中文：馬赫-曾德爾調(diào)制器叠必；英文：Mach-Zehnder modulator / MZM

調(diào)制器和波導(dǎo)馬赫-曾德爾調(diào)制器已被用于檢測射頻e場疚漆。具有高品質(zhì)因數(shù)的光環(huán)諧振器可以提高傳感器的靈敏度，但測量帶寬(BW)將受限于微環(huán)諧振器的帶寬波導(dǎo)馬赫曾德爾調(diào)制器具有較高的帶寬，但體積大娶聘，空間分辨率低另外闻镶，塊狀晶體可用于測量電場，其長達(dá)幾毫米丸升，可以達(dá)到0.1 V/(m Hz1/2)的靈敏度水平铆农。薄膜鈮酸鋰(TFLN)器件zui近被用于光學(xué)調(diào)制器、微波移頻器狡耻、梳狀發(fā)生器和