第發(fā)表了他對線偏振光在平行介質中傳播時旋轉的觀察磁場像吻。1923年峻黍，Robert W. Wood和Alexander Ellett發(fā)表了關于汞原子在橫向磁場中發(fā)光去極化的觀測結果。前者被稱為法拉第效應萧豆，后者被稱為漢勒效應奸披。在前人的研究和Alfred Kastler的工作基礎上，R.R Parson在20世紀60年代末證明了III-V型半導體GaSb中的光誘導自旋取向涮雷。Alfred Kastler幫助確立了氣體中光誘導自旋極化的基本原理阵面。這是通過一個非常簡單的測量來完成的，用圓形偏振光泵浦洪鸭，測量圓形發(fā)光样刷。1971年，克勞迪·赫爾曼和喬治·蘭佩爾用偏振光和磁場測量了GaSb中電子的自旋進動览爵。這兩項關 ...
磁光效應的物理機理從1845 年法拉第效應被發(fā)現(xiàn)至今置鼻，為人們所熟知的磁光效應大致有法拉第 效應，克爾效應和塞曼效應等蜓竹。法拉第效應如上邊所說箕母，是指偏振光在經(jīng)過有 磁性的樣品且透射穿過樣品后，透射光的偏振面相對于入射偏振光發(fā)生一定角度 的偏移的現(xiàn)象俱济。其產(chǎn)生的根本原因嘶是，從光學上來講，就是左旋偏振光和右旋偏振 光在磁性材料中折射率不同蛛碌，從而使得兩種偏振光在磁性樣品中傳播的過程中產(chǎn) 生了光程差聂喇，進而產(chǎn)生相位差，從樣品中出射后兩種偏振光合成的透射光就表現(xiàn) 為偏振面較入射光來講發(fā)生了一定角度的偏轉蔚携。塞曼效應是指在外磁場中希太，光源發(fā)出的光的各能級譜線在磁場下進一步分裂 成更多條，并且分裂出的各譜線的間隔和外磁場 ...
場的情況下酝蜒，線偏振光(σo)可以激發(fā)載流子種群誊辉。當這個種群松弛時，每個載流子都有相同的機會落在任意一個自旋狀態(tài)亡脑，因為這些狀態(tài)在能量上是簡并的芥映。這導致沒有凈自旋不平衡(無Polz)，并表現(xiàn)為等量的圓極化發(fā)射(σ+(?))远豺。當施加磁場時，由于塞曼效應坞嘀，自旋能級被分裂躯护，導致自旋能級在能量上分離(塞曼)。當這種情況發(fā)生時丽涩，更多的載流子將放松到能量較低的自旋態(tài)棺滞。這就產(chǎn)生了相反螺旋度的發(fā)射PL之間的強度差異裁蚁。然而，這兩個都不是自旋的取向是由偏振光和自旋的耦合驅動的继准。如果在沒有磁場存在的情況下枉证，圓偏振光入射產(chǎn)生凈自旋不平衡，并且在初始快速弛豫后可以觀察到圓發(fā)射之間的強度差異移必，則自旋優(yōu)先定向到一個自旋狀態(tài)室谚。在 ...
z，發(fā)出的是線偏振光崔泵。為了防止背反射導致系統(tǒng)不穩(wěn)定或激光器損壞秒赤，激光首先通過一個光隔離器(Optical Isolator)。接下來憎瘸，激光通過一個由1/2波片(1/2 Waveplate)和偏振分束器(Polarizing Beam Splitter)組成的分光結構入篮，分為兩束：泵浦激光和探測激光。1/2 波片可以用來調節(jié)泵浦探測兩路的分光比例幌甘。泵浦激光路徑：①泵浦激光經(jīng)過一臺美國ConOptics公司的電光調制器(Electro-Optic Modulator, EOM)潮售，其強度被加載ωr頻率的調制，ωr同時也作為鎖相放大器的參考信號使用锅风。②泵浦激光隨后經(jīng)過BBO晶體進行倍頻酥诽，經(jīng)過晶體之后，激 ...
