中文：間接帶隙半導(dǎo)體唇兑；英文：indirect band gap semiconductor

解釋
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 導(dǎo)帶底與價帶頂具有不同的動量匙铡，光子激發(fā)下的載流子在這兩個能量極值之間的躍遷必須有聲子參與才能維持的一種半導(dǎo)體图甜。
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