中文：量子效率矢沿；英文：quantum efficiency

25cps，量子效率在650nm附近可高達到70%政勃。但由于帶隙寬度的限制唧龄，硅APD對波長1微米以上的光沒有響應(yīng)。在近紅外光波段（1100~1650nm）稼病，目前性能很好的是基于銦鎵砷（）APD的單光子探測器选侨，其量子效率在1.55μm波長處能達約25%掖鱼，暗計數(shù)約10^3cps左右然走。總體而言戏挡，不論光電倍增管還是基于APD的單光子探測器芍瑞，其量子效率、暗計數(shù)等性能遠不能滿足量子信息計數(shù)發(fā)展的需要褐墅，特別是針對所謂的線性量子計算拆檬，對單光子探測器性能要求更高洪己。即使在傳統(tǒng)的光纖通信和熒光光譜領(lǐng)域的應(yīng)用，對單光子探測器的性能提高也非常迫切竟贯〈鸩叮可是傳統(tǒng)的單光子探測器的性能已基本達到極限，很難再有本質(zhì)的提高屑那。2001年 ...

太陽能電池的量子效率提升達到了瓶頸拱镐。為了不斷改進下一代CIS電池并打破這一限制，必須要清楚的理解制造工藝對太陽能電池性能的影響持际。 考慮到這一點沃琅，IRDEP（法國光伏能源研究院）的研究人員利用光致發(fā)光（PL）成像對多晶CuInS2太陽能電池進行了表征。高光譜顯微成像平臺（IMA Photon）可提供2nm的光譜分辨率和優(yōu)于2μm的空間分辨率蜘欲。該設(shè)備采用532nm的激發(fā)光在顯微鏡整視場下均勻的激發(fā)益眉。如圖 1為 圖 2中選擇的不同研究區(qū)域的PL光譜。 圖 2 顯示的是整個器件的PL成像圖譜[3]姥份。全局成像可快速獲得樣品的不均一性郭脂。通過這種技術(shù)研究人員可以在空間上監(jiān)控多個屬性。的確殿衰，PL最大限度詳盡的 ...

CIGS設(shè)備量子效率超過20%朱庆，并且有較好的重復性。但是這種效率依舊低于Shockley-Queisser的理論計算值闷祥。這在一定程度上歸因于由于多晶性質(zhì)引起的太陽能電池的不均一性娱颊，這也使材料性能和整體性能的關(guān)系模糊。為了量化形態(tài)對太陽能電池量子效率的影響凯砍，研究不同性質(zhì)在空間上的變化將變的至關(guān)重要箱硕。 考慮到這一點，IRDEP（法國光伏能源研究院）的研究人員對CIGS微型太陽能電池（直徑為35μm）進行了光致發(fā)光PL和電致發(fā)光EL光譜成像進行了探究[1]悟衩。實驗采用了高光譜成像設(shè)備（IMATM）剧罩，該設(shè)備擁有2nm的光譜分辨率和亞微米的空間分辨率。電致發(fā)光實驗采用Vapp = 0.95 V 的源表座泳。 ...

隨著有機金屬鈣鈦礦太陽能電池的快速發(fā)展惠昔，過去幾年，尋求靈活挑势、廉價且易于加工的光伏材料取得了新的發(fā)展镇防。這些新型太陽能電池很可能很快就會替代目前硅基太陽電池的王者地位。它們具有高載流子遷移率潮饱、對可見光吸收率高和可調(diào)諧的帶寬使其成為低成本太陽能電池的選擇来氧。但是鈣鈦礦卻有一個缺點，它們的穩(wěn)定性是不穩(wěn)定的，它們當前的壽命只有2000小時啦扬，遠遠小于硅的使用時間（52000小時）中狂。如果想要將這一新的光伏之星推向市場，更好的理解光物理學和降解機制變的尤為重要扑毡。 Photon Etc.的IMA面成像高光譜顯微設(shè)備可解答研究人員關(guān)于為什么鈣鈦礦具有杰出性能的疑問胃榕。IMA可以通過光學測量快速表征二維和三維鈣鈦 ...

