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提供較高的燒結(jié)溫度惰聂，同時(shí)能夠與拉曼探測系統(tǒng)耦合疆偿，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)光學(xué)觀察和拉曼光譜采集。這些原位信息對揭示單層MoS2在高溫下的形態(tài)發(fā)展和結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變非常重要搓幌，并將進(jìn)一步加深我們對TMD-CVD生長機(jī)制的理解杆故。我們證實(shí)，在從金屬氧化物到硫化物的還原反應(yīng)中溉愁，低氧化物MoO2因?yàn)槠鋵Τ珊撕唾|(zhì)量傳輸?shù)呢?zé)任成為一個(gè)關(guān)鍵的中間體处铛，此外，高濃度的S蒸汽促進(jìn)了平面內(nèi)外延生長拐揭，因此是高質(zhì)量2D MoS2膜所需要的撤蟆。另一方面，原位檢測生長過程的技術(shù)使得在高溫下確定準(zhǔn)確的材料供應(yīng)成為可能堂污，從而制造出用于未來各種應(yīng)用的新型2D材料家肯。除了本文使用的微區(qū)燃燒室原位技術(shù)，昊量光電代理的Nanobase 以“化學(xué)沉積材料實(shí)時(shí)沉積膜監(jiān)測 ...
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