C模塊是一個(gè)光纖耦合進(jìn)入的25px氧化鎂摻雜鈮酸鋰（MgO:PPLN）波導(dǎo)仪吧，具有18.3μm周期。上轉(zhuǎn)換的脈沖在769nm處具有243 GHz（0.48nm）的全寬半高帶寬鞠眉。鎖模激光器（Pritel UOC）的脈沖通過80ps延遲線干涉儀分成兩束薯鼠，然后在二次諧波生成+摻鉺光纖放大器（SHG + EDFA）模塊中進(jìn)行上轉(zhuǎn)換和放大择诈。來自SHG模塊的短PM光纖連接到一個(gè)非線性晶體（Mgo:PPLN），通過自發(fā)參量下轉(zhuǎn)換（SPDC）生成光子對(duì)出皇。粗波分復(fù)用（CWDM）模塊將光子對(duì)的光譜分離成8個(gè)13nm寬的波段羞芍，分別圍繞1530和1550nm，對(duì)應(yīng)于信號(hào)和閑置光子郊艘。信號(hào)和閑置光子分別被引導(dǎo)到Bob和Al ...
. 激光器是光纖耦合的荷科，可以通過光纖插入到D7主機(jī)插座上選擇單元。3. 所有的激光器都是永久插入纱注，光源選擇可以從一種波長切換到另一種波長畏浆。可選波長范圍為VIS和NIR范圍狞贱，或?yàn)槊總€(gè)波長刻获。2.測試參數(shù)及準(zhǔn)確性部分1. 測試參數(shù)包括波前通過視場，通過光譜范圍(從可見光到近紅外)斥滤，孔徑像差-球面像差将鸵，彗差，像散;場像差-失真佑颇，場曲率;色差-波前色差，橫向和軸向色差等草娜。2. 通過物鏡挑胸、針孔單元和D7干涉儀的精確線性運(yùn)動(dòng)來測試視場。3. 檢測精度如下表所示：3.畸變校正1. DifroMetric軟件導(dǎo)出/導(dǎo)入數(shù)據(jù)傳輸為標(biāo)準(zhǔn)光學(xué)設(shè)計(jì)軟件(ODS)宰闰。2. 物鏡的測量像差可用澤尼克條紋系數(shù)表示茬贵。3. 實(shí)測像 ...
此可以實(shí)現(xiàn)高光纖耦合功率幅值。頻譜顯示單模工作移袍，側(cè)模抑制比在滾轉(zhuǎn)電流下超過40dB解藻。圖1 (a)短腔VCSEL截面示意圖(b)25°C和80°C時(shí)的l-i特性；25℃下的光譜葡盗，IDC=14mA(c)室溫下不同電流下的小信號(hào)調(diào)制響應(yīng)當(dāng)電流IDC=12.4mA時(shí)螟左，達(dá)到3db截止頻率為17GHz小信號(hào)和大信號(hào)調(diào)制性能S參數(shù)測量采用中描述的設(shè)置。圖1.c)繪制了室溫工作時(shí)s21參數(shù)過調(diào)制頻率觅够。在本征和熱阻尼可以忽略不計(jì)的低電流狀態(tài)下觀察到明顯的共振峰胶背，從而揭示了優(yōu)異的器件寄生性。寄生截止頻率高達(dá)23GHz喘先。在接近熱滾轉(zhuǎn)的偏置電流中钳吟，3dB截止頻率達(dá)到17GHz，由于熱阻尼和固有阻尼的增加窘拯，共振得到了強(qiáng) ...
