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的核心之一，極紫外光刻技術(shù)作為新一代光刻技術(shù)也處于快速發(fā)展階段忘瓦。其基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學(xué)反應(yīng)而形成耐蝕性的特點(diǎn)搁廓，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。光刻半導(dǎo)體芯片二氧化硅的主要步驟包括涂布光致抗蝕劑耕皮、套準(zhǔn)掩模板并曝光境蜕、用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護(hù)的二氧化硅層凌停，以及去除已感光的光致抗蝕劑層粱年。在光刻系統(tǒng)中，激光的指向穩(wěn)定非常重要罚拟，會(huì)直接影響光刻的圖形準(zhǔn)確性和一致性台诗。影響光束指向穩(wěn)定的主要因素有三個(gè)完箩，分別是激光器本身的位置偏移，處于不同基座上的激光器和照明系統(tǒng)之間的振動(dòng)差異性以及傳輸過程中的光學(xué)系統(tǒng)的擾動(dòng)拉队。這些擾動(dòng)會(huì)對(duì)光刻的質(zhì)量造成嚴(yán) ...
193nm紫外波前傳感器（512x512高相位分辨率）助力半導(dǎo)體/光刻機(jī)行業(yè)發(fā)展！摘要：昊量光電聯(lián)合法國Phasics公司推出全新一代193nm高分辨率（512x512）波前分析儀!該波前傳感器采用Phasics公司技術(shù)-四波橫向剪切干涉技術(shù)粱快，可以工作在190-400nm波段秩彤，消色差，具有2nm RMS的相位檢測靈敏度事哭，能夠精確測量紫外光波前的細(xì)微變化漫雷。SID4-UV-HR 紫外波前分析儀非常適合紫外光學(xué)元件表征（DUV光刻、半導(dǎo)體等領(lǐng)域）和表面檢測（透鏡和晶圓等）鳍咱。193nm 紫外波前傳感器（512x512 高相位分辨率）在半導(dǎo)體/光刻機(jī)行業(yè)中具有重要作用珊拼。該傳感器具有高分辨率，消色差流炕，對(duì)震 ...
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