中文：轉(zhuǎn)換效率峭范；英文：conversion efficiency

因此器件光電轉(zhuǎn)換效率實(shí)際被低估了一倍左右衷模。通過光電流成像的校正鹊汛，器件的實(shí)際光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到1%蒲赂。相關(guān)研究成果發(fā)表在Small Methods雜志上（DOI:10.1002/smtd.201700119)上。光電流成像系統(tǒng)刁憋，為研究納米光電子器件中光生載流子的傳輸滥嘴、分離與復(fù)合過程，以及進(jìn)一步優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)至耻、提高器件光電轉(zhuǎn)換效率提供了極大的幫助氏涩。產(chǎn)品介紹：1.XperRam C series超高性價(jià)比，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)熒光成像功能獨(dú)特的單振鏡掃描技術(shù)有梆，具有優(yōu)異的掃描精度和重復(fù)性激光掃描分辨率<0.02um,重復(fù)性小于0.1um體相全息光柵透過率>90%是尖，比反射式光柵告30%，信號(hào)傳輸效率更高 ...

增加泥耀，獲得高轉(zhuǎn)換效率饺汹。您可以通過我們的官方網(wǎng)站了解更多的產(chǎn)品信息，或直接來電咨詢4006-888-532痰催。 ...

生光子的最高轉(zhuǎn)換效率兜辞。這通常是通過晶體的端面正入射，將聚焦的光耦合到PPLN晶體的中心來完成的夸溶。對(duì)于一種特定的激光束和晶體逸吵，存在一種最佳的光斑尺寸來實(shí)現(xiàn)最佳的轉(zhuǎn)換效率。如果光斑尺寸過小缝裁，束腰的強(qiáng)度就會(huì)較高扫皱，但瑞利長度比晶體短的多。因此捷绑，在晶體輸入端的光束尺寸過大韩脑，導(dǎo)致在整個(gè)晶體長度上平均強(qiáng)度降低，就會(huì)降低轉(zhuǎn)換效率粹污。一個(gè)好的經(jīng)驗(yàn)法則是對(duì)于具有高斯光束分布的連續(xù)激光段多，光斑尺寸應(yīng)選擇在瑞利長度為晶體長度的一半時(shí)的大小。光斑尺寸可減小一定的量壮吩，直到獲得最高效率进苍。PPLN具有高的折射率，在每個(gè)未鍍膜的面上導(dǎo)致14%的菲涅耳損耗鸭叙。為了增加晶體的透過率觉啊，晶體的輸入和輸出端面鍍了增透膜，從而將每個(gè)面的反射降到 ...

MAPbI3是應(yīng)用最廣泛的鈣鈦礦吸收材料递雀，它具有優(yōu)越的光吸收條件柄延、低的結(jié)合能、載流子壽命長、雙電荷轉(zhuǎn)移和制備簡(jiǎn)單等性能搜吧。這些特性是MAPbI3 PSCs可以實(shí)現(xiàn)高能量轉(zhuǎn)移效率（PCE）的關(guān)鍵因素市俊。使用源表為Keithley 2430太陽模擬器在0.25cm2的陰罩下測(cè)量了J-V曲線，同時(shí)在AM為1.5G的輻照下校準(zhǔn)Si-參比電池滤奈。時(shí)間分辨光致發(fā)光譜（TRPL）使用（XperRam Ultimate）的激光系統(tǒng)摆昧，激發(fā)光源為405nm進(jìn)行測(cè)量分析。如圖1（a）所示為ITO/PEN and ETL/ITO/PEN結(jié)構(gòu)的光透射性能蜒程，表明在ITO/PEN基地上三種ETLs都有具有增透性能绅你，由于具有高的結(jié) ...

的脈沖系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率高達(dá)80%。在連續(xù)光系統(tǒng)中昭躺，腔內(nèi)倍頻效率已實(shí)現(xiàn)超過50%忌锯。如何使用PPLN晶體長度：當(dāng)選擇一種晶體時(shí)，晶體長度是一個(gè)重要因素领炫。對(duì)于窄帶連續(xù)光源偶垮，我們的20mm到40mm的較長晶體長度將提供更高的效率。然而帝洪，對(duì)于脈沖光源似舵，長晶體對(duì)激光帶寬和脈沖寬度敏感性增加，會(huì)具有負(fù)面效應(yīng)葱峡。對(duì)于納秒脈沖砚哗，通常推薦10mm長度，而較短的0.5mm到1mm長度則適用于飛秒脈沖系統(tǒng)砰奕。極化：為了利用鈮酸鋰的最高非線性系數(shù)蛛芥，輸入光應(yīng)該是e偏振的，即偏振態(tài)必須與晶體偶極矩匹配脆淹。通過使光的偏振軸與晶體的厚度方向平行可實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)常空。這可用于所有非線性相互作用。產(chǎn)生二次諧波需要z軸平行于偏振方向聚焦和光學(xué)布局： ...

