可以被偏振光激發(fā)成“谷”枪孩，這是單層tmd在k空間中分離的直接帶隙躍遷。對這些谷偏振態(tài)的光學(xué)訪問模擬了OISO所需的選擇規(guī)則藻肄。谷的應(yīng)用創(chuàng)造了一個與自旋電子學(xué)平行的“谷電子學(xué)”蔑舞，其中基于谷的器件表現(xiàn)出“谷霍爾效應(yīng)”和強自旋谷鎖定，這有利于轉(zhuǎn)移以及信息的長期存儲嘹屯。在tmd中研究的另一個值得注意的特性是攻询，當(dāng)單層材料放入光學(xué)腔中時，會發(fā)生強烈的光-物質(zhì)相互作用州弟。lmountain等人利用光學(xué)Stark效應(yīng)對這一現(xiàn)象進行了實驗研究钧栖。這項工作顯示了在tmd中對極化(光態(tài))進行谷選擇控制的豐富潛力。這些激子-極化激子狀態(tài)在傳統(tǒng)半導(dǎo)體中已經(jīng)廣泛存在婆翔。因此拯杠，lmountain等人幫助進一步證明了谷和自旋之間的相關(guān) ...
, 1 mW激發(fā)光源下，低層InSe的光致發(fā)光隨時間的衰減啃奴。藍色是在空氣中潭陪，綠色是在真空中，紅色是在10k的真空中纺腊。右圖說明了在光照下導(dǎo)致InSe快速降解的三種化學(xué)過程:(I)氧化畔咧，(II)解離和(III)與水的相互作用。為了保護薄層銦不被降解揖膜，常用的技術(shù)是干封裝誓沸。該方法采用二維材料，如六邊形玻恩氮化物(hBN)或Gr作為頂層和底層壹粟，防止空氣和水分進入拜隧。西北大學(xué)的Hersam小組已經(jīng)證明了其他可行的方法來保護InSe免于衰變宿百。例如，用于光電器件加工的無表面活性劑洪添、低沸點垦页、脫氧共溶劑體系和使用原子層沉積的鋁封裝。由于他們的經(jīng)驗在銦硒樣品制備中干奢，制作了可行的薄樣品和器件痊焊，并進行了測量。用hBN干燥 ...
掃描樣品表面激發(fā)出背散射電子忿峻、二次電子和X射線等信號薄啥，然后對接受到的信號進行放大并顯示成像，實現(xiàn)對樣品形貌等的監(jiān)測逛尚。掃描電子微鏡顯具有操作簡單方便垄惧，得到的圖像清晰，zui大程度還原真實樣品形貌等優(yōu)點绰寞。通過掃描電子顯微鏡觀察Cu2O薄膜到逊，得到其表面形貌與顆粒尺寸等信息，從而對Cu2O薄膜有更加直觀了解滤钱。2.5.2成分分析得到的樣品薄膜通過X射線衍射譜儀掃描確定其成分觉壶。X射線是一種波長約為20到0.06?的電磁波，利用原子內(nèi)層的電子被高速運動的電子轟擊產(chǎn)生躍遷光輻射菩暗，從而產(chǎn)生氣體的電離掰曾、熒光物質(zhì)的發(fā)光以及照相乳膠感光等旭蠕。用電子束來轟擊金屬―靶‖材時將產(chǎn)生X射線停团，通過衍射圖譜的分析，可以獲得其成分掏熬、 ...
C材料的帶隙激發(fā)方面提供更為可靠和高效的工具佑稠。此外，349nm激光（3.55 eV）也被證明是替代351nm氬離子激光器的理想選擇旗芬。雖然單頻激光器在光致發(fā)光方面并非必需舌胶，但在拉曼光譜的研究中，其極窄的線寬或成為至關(guān)重要的因素疮丛。Ivanov教授解釋幔嫂，拉曼光譜需要激發(fā)激光的線寬小于0.1 ?，而這款349NX激光器的指定線寬為500 kHz誊薄，對應(yīng)于349 nm處的2×10-6?履恩，這大大滿足了實驗的要求。同時呢蔫，由于激光的相干長度超過了100米切心，這臺激光器也在其他應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色。該團隊還強調(diào)了349NX與傳統(tǒng)氣體激光器相比的幾個優(yōu)勢。首先绽昏，349NX激光器的發(fā)射在光譜上非常純凈协屡，僅在激光線附近可能存 ...
65作為熒光激發(fā)光源，并且基于Lumencor精確的電子控制系統(tǒng)全谤，可以快速調(diào)節(jié)光輸出的強度肤晓，設(shè)置為<20%的功率輸出。參考文獻Sdao S M , Ho T , Poudel C ,et al.CDK2 limits the highly energetic secretory program of mature β cells by restricting PEP cycle-dependent KATP channel closure[J].Cell Reports, 2021, 34(4):108690.DOI:10.1016/j.celrep.2021.108690.HuH-7人 ...