OSA模塊的光纖耦合效率通常在50%左右红且。圖2 L-I-V的特點(diǎn)閾值電流在20°C和80°C時(shí)保持恒定在2.7mA坝茎，因?yàn)檫@些光通信器件針對(duì)高溫性能進(jìn)行了優(yōu)化。差分串聯(lián)電阻約為30Ω暇番，與驅(qū)動(dòng)模塊的傳輸線匹配良好景东。1.33μm的單模光譜如圖3所示。在相關(guān)電流和溫度范圍內(nèi)奔誓，側(cè)模抑制比至少為40dB斤吐。圖3 光譜在芯片級(jí)驗(yàn)證了小信號(hào)調(diào)制性能，如圖4所示厨喂。對(duì)VCSEL芯片進(jìn)行了不同偏置電流下的小信號(hào)頻響測量和措。實(shí)線符合三極濾波函數(shù)，包括弛豫振蕩頻率蜕煌、本征阻尼和寄生派阱。曲線擬合允許提取調(diào)制電流效率因子和熱限制zui大松弛振蕩頻率等幾個(gè)固有參數(shù)。室溫時(shí)帶寬超過10Ghz斜纪，80℃時(shí)帶寬降至7.5GHz贫母，足以滿足10 ...
光柵耦合器從光纖耦合到波導(dǎo)中。耦合到芯片上的光通過多模干涉器（MMI）耦合器平均分配到馬赫-曾德爾（MZ）調(diào)制器的兩個(gè)臂上盒刚。馬赫-曾德爾（MZ）調(diào)制器中每個(gè)臂的長度為6mm腺劣。然后，馬赫-曾德爾調(diào)制器的兩個(gè)臂中的光再次通過多模干涉器耦合器合并因块，并使用第二個(gè)光柵耦合器耦合到輸出光纖橘原。切割后的設(shè)備的總長度和寬度分別為6.5mm和0.7mm。圖3中的布局是使用電子束光刻寫的涡上，圖案通過RIE/ICP刻蝕轉(zhuǎn)移到我們的混合SiN/LN平臺(tái)上趾断。圖3中的布局還顯示了攜帶射頻信號(hào)的調(diào)制電極。圖3給出了馬赫-曾德爾（MZ）調(diào)制器的布局和加工切塊芯片的圖像2.2 低頻特性圖4(a)顯示了光通過兩個(gè)光柵耦合器（即光纖到 ...
個(gè)光隔離器和光纖耦合器吩愧。圖2顯示了高速1.55um埋地隧道結(jié)VCSEL TOSA模塊隨溫度變化的輸出特性芋酌。該模塊用于數(shù)據(jù)傳輸實(shí)驗(yàn)，在室溫下提供1.1mW的光纖耦合單模連續(xù)波輸出功率雁佳，在80℃時(shí)提供0.4mW的輸出功率脐帝，并且具有較低的閾值電流。如圖所示甘穿，光譜是高度單模態(tài)的腮恩。圖2 高速1.55um VCSELTOSA模塊的光輸出電流-電壓（L-I-V）特性圖中給出的單模頻譜更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商，產(chǎn)品包括各類激光器温兼、光電調(diào)制器秸滴、光學(xué)測量設(shè)備、光學(xué)元件等募判，涉及應(yīng)用涵蓋了材料加工荡含、光通訊咒唆、生物醫(yī)療、科學(xué)研究释液、國防全释、量子光學(xué) ...
能量監(jiān)測器、光纖耦合器等）误债。公司正致力于將DPSS激光技術(shù)應(yīng)用于脈沖能量高達(dá)200 mJ浸船、脈沖重復(fù)率相對(duì)較低（通常在10-100 Hz范圍內(nèi)）的應(yīng)用。QLI的關(guān)鍵創(chuàng)新是將無水激光晶體冷卻技術(shù)與激光二極管端面泵浦相結(jié)合寝蹈。無水導(dǎo)致了單箱李命、緊湊、用戶友好的交鑰匙激光器箫老，幾乎不需要維護(hù)封字。無需制冷機(jī)或笨重的電源。唯yi的外部模塊是電源適配器耍鬓。公司的諧波發(fā)生器正在產(chǎn)生低至211或213納米的深紫外線輻射阔籽。Q-TUNE系列光參量振蕩器可提供210-4500 nm范圍內(nèi)的可調(diào)諧波長輸出。Quantum Light Instruments牲蜀，Ltd.是一家以市場為導(dǎo)向的公司笆制。傾聽客戶的意見，并提供滿足和超越期望的 ...