能達(dá)到的最佳轉(zhuǎn)換效率也取決于以下幾個(gè)因素:連續(xù)波或脈沖泵源輸入功率:在高功率時(shí)盖溺，可達(dá)到增益飽和泵浦/SHG波長:在低增益時(shí)，涉及更高能量光子(短波長)的相互作用铣缠，轉(zhuǎn)換效率更高烘嘱。1064nm→532nm對(duì)于低增益連續(xù)波，典型的轉(zhuǎn)換效率為2%/Wcm蝗蛙。例如蝇庭，對(duì)于1.5W的1064nm泵浦，40mm長的MgO:PPLN晶體捡硅，532nm的預(yù)期輸出是180mW哮内。在更高的功率下，Covesion在10W光源下可以達(dá)到1.5%/Wcm，在532nm波長下從20mm長的晶體產(chǎn)生3W北发。在連續(xù)波系統(tǒng)中纹因，腔內(nèi)的轉(zhuǎn)換效率已被證明超過50%。對(duì)于納秒源(~10KHz琳拨，~50uJ)瞭恰，通常可以達(dá)到50%的效率狱庇。1550nm ...

發(fā)電機(jī)的能量轉(zhuǎn)換效率為88%惊畏。結(jié)果表明，在雞胸肌上施加1000 V (~ 500 V mm?1)120次脈沖密任，脈沖持續(xù)時(shí)間為50 μs (1 Hz)颜启，可使水分的有效擴(kuò)散率提高13-24%，對(duì)流空氣干燥時(shí)間縮短6.4-15.3%浪讳。這些結(jié)果為實(shí)驗(yàn)設(shè)備的設(shè)計(jì)提供了新的信息农曲，以改進(jìn)和優(yōu)化小規(guī)模的肉類預(yù)處理。柔性驻债、小規(guī)模的PEF設(shè)備是工業(yè)發(fā)展新工藝的必要步驟乳规，可以減少肉類行業(yè)的設(shè)備規(guī)模和工藝能耗。https://doi.org/10.1007/s11947-019-02360-534. 一種能夠通過電阻抗光譜識(shí)別低數(shù)量乳腺癌細(xì)胞的生物傳感器乳腺癌(BC)是一種惡性疾病合呐，在范圍內(nèi)發(fā)病率很高暮的。死亡的主要原因 ...

在功率、電光轉(zhuǎn)換效率(WPE)淌实、單模操作冻辩、調(diào)諧和光束質(zhì)量方面，推動(dòng)QCL從一個(gè)實(shí)驗(yàn)室工具成為一個(gè)廣泛的產(chǎn)品拆祈，造福于公眾恨闪。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，WPE為21%放坏，輸出功率為5.1 W的室溫連續(xù)波工作效率高咙咽，輸出功率為0.51 W的環(huán)形腔面發(fā)射QCL為室溫連續(xù)波工作效率高，D1個(gè)β型分布反饋QCL為[11]淤年。在本文中钧敞，我們介紹了近年來在QCL方面取得的一些突破，并在接下來的章節(jié)中進(jìn)行了詳細(xì)討論麸粮，即大功率高效QCL溉苛；λ~3-4 μm的高性能QCL λ~6-10 μm的寬帶QCL，波長敏捷QCL弄诲；具有片上波束組合的QCL用于廣泛的電子調(diào)諧愚战；在中紅外QCL中基于差頻產(chǎn)生(DFG)的太赫茲源。2. 大功率高效量子級(jí) ...

的峰值功率，轉(zhuǎn)換效率為 66% [2]寂玲。下面將討論有關(guān)實(shí)驗(yàn)裝置塔插、倍頻晶體和產(chǎn)生這些結(jié)果的聚焦條件的詳細(xì)信息。這些基于 MgO:PPLN 的激光系統(tǒng)已被用于多種應(yīng)用敢茁，包括超過 54 厘米的量子疊加演示 [3]佑淀、精密重力計(jì) [4]、用于 BEC 的雙物種原子干涉儀 [5] 和新的一種同時(shí)測(cè)量重力和磁場(chǎng)梯度的高精度傳感器 [6]彰檬。11W 780nm單次通過倍頻系統(tǒng)ANU 的 Quantum Sensors 和 Atom Laser Group 展示了 11.4W 窄線寬激光源 [1]伸刃。 Sané 等人在單程倍頻方案中使用 30W 1560nm 光纖激光器，得到了 6kHz 線寬 780nm 激光逢倍，倍 ...

兩位數(shù)的電光轉(zhuǎn)換效率捧颅。高性能LWIR器件的z大挑戰(zhàn)并不容易通過簡(jiǎn)單地?cái)U(kuò)展到適用于MWIR范圍內(nèi)的qcl的LWIR范圍解決方案來克服，盡管如此较雕，通過使用應(yīng)變補(bǔ)償器件設(shè)計(jì)和制造方法碉哑，利用從高效MWIR QC激光器開發(fā)中獲得的知識(shí)，已經(jīng)取得了一些重大進(jìn)展亮蒋】鄣洌總體而言，開發(fā)高功率慎玖、高效率的LWIR qcl的方法可以與前幾年在實(shí)驗(yàn)和理論上中看到的MWIR發(fā)展進(jìn)行比較贮尖，盡管受到與LWIR操作相關(guān)的特殊挑戰(zhàn)的影響，例如長波長的自由電子光學(xué)損耗增加趁怔、子帶間增益降低湿硝、光學(xué)約束減少、低功耗和低功耗等润努。更厚的半導(dǎo)體有源層導(dǎo)致更差的熱性能和更具有挑戰(zhàn)性的制造关斜，等等。值得注意的是铺浇，2001年Beck等人基于9.1μm i ...