550nm)激發(fā)TX,TX又發(fā)射太赫茲輻射认然。四個OAPM和兩個偏振器P1,P2將太赫茲輻射引導(dǎo)到相機傳感器上(位于太赫茲TDS中RX的位置)材原。圖2：基于透鏡的成像的示意圖，TX的太赫茲發(fā)射在它到達樣品之前被一個硅透鏡準直季眷。為了抑制熱圖像余蟹，樣品被安裝在一塊特四氟乙烯薄膜上。使用距離目標平面600毫米以上的相機/鏡頭組合記錄透射輻射子刮。TX大致被放置在一個硅（Si）透鏡（f=25mm威酒，d=25mm）的焦點上，它對準了太赫茲發(fā)射器的發(fā)散輻射挺峡。透鏡和主成分分析之間的精確距離決定了照明區(qū)域的大小葵孤。大多數(shù)樣品被安裝在靠近準直透鏡的1mm厚的聚四氟乙烯片上，用于熱圖像抑制橱赠。如果這是不可能的尤仍，在樣品和相機之間放 ...
氙氣為介質(zhì)，激發(fā)產(chǎn)生波長為308 nm的激光脈沖狭姨，脈沖的頻率在25~80 Hz之間宰啦，一般穿透深度在50μm左右。ELCA主要通過以下3種機制對病變斑塊進行消融：（1）光-化學(xué)效應(yīng)：308 nm激光的光子能量大于很多組織結(jié)構(gòu)中分子鍵的能量饼拍，在光子作用下赡模，分子鍵被解離，使得一些組織成分松解师抄。（2）光-熱能效應(yīng)：光子的能量被血流中的細胞成分吸收漓柑，這種量級的能量足以使細胞的溫度明顯升高，進而產(chǎn)生包含水蒸氣的氣泡叨吮，高溫水蒸氣的熱能可以使周圍的斑塊組織軟化辆布、松解。（3）光-機械效應(yīng)：隨著包含水蒸氣的氣泡破裂茶鉴，產(chǎn)生的震蕩可以使導(dǎo)管前端的斑塊組織碎裂锋玲，這是ELCA將斑塊內(nèi)的組織分解成微小顆粒的主要機制。通過以 ...
激光zui大激發(fā)功率下記錄的蛤铜。而在較弱激勵水平下發(fā)現(xiàn)的映射顯示出均勻的空間行為(未示出)嫩絮，我們在這里觀察到輕微的空間變化丛肢。在接觸點和樣品邊緣附近的映射顯示zui小值，在(1.167±0.010eV)之間的映射顯示zui大值剿干。zui大值和zui小值的差值在系統(tǒng)誤差范圍內(nèi)蜂怎，但可以在7±2meV下相對評估。盡管發(fā)現(xiàn)了輕微的空間變化置尔，但我們注意到與同時測量的1.15V開路電壓很吻合杠步，驗證了接觸處Δμeff/q≈V的假設(shè)。這種空間變化可以用電接觸下的暗區(qū)或細胞邊緣的重組引起的側(cè)移來解釋榜轿。在 IPVF 開發(fā)的光譜和光度絕對校準程序的幫助下幽歼，可以確定樣品表面每個點在每個波長上發(fā)射的光子的絕對數(shù)量。這一獨特功 ...
谬盐，決定了熒光激發(fā)和收集效率20,21甸私。簡單的幾何計算表明，扁平切割光纖收集的信號量隨著與光纖面距離的增加而急劇減少飞傀。此外皇型，重新配置收集幾何形狀以達到多個區(qū)域是不可能的，因為改變光收集場需要重新定位光纖砸烦。此外弃鸦，扁平切割光纖的幾何形狀嚴重損害組織，在大腦中幢痘，甚至在植入后很長一段時間內(nèi)唬格，也會誘導(dǎo)裝置周圍的神經(jīng)膠質(zhì)激活22,23。盡管如此颜说，平劈光纖被廣泛用于評估腦深部區(qū)的神經(jīng)活動3,11-19购岗。在這里，我們提出了一種克服這些限制的方法:我們利用TF中光傳播的模態(tài)特性在錐度的大光學(xué)活性區(qū)域上構(gòu)造光收集模式并進入更深的細胞脑沿。除了比扁平切割光纖22具有更小的侵入性外藕畔，TF探針還具有獨特的光收集特征马僻，包括:( ...
指材料被激光激發(fā)后庄拇，發(fā)出熒光持續(xù)的時間。在FLIM設(shè)備中韭邓，一個特定波長的激光被用來激發(fā)微塑料樣本措近。樣本吸收激光能量后發(fā)出熒光，熒光的衰減過程被高速SPAD探測器捕捉女淑，通過分析這些熒光衰減的時間特性瞭郑，可以區(qū)分出不同種類的塑料。這一技術(shù)的關(guān)鍵優(yōu)勢在于其非侵入性和高時間分辨率鸭你，能夠在不破壞樣品的情況下進行快速識別屈张。FLIM系統(tǒng)通過分析不同物質(zhì)的熒光壽命特征擒权，構(gòu)建了一種高效的識別模式，可廣泛應(yīng)用于環(huán)境監(jiān)測和科學(xué)研究阁谆。此外碳抄，這種技術(shù)還可以與其他光學(xué)和化學(xué)方法結(jié)合，如光譜分析场绿，以提高檢測的靈敏度和準確性剖效。FLIM技術(shù)的進一步應(yīng)用包括其在復(fù)雜環(huán)境中的實地使用，如監(jiān)測海洋和淡水環(huán)境中的微塑料污染焰盗，為環(huán)境保護提 ...
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