shù)的重要組成部分娶眷，兩種的重要性體現(xiàn)在其能夠?qū)崿F(xiàn)更低的功耗似嗤、更高的集成度和更復(fù)雜的功能，可以極大促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和高端制造產(chǎn)業(yè)升級届宠。圖2微納加工高精度產(chǎn)品示意圖三烁落、微納加工的應(yīng)用微納加工技術(shù)是一種精密制造技術(shù)，主要通過光刻豌注、離子束刻蝕伤塌、金屬濺射沉積、化學(xué)/物理氣相沉積轧铁、電鍍每聪、電化學(xué)腐蝕等工藝實(shí)現(xiàn)微米至納米級別的精細(xì)加工。該項技術(shù)涉 ...
和氬離子銑削刻蝕對寬度為5 μm齿风、長度50 μm的霍爾交叉器件進(jìn)行了圖像化處理药薯。光學(xué)圖像如圖1d所示。圖3SOT的開關(guān)行為是通過在MgO/Pt/Co霍爾交叉器件上發(fā)送脈沖電流來實(shí)現(xiàn)的聂宾。電流I的脈沖寬度固定為5ms果善。電流振幅從+15掃至- 15 mA诊笤，然后再回到+15 mA系谐。通過發(fā)送470 μA的小讀電流，測量每個脈沖電流后的霍爾電壓（Vxy）讨跟。脈沖電流的間隔約為2秒纪他。測量過程如圖2a所示。Vxy切換曲線如圖2b所示晾匠，Hx從30到?30 Oe變化茶袒。在Hx = 0 Oe時觀察到一個幾乎完全的SOT開關(guān)回路。此外凉馆，當(dāng)Hx =?10 ~?20 Oe時薪寓，該樣品幾乎沒有檢測到開關(guān)信號。這些結(jié)果表明澜共，存在一 ...
后向叉，通過化學(xué)刻蝕定義脊?fàn)畈▽?dǎo)，并在激光波導(dǎo)側(cè)面重新生長絕緣Fe:InP嗦董。極化子C-V和霍爾測試已被用來確保Fe:InP是一個良好的電絕緣體母谎。橫向再生的目的是雙重的：它允許激光模式的光學(xué)限制在橫向方向，并有助于優(yōu)化散熱京革，通過改善在活躍區(qū)域產(chǎn)生的熱量的橫向傳輸奇唤，并通過平面化設(shè)備的頂面幸斥，從而允許向下安裝激光器。通過電子束蒸發(fā)沉積頂部和底部觸點(diǎn)金屬咬扇，隨后在頂部觸點(diǎn)上電解鍍一層厚金層甲葬，從而完成了器件的制造。這些器件被切成小塊冗栗，銦被焊接到銅支架上演顾，以獲得非常佳的散熱效果。設(shè)備溫度由安裝在設(shè)備本身附近的溫度傳感器監(jiān)測隅居。圖2(A)顯示了安裝的器件和完整波導(dǎo)的面钠至。圖2在分布式反饋（DFB）激光器的情況下，MOC ...
收縮和離子束刻蝕（IBE）過程中不可避免的外圍損傷胎源。由于樣品中存在較高的IEC棉钧，因此在實(shí)驗中使用恒定的- 860 Oe外部OOP場來補(bǔ)償RKKY場。簡單地說涕蚤，我們首先在Hall bar的橫截面上注入7.5 mA的3 s脈沖電流宪卿，在Hall bar的左端觀察到一個有核的向下區(qū)域，并向+x區(qū)域擴(kuò)展万栅。隨后佑钾，在RKKY等效的現(xiàn)場應(yīng)用中，左右兩側(cè)的DW都向成核點(diǎn)中心收縮烦粒，即DW收縮休溶。然后，從x方向連續(xù)6個6 s周期注入占空比為50%的3.35 mA脈沖電流扰她，下向上（DU） DW在電流的驅(qū)動下逐漸向右移動兽掰，當(dāng)去除電流時，在RKKY相互作用下向左移動徒役。施加第六次脈沖后孽尽，DU DW到達(dá)霍爾棒的交叉區(qū)域，通過異 ...
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