互干擾并通過光纖耦合器到達(dá)探測器各薇。信號(hào)處理器獲得表示兩束光束之間路徑長度差的信號(hào)项贺。OCT形式：OCT有不同的模式:時(shí)域OCT (TD-OCT)、傅里葉域OCT (FD-OCT)峭判、譜域OCT (SD-OCT)和掃源OCT (SS-OCT)。傳統(tǒng)的OCT使用紅外范圍內(nèi)的照明光源棕叫，這樣光在組織中傳播得更快林螃。一種OCT模式是TD-OCT，如圖1所示俺泣。調(diào)整參考臂長疗认，利用反射光在光電探測器上的干涉所產(chǎn)生的強(qiáng)度來獲得樣品的反射率分布。為了克服物理移動(dòng)參考臂的需要伏钠，并獲得樣品的光譜信息横漏，創(chuàng)建了傅里葉域或譜域OCT。在第二種方法中熟掂，用光譜儀代替TD-OCT檢測器缎浇，觀察干涉后反射光的光譜圖，然后利用其傅里葉變換獲 ...
測試赴肚，高效的光纖耦合（由于圓對(duì)稱高斯光束分布）素跺，更短的腔長實(shí)現(xiàn)更大的自由光譜范圍（FSR）二蓝，以及更容易的MEMS集成。然而指厌，在沒有任何外部機(jī)制的情況下刊愚，這些激光器的熱可調(diào)諧范圍只有幾納米。在通信波長周圍具有寬踩验、連續(xù)和無模跳調(diào)諧的特性在很大程度上增強(qiáng)了這些VCSEL的適用性鸥诽。廣泛可調(diào)諧VCSELs非常需要的一些應(yīng)用是長程可重構(gòu)波分多路無源光網(wǎng)絡(luò)（WDM-PON）系統(tǒng)，高性能計(jì)算機(jī)中的互連和數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)箕憾。由于WDM-PON系統(tǒng)的物理基礎(chǔ)設(shè)施要求每個(gè)光網(wǎng)絡(luò)單元都有一個(gè)特定波長的激光源牡借，因此總體成本相對(duì)較高。低成本厕九、可廣泛調(diào)諧的VCSEL可用于備用蓖捶、熱備份和固定波長激光替換等應(yīng)用，以減少庫存扁远。所謂的無 ...
滾轉(zhuǎn)俊鱼，對(duì)應(yīng)于光纖耦合的Max輸出功率為1.42mW。在整個(gè)電流工作范圍內(nèi)畅买，器件上的電壓降保持在1.84V以下并闲，表明器件中的串聯(lián)電阻較低。閾值電壓在室溫下為1.15V谷羞，是衡量異質(zhì)勢壘處電壓降的一個(gè)很好的指標(biāo)帝火。圖5 研究了直徑為14μm的BTJMEMSVCSEL在1550nm處發(fā)光的光電流電壓特性。閾值電流和滾轉(zhuǎn)分別為5.8mA和32mA測量的SMSRs湃缎、閾值電流犀填、Max輸出功率和不同調(diào)諧波長對(duì)應(yīng)的滾轉(zhuǎn)電流如圖6所示。與固定波長VCSEL相比嗓违，由凹頂MEMSDBR九巡、可變氣隙、半VCSEL半導(dǎo)體部分和平底DBR實(shí)現(xiàn)的平凹諧振腔幾何結(jié)構(gòu)具有較高的諧振腔穩(wěn)定性蹂季，并且產(chǎn)生更大的束腰冕广。據(jù)此設(shè)計(jì)了半VCSEL ...
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