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更厚的半導(dǎo)體有源層導(dǎo)致更差的熱性能和更具有挑戰(zhàn)性的制造憔杨，等等鸟赫。值得注意的是，2001年Beck等人基于9.1μm inp匹配設(shè)計(jì)首次演示了QC激光器的室溫(RT)連續(xù)工作(CW)消别，而由于高應(yīng)變InGaAs/InAlAs材料生長(zhǎng)技術(shù)的改進(jìn)和發(fā)展抛蚤，才在MWIR波長(zhǎng)下演示了高功率RT連續(xù)工作，從而實(shí)現(xiàn)了防止高能電子從較高激光能級(jí)泄漏到更高激光能級(jí)的設(shè)計(jì)活躍區(qū)域的能量水平寻狂。這是提高QC激光器的特征溫度T0和T1的關(guān)鍵因素之一岁经，從而在高溫下實(shí)現(xiàn)高連續(xù)波功率發(fā)射。如今蛇券，量子級(jí)聯(lián)激光器是一種完全可部署的設(shè)備缀壤，可在室溫及以上環(huán)境下工作，能夠在具有挑戰(zhàn)性的環(huán)境條件下操作和存儲(chǔ)纠亚√聊剑總的來說，這種技術(shù)的成熟程度正在接 ...
成了HTL和有源層之間的界面層蒂胞，這不僅可以保護(hù)活性層免受劣化图呢，還可以促進(jìn)和平衡電荷-載流子傳輸現(xiàn)象。理想情況下骗随，空穴界面層應(yīng)（i）易于制造蛤织，（ii）在表面能方面與PEDOT：PSS HTL和活性層兼容，（iii）具有能級(jí)適合的分子軌道（HOMO）鸿染，以及（iv）表現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性和高空穴傳輸率指蚜。從這個(gè)角度來看，石墨烯（Gr）因其可調(diào)功函數(shù)和良好的電導(dǎo)率涨椒，比許多二維（2D）材料更受青睞摊鸡。使用商業(yè)化學(xué)氣相沉積（CVD）石墨烯被認(rèn)為是成功阻止PEDOT：PSS中酸性PSS組分滲透的有利選擇绽媒。然而，高電導(dǎo)率和電子空穴以及良好的電荷親和力反而會(huì)干擾器件中的電荷傳輸免猾。石墨烯的sp 2平面內(nèi)碳的惰性性質(zhì)不適合 ...
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