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PPLN光纖耦合封裝模塊
光纖耦合PPLN波導(dǎo)
晶體配套附件(溫控設(shè)備)
貝塞爾光束整形鏡
光電導(dǎo)太赫茲探針
因此器件光電轉(zhuǎn)換效率實(shí)際被低估了一倍左右变泄。通過(guò)光電流成像的校正令哟,器件的實(shí)際光電轉(zhuǎn)換效率達(dá)到1%。相關(guān)研究成果發(fā)表在Small Methods雜志上(DOI:10.1002/smtd.201700119)上妨蛹。光電流成像系統(tǒng)屏富,為研究納米光電子器件中光生載流子的傳輸、分離與復(fù)合過(guò)程蛙卤,以及進(jìn)一步優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)狠半、提高器件光電轉(zhuǎn)換效率提供了極大的幫助。產(chǎn)品介紹:1.XperRam C series超高性價(jià)比颤难,可同時(shí)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)態(tài)熒光成像功能獨(dú)特的單振鏡掃描技術(shù)神年,具有優(yōu)異的掃描精度和重復(fù)性激光掃描分辨率<0.02um,重復(fù)性小于0.1um體相全息光柵透過(guò)率>90%,比反射式光柵告30%行嗤,信號(hào)傳輸效率更高 ...
增加已日,獲得高轉(zhuǎn)換效率。您可以通過(guò)我們的官方網(wǎng)站了解更多的產(chǎn)品信息昂验,或直接來(lái)電咨詢4006-888-532捂敌。 ...
生光子的最高轉(zhuǎn)換效率艾扮。這通常是通過(guò)晶體的端面正入射,將聚焦的光耦合到PPLN晶體的中心來(lái)完成的占婉。對(duì)于一種特定的激光束和晶體泡嘴,存在一種最佳的光斑尺寸來(lái)實(shí)現(xiàn)最佳的轉(zhuǎn)換效率。如果光斑尺寸過(guò)小逆济,束腰的強(qiáng)度就會(huì)較高酌予,但瑞利長(zhǎng)度比晶體短的多。因此奖慌,在晶體輸入端的光束尺寸過(guò)大抛虫,導(dǎo)致在整個(gè)晶體長(zhǎng)度上平均強(qiáng)度降低,就會(huì)降低轉(zhuǎn)換效率简僧。一個(gè)好的經(jīng)驗(yàn)法則是對(duì)于具有高斯光束分布的連續(xù)激光建椰,光斑尺寸應(yīng)選擇在瑞利長(zhǎng)度為晶體長(zhǎng)度的一半時(shí)的大小。光斑尺寸可減小一定的量岛马,直到獲得最高效率棉姐。PPLN具有高的折射率,在每個(gè)未鍍膜的面上導(dǎo)致14%的菲涅耳損耗啦逆。為了增加晶體的透過(guò)率伞矩,晶體的輸入和輸出端面鍍了增透膜,從而將每個(gè)面的反射降到 ...
MAPbI3是應(yīng)用最廣泛的鈣鈦礦吸收材料夏志,它具有優(yōu)越的光吸收條件乃坤、低的結(jié)合能、載流子壽命長(zhǎng)沟蔑、雙電荷轉(zhuǎn)移和制備簡(jiǎn)單等性能湿诊。這些特性是MAPbI3 PSCs可以實(shí)現(xiàn)高能量轉(zhuǎn)移效率(PCE)的關(guān)鍵因素。使用源表為Keithley 2430太陽(yáng)模擬器在0.25cm2的陰罩下測(cè)量了J-V曲線溉贿,同時(shí)在AM為1.5G的輻照下校準(zhǔn)Si-參比電池枫吧。時(shí)間分辨光致發(fā)光譜(TRPL)使用(XperRam Ultimate)的激光系統(tǒng),激發(fā)光源為405nm進(jìn)行測(cè)量分析宇色。如圖1(a)所示為ITO/PEN and ETL/ITO/PEN結(jié)構(gòu)的光透射性能九杂,表明在ITO/PEN基地上三種ETLs都有具有增透性能,由于具有高的結(jié) ...
的脈沖系統(tǒng)中轉(zhuǎn)換效率高達(dá)80%宣蠕。在連續(xù)光系統(tǒng)中例隆,腔內(nèi)倍頻效率已實(shí)現(xiàn)超過(guò)50%。如何使用PPLN晶體長(zhǎng)度:當(dāng)選擇一種晶體時(shí)抢蚀,晶體長(zhǎng)度是一個(gè)重要因素镀层。對(duì)于窄帶連續(xù)光源,我們的20mm到40mm的較長(zhǎng)晶體長(zhǎng)度將提供更高的效率。然而唱逢,對(duì)于脈沖光源吴侦,長(zhǎng)晶體對(duì)激光帶寬和脈沖寬度敏感性增加,會(huì)具有負(fù)面效應(yīng)坞古。對(duì)于納秒脈沖备韧,通常推薦10mm長(zhǎng)度,而較短的0.5mm到1mm長(zhǎng)度則適用于飛秒脈沖系統(tǒng)痪枫。極化:為了利用鈮酸鋰的最高非線性系數(shù)织堂,輸入光應(yīng)該是e偏振的,即偏振態(tài)必須與晶體偶極矩匹配奶陈。通過(guò)使光的偏振軸與晶體的厚度方向平行可實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)易阳。這可用于所有非線性相互作用。產(chǎn)生二次諧波需要z軸平行于偏振方向聚焦和光學(xué)布局: ...
