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(DMD)、多量子阱空間光調制器以及聲光調制器等蟆炊。還可以用紫外光刻來制作特定的衍射光學元件來調制光場』颍現(xiàn)在用的較多的是由計算機尋址的液晶空間光調制器實現(xiàn)全息元件，通過改變全息元件就可以使得所形成的光阱作動態(tài)變化涩搓。在計算機出現(xiàn)之前污秆，需要采用激光全息的方法形成有限形狀的全息圖。目前在計算機的輔助下昧甘，可以實現(xiàn)任意形狀的全息圖混狠。不過，每實現(xiàn)一種新設計的光阱疾层，都需要重新計算相應的全息圖将饺。隨著計算機速度的不斷刷新以及新的算法的出現(xiàn)，在一般的科研實驗室已經可以很容易實現(xiàn)任意形狀的全息光鑷痛黎。原則上全息光鑷可以產生任意形狀予弧、大小、數量的光阱湖饱。通過改變捕獲光的相位分布掖蛤，可以使捕獲粒子在光阱中按設定的路線運動，為實 ...
通過在半導體多量子阱異質結構的重復堆棧中使用子帶間躍遷實現(xiàn)的井厌。這個想法是由R.F. Kazarinov和R.A. Suris在1971年的論文“用超晶格在半導體中放大電磁波的可能性”中提出的蚓庭。在塊狀半導體晶體中，電子可能占據兩個連續(xù)能帶中的一個——價帶仅仆，其中大量填充著低能電子器赞；導帶，其中少量填充著高能電子墓拜。這兩個能帶被一個帶隙隔開港柜，在這個帶隙中沒有允許電子占據的狀態(tài)。傳統(tǒng)的半導體激光二極管，當導帶中的高能量電子與價帶中的空穴重新結合時夏醉，通過單個光子發(fā)出光爽锥。因此，光子的能量以及激光二極管的發(fā)射波長由所使用的材料系統(tǒng)的帶隙決定畔柔。然而氯夷，QCL在其光學活性區(qū)不使用塊半導體材料。相反靶擦，它由一系列周期性的 ...
質頂部涂層的多量子阱SESAM肠槽，獲得高飽和通量Fsat=142?J/cm2，調制深度?R=1.1%奢啥。(b)激光輸出功率和脈沖持續(xù)時間隨總泵浦功率的變化秸仙。圖1(a)顯示了我們的自由運行雙光頻梳激光腔的布局。我們使用多模泵浦二極管和端泵浦腔結構桩盲，類似于我們之前報道的偏振復用雙梳狀激光器的配置[20,21]寂纪。然而，與過去的報道相反赌结，在有源元件捞蛋，即增益晶體和半導體飽和吸收鏡(SESAM)上的空間分離是通過插入一個具有高度反射涂層的雙棱鏡來獲得的。通過使用一個頂角179°的雙棱鏡柬姚，我們獲得了在增益介質上模式分離1.6 mm和在SESAM上模式分離1 mm拟杉。圖1(b)顯示了掃描泵浦功率時單個光梳的性能。該 ...
P材料體系的多量子阱激光器量承。該器件設計的核心是采用再生n摻雜InP材料的光刻定義的埋藏隧道結（BTJ）搬设。這種結構提供了電約束，減少了熱量的產生撕捍，在高溫下實現(xiàn)了出色的直流和射頻性能拿穴。這種激光器使用兩個介電DBR反射鏡，而不是在VCSELs中傳統(tǒng)使用的半導體反射鏡忧风。介質材料之間的大折射率差使得實現(xiàn)具有高反射率的極薄dbr成為可能默色。隨后，激光器具有非常短的諧振腔狮腿，約為2.5μm腿宰。這種短腔設計，加上對外延結構缘厢、臺面尺寸和鍵合板電容等性能的精心優(yōu)化吃度，有助于Max限度地提高高達18 GHz的射頻性能。結合低閾值電流昧绣，器件能夠以28 Gb/s或更高的速率直接調制规肴。VCSEL輸出處的光學眼圖如圖1 (b)所示 ...
到非常尖銳的多量子阱界面捶闸，對襯底溫度夜畴、界面切換機制拖刃、生長速率、V/III比等生長參數進行了迭代生長條件優(yōu)化贪绘。雖然還沒有完全解釋兑牡，界面粗糙度肯定在QCL性能的定義中起作用。模擬和實測x射線衍射曲線對比如圖1所示税灌。測量是在用于MWIR QCL設計的InGaAs/InAlAs多層材料上進行的均函，生長應變分別為~ 1%的拉伸/壓縮應變平衡×獾樱總的來說苞也，需要在完整的結構中實現(xiàn)少量的殘余應變，并且x射線圖中的衛(wèi)星峰需要窄才能認為材料質量好粘秆。仿真曲線與實驗曲線吻合較好控制生長參數如迟。用極化子C-V測試來監(jiān)測結構中的摻雜情況。采用高分辨率掃描電子顯微鏡（SEM）和諾瑪斯基顯微鏡（Nomarski microscop ...
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