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單晶鐵石榴石YIG球體和立方體
單晶釔鐵石榴石YIG薄膜
注意到，傳統(tǒng)磁光材料存在一些固有的問題黔夭，這些問題阻礙了它們在過去幾十年乃至今天的繼續(xù)使用。例如胳嘲，人們注意到扣草，在熱磁寫入過程中，當一個域被寫入時颜屠，似乎會發(fā)生結構相變辰妙。當這種情況發(fā)生時，薄膜的局部寫入?yún)^(qū)從具有較大磁光效應的低溫相轉變?yōu)榫哂腥醮殴庑拇慊鸶邷叵?圖3)甫窟。不幸的是，這種亞穩(wěn)猝滅過程在幾個讀/寫周期后導致磁光信號顯著下降尔破。因此，為了避免結構過渡到高溫相懒构，需要更多的熱力學穩(wěn)定的磁光材料。例如胆剧，通過將高磁光活性材料(如MnBi)與熱力學穩(wěn)定的化合物(如MnSb)結合，可以獲得優(yōu)越的磁光性能篙悯。因此铃绒，對MnBi1-xSbx，0≤x≤0.4移宅，表明只有Mn含量超過50%的化合物才表現(xiàn)出良好的磁光性 ...
到其他類型的磁光材料椿疗。例如漏峰，可以利用法拉第效應分析更薄、更透明的薄膜届榄。MOKE還可以用于在薄膜上進行磁寫入，如圖1a, b所示铝条。因此靖苇，可以用磁探針的兩端具有不同磁極性的磁探針尖端來寫入薄膜，因此用探針的一端寫入時顯示為暗班缰，而用另一端寫入時顯示為亮贤壁，這取決于各自區(qū)域的磁化方向。當然埠忘，整個過程與磁疇磁光觀測在相同的實驗條件下進行脾拆，即垂直于薄膜表面發(fā)射偏振光莹妒，同時使用光學分析儀進行光檢測。還應該注意的是渠驼，在這個例子中迷扇，整個薄膜垂直于表面磁化百揭，為了使書寫不容易受到雜散場的干擾信峻，薄膜必須具有很高的矯頑力瓮床。通過使垂直于表面的薄膜飽和或退磁，可以擦除薄膜上的文字踢步。關于從薄膜上擦除磁性信息的一個有趣的建議涉及 ...
關获印。根據(jù)光與磁光材料相互作用方式的不同以及光與磁光材料相互作用產(chǎn)生的光學各向異性兼丰，磁光效應又分為法拉第效應、磁線陣雙折射唆缴、塞曼效應鳍征、磁光克爾效應等。（１）磁光法拉第效應磁光法拉第效應又稱磁光旋光效應面徽，是指當一束線偏振光從磁光材料沿磁場方向透射時艳丛，由于材料折射率的不同，磁光材料中的左旋和右旋偏振光趟紊，即偏振面相對于入射光的偏振面偏轉一定角度的一種磁光現(xiàn)象氮双。法拉第效應產(chǎn)生的根本原因是磁光材料中的電子等磁性粒子發(fā)生光學躍遷。在磁場的作用下霎匈，這種躍遷使得在磁光材料內部傳輸?shù)淖笮龍A偏振光和右旋圓偏振光產(chǎn)生一定的色散差戴差，導致zui終透射光的偏振面相對入射光旋轉了一定角度。（２）磁線振雙折射當一束線偏振光以垂 ...
：磁矩方向與磁光材料表面垂直的極向克爾效應铛嘱；磁矩方向同時平行于磁光材料表面和光線入射面的縱向克爾效應暖释；磁矩方向與磁光材料表面平行但與光線入射面垂直的橫向克爾效應。其中極向克爾效應即樣品的磁化強度矢量垂直于樣品表面弄痹，并且處在偏振光的入射面內饭入，通常用來表征具有垂直磁各向異性的樣品「卣妫縱向和橫向克爾效應的樣品磁化強度矢量都平行于樣品表面，因此它們被用來表征具有面內磁各向異性的樣品爽航。同時蚓让，一般來講乾忱，極向克爾效應的信號一般要比縱向克爾效應的信號大一個數(shù)量級，因此磁光克爾效應在表征垂直各向異性較強的樣品時更有優(yōu)勢历极。對于面內各向異性較強的樣品來說窄瘟，由于橫向的克爾效應的反射光的偏振面不發(fā)生變化，只有光強發(fā)生變化 ...
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