000nm，量子效率不超過10%瞄摊，甚至更低）勤晚。針對這個兩個問題，我們的解決辦法就是采用近紅外增強型CCD相機泉褐。近紅外增強型CCD相機在950nm附近量子效率高達約50%赐写，在1000nm附近量子效率超過20%，紅外探測能力遠遠超過普通的CCD相機膜赃，適合用于太陽能電池EL檢測挺邀。ELSE xxx DD NIR是德國greateyes公司研發(fā)的近紅外增強型CCD相機，應(yīng)用于近紅外波段的光譜及影像相機跳座。ELSE xxx DD NIR集成了目前最前沿的低噪聲電子系統(tǒng)和超低溫制冷技術(shù)端铛，同時保持了緊湊小巧的設(shè)計，被用于EL/PL檢測疲眷、天文觀測禾蚕、光譜分析、活體生物熒光成像等領(lǐng)域狂丝。Greateyes相機示意圖近紅 ...

高的靈敏度和量子效率换淆，一般會選深度制冷型CCD來提高信噪比，由于只需要光譜和強度兩個信息几颜，光譜信息由光譜儀決定倍试，只需要不同波數(shù)上的強度信息，所以出于成本考慮都會使用線陣CCD蛋哭。法國GreatEyes深度制冷寬譜CCD相機 ...

了級聯(lián)县习，并使量子效率大于單位成為可能，從而產(chǎn)生比半導體激光二極管輸出更高的功率谆趾。D1個QCL是在GaInAs/AlInAs材料系統(tǒng)中制作的躁愿，晶格匹配于InP襯底這種特殊的材料系統(tǒng)的導帶偏移量(量子阱深度)為520 meV。這些基于InP的器件在中紅外光譜范圍內(nèi)達到了非常高的性能水平沪蓬，實現(xiàn)了高于室溫的高功率彤钟，連續(xù)的波發(fā)射。1998年怜跑，Sirtori等人實現(xiàn)了GaAs/AlGaAs QCLs样勃，證明了QC概念并不局限于一個材料系統(tǒng)。這種材料系統(tǒng)的量子阱深度隨勢壘中鋁的含量而變化性芬。雖然基于GaAs的QCL在中紅外波段的性能水平無法與基于InP的QCL相匹配峡眶，但它們已被證明在太赫茲頻段非常成功。QCLs ...

效率植锉，即內(nèi)部量子效率辫樱、電壓效率、電效率和光學效率俊庇。在四個次效率中狮暑，內(nèi)部量子效率是重要的，它只能通過探索核心結(jié)構(gòu)[16]的設(shè)計來提高辉饱。從圖1(b)可以看出搬男，內(nèi)部量子效率的提高幅度大。室溫QCL設(shè)計是[16]中報道的淺井設(shè)計彭沼。在室溫連續(xù)焊條件下缔逛，采用埋脊再生和脫膠下粘接的效果佳。此外姓惑，埋地脊構(gòu)造的脊寬也很重要褐奴。需要在低損耗和高導熱方面做出妥協(xié)。詳細的討論可以在[3]中找到于毙。WPE是一個重要的指標數(shù)字敦冬，代表了設(shè)備的整體質(zhì)量。盡管過去幾年取得了令人矚目的進展唯沮，但要進一步改善性能仍面臨巨大挑戰(zhàn)脖旱。如果去除溫度限制，是否可以實現(xiàn)50%的WPE將是很有趣的介蛉。50%是一個重要的里程碑夯缺，因為它標志著光子產(chǎn)生戰(zhàn)勝了 ...

的光譜響應(yīng)和量子效率取決于像元。填充因子是光敏面積對全部像敏面積之比甘耿，影響器件的有效靈敏度踊兜、噪聲、時間響應(yīng)佳恬、傳遞函數(shù)捏境。噪聲的來源有像元的光電二極管、用作放大器的場效應(yīng)管毁葱、行列選址開關(guān)的場效應(yīng)管垫言。最后，對CMOS和CCD做一個簡單的比較：您可以通過我們昊量光電的官方網(wǎng)站www.wjjzl.com了解更多的產(chǎn)品信息倾剿，或直接來電咨詢4006-888-532筷频，我們將竭誠為您服務(wù)蚌成。 ...

98%的峰值量子效率，以確保最大的信號采集和1.25波數(shù)分辨率;適合5-200波數(shù)頻率范圍的分析凛捏。下圖4為上述系統(tǒng)測得的低波數(shù)拉曼光譜担忧。圖4您可以通過我們昊量光電的官方網(wǎng)站www.wjjzl.com了解更多的產(chǎn)品信息，或直接來電咨詢4006-888-532坯癣，我們將竭誠為您服務(wù)瓶盛。 ...