能達(dá)到的最佳轉(zhuǎn)換效率也取決于以下幾個(gè)因素:連續(xù)波或脈沖泵源輸入功率:在高功率時(shí)吃粒,可達(dá)到增益飽和泵浦/SHG波長(zhǎng):在低增益時(shí)潦俺,涉及更高能量光子(短波長(zhǎng))的相互作用,轉(zhuǎn)換效率更高声搁。1064nm→532nm對(duì)于低增益連續(xù)波黑竞,典型的轉(zhuǎn)換效率為2%/Wcm。例如疏旨,對(duì)于1.5W的1064nm泵浦,40mm長(zhǎng)的MgO:PPLN晶體扎酷,532nm的預(yù)期輸出是180mW檐涝。在更高的功率下,Covesion在10W光源下可以達(dá)到1.5%/Wcm法挨,在532nm波長(zhǎng)下從20mm長(zhǎng)的晶體產(chǎn)生3W谁榜。在連續(xù)波系統(tǒng)中,腔內(nèi)的轉(zhuǎn)換效率已被證明超過(guò)50%凡纳。對(duì)于納秒源(~10KHz窃植,~50uJ),通臣雒樱可以達(dá)到50%的效率巷怜。1550nm ...
發(fā)電機(jī)的能量轉(zhuǎn)換效率為88%。結(jié)果表明暴氏,在雞胸肌上施加1000 V (~ 500 V mm?1)120次脈沖延塑,脈沖持續(xù)時(shí)間為50 μs (1 Hz),可使水分的有效擴(kuò)散率提高13-24%答渔,對(duì)流空氣干燥時(shí)間縮短6.4-15.3%关带。這些結(jié)果為實(shí)驗(yàn)設(shè)備的設(shè)計(jì)提供了新的信息,以改進(jìn)和優(yōu)化小規(guī)模的肉類預(yù)處理沼撕。柔性宋雏、小規(guī)模的PEF設(shè)備是工業(yè)發(fā)展新工藝的必要步驟芜飘,可以減少肉類行業(yè)的設(shè)備規(guī)模和工藝能耗。https://doi.org/10.1007/s11947-019-02360-534. 一種能夠通過(guò)電阻抗光譜識(shí)別低數(shù)量乳腺癌細(xì)胞的生物傳感器乳腺癌(BC)是一種惡性疾病磨总,在范圍內(nèi)發(fā)病率很高燃箭。死亡的主要原因 ...
在功率、電光轉(zhuǎn)換效率(WPE)舍败、單模操作招狸、調(diào)諧和光束質(zhì)量方面,推動(dòng)QCL從一個(gè)實(shí)驗(yàn)室工具成為一個(gè)廣泛的產(chǎn)品邻薯,造福于公眾裙戏。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,WPE為21%厕诡,輸出功率為5.1 W的室溫連續(xù)波工作效率高累榜,輸出功率為0.51 W的環(huán)形腔面發(fā)射QCL為室溫連續(xù)波工作效率高,D1個(gè)β型分布反饋QCL為[11]灵嫌。在本文中壹罚,我們介紹了近年來(lái)在QCL方面取得的一些突破,并在接下來(lái)的章節(jié)中進(jìn)行了詳細(xì)討論寿羞,即大功率高效QCL猖凛;λ~3-4 μm的高性能QCL λ~6-10 μm的寬帶QCL,波長(zhǎng)敏捷QCL绪穆;具有片上波束組合的QCL用于廣泛的電子調(diào)諧辨泳;在中紅外QCL中基于差頻產(chǎn)生(DFG)的太赫茲源。2. 大功率高效量子級(jí) ...
的峰值功率玖院,轉(zhuǎn)換效率為 66% [2]菠红。下面將討論有關(guān)實(shí)驗(yàn)裝置、倍頻晶體和產(chǎn)生這些結(jié)果的聚焦條件的詳細(xì)信息难菌。這些基于 MgO:PPLN 的激光系統(tǒng)已被用于多種應(yīng)用试溯,包括超過(guò) 54 厘米的量子疊加演示 [3]、精密重力計(jì) [4]郊酒、用于 BEC 的雙物種原子干涉儀 [5] 和新的一種同時(shí)測(cè)量重力和磁場(chǎng)梯度的高精度傳感器 [6]遇绞。11W 780nm單次通過(guò)倍頻系統(tǒng)ANU 的 Quantum Sensors 和 Atom Laser Group 展示了 11.4W 窄線寬激光源 [1]。 Sané 等人在單程倍頻方案中使用 30W 1560nm 光纖激光器猎塞,得到了 6kHz 線寬 780nm 激光试读,倍 ...
兩位數(shù)的電光轉(zhuǎn)換效率。高性能LWIR器件的z大挑戰(zhàn)并不容易通過(guò)簡(jiǎn)單地?cái)U(kuò)展到適用于MWIR范圍內(nèi)的qcl的LWIR范圍解決方案來(lái)克服荠耽,盡管如此钩骇,通過(guò)使用應(yīng)變補(bǔ)償器件設(shè)計(jì)和制造方法,利用從高效MWIR QC激光器開發(fā)中獲得的知識(shí),已經(jīng)取得了一些重大進(jìn)展倘屹∫祝總體而言,開發(fā)高功率纽匙、高效率的LWIR qcl的方法可以與前幾年在實(shí)驗(yàn)和理論上中看到的MWIR發(fā)展進(jìn)行比較务蝠,盡管受到與LWIR操作相關(guān)的特殊挑戰(zhàn)的影響,例如長(zhǎng)波長(zhǎng)的自由電子光學(xué)損耗增加烛缔、子帶間增益降低馏段、光學(xué)約束減少、低功耗和低功耗等践瓷。更厚的半導(dǎo)體有源層導(dǎo)致更差的熱性能和更具有挑戰(zhàn)性的制造院喜,等等。值得注意的是晕翠,2001年Beck等人基于9.1μm i ...
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