態(tài)的光遏弱，包括線偏振光盆均、圓偏振光、橢圓偏振光等漱逸，覆蓋所有可能的偏振態(tài)泪姨。它通常結合了多個光學元件，如偏振器饰抒、波片肮砾、旋光器和相位調制器等，通過調節(jié)這些元件可以靈活地控制和產(chǎn)生各種偏振態(tài)袋坑。全偏振發(fā)生器的實現(xiàn)方案有多種仗处，如基于波片、電光調制器枣宫、聲光調制器婆誓、旋光材料、矢量光束等的方案也颤，本文我們著重介紹幾種基于波片的方案洋幻。1.旋轉起偏器和1/4波片產(chǎn)生全偏振態(tài)如圖1所示為旋轉起偏器和1/4波片產(chǎn)生全偏振態(tài)的示意圖,它包括一個可旋轉的起偏器P,它的透光軸位于角度θ處;一個可旋轉的1/4波片R,其慢軸方向位于角度φ處,這一裝置也稱作塞拿蒙(Sénarmont)補償器。1/4波片前后表面的偏振電場矢量分別用E和E ...
個正交方向的線偏振光敏感翅娶。微絨毛在兩個半球之間旋轉45°文留，用于分析偏振光的四個e矢量方向好唯。(b)對數(shù)偏振成像儀框圖。該成像儀由384 × 288像素陣列組成燥翅，其中每個光電二極管完全由納米線偏振濾波器覆蓋骑篙。(c)對數(shù)有源像元示意圖。光電二極管正向偏置森书，通過對數(shù)壓縮光電二極管在輸出電壓下的電流來實現(xiàn)高動態(tài)范圍靶端。(d)納米線偏振濾光片的掃描電子顯微照片。構成每個像素濾波器的納米線高250nm拄氯，寬75nm躲查，占空比為50%。比例尺為20 μm译柏。為了解決當前偏振成像儀的這些缺點镣煮，本文設計，制作并檢測了基于螳螂蝦視覺系統(tǒng)的高動態(tài)范圍偏振儀（圖 1 ）鄙麦。與有源像素傳感器相比典唇，單個像素中的光電二極管在反向偏置模 ...
的偏振軸發(fā)射線偏振光胯府。發(fā)射波長為1.5μm介衔，3dB調制帶寬為18GHz。具體VCSEL特性的詳細描述可以在中找到骂因⊙卓В考慮到VCSEL的帶寬和多級PAM的性能，我們在實驗中選擇了3-PAM寒波，每個極化每個符號攜帶1.585（）比特乘盼，對應于使用極化分復用時每個符號攜帶3.17比特。在33.35-Gbaud時俄烁，原始線路速率為105.7195 Gb/s绸栅。使用3位高速數(shù)模轉換器（DAC）的2位產(chǎn)生3級33.35Gbaud信號，該信號由具有33.35Gb/s215-1偽隨機位序列（PRBS）的模式發(fā)生器的D和的48個符號延遲去相關版本饋送页屠。來自DAC的驅動信號的峰對峰幅度約為800mV粹胯。沒有使用額外的驅動器/ ...
制過程中，當線偏振光沿光纖的一個特征軸傳輸時辰企，部分光信號會耦合進入另一個與之垂直的特征軸风纠，z終造成出射偏振光信號偏振消光比的下降，從而影響了雙折射效應牢贸。二议忽、保偏光纖的制造及其原理從產(chǎn)生的機理來看，雙折射主要分為3類：(1)形狀雙折射：電介質材料幾何形狀的各向異性,導致材料的介電常數(shù)ε(r)和材料的導磁率μ(r)的各向異性,將引起材料折射率n(r)的各向異性十减。(2)應力雙折射：主要指來自材料內部的熱應力和材料外部的機械應力,材料在受到應力引起材料折射率的變化即彈光效應而產(chǎn)生雙折射栈幸。(3)外界電磁場引起的雙折射：橫向電場在光纖中引起的克爾(Kerr)效應會產(chǎn)生線雙折射,縱向磁場在光纖中引起的法拉第 ...
rs）通過對線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振、橢圓偏振帮辟、線偏振等狀態(tài)之間井進行變化速址，同時光彈調制器（PEM）還可以使光在左旋、右旋兩種狀態(tài)之間進行切換由驹。光彈調制器對比聲光調制器芍锚、電光調制器、液晶調制器的獨特之處包括：非常大通光孔徑（15到30mm蔓榄，標準）并炮，同時保持很高的調制器頻率超大接受角度（市場角）范圍（+/- 20°）波長覆蓋范圍大（170nm~10um，F(xiàn)IR~THZ）高損傷閾值可精確控制相位延遲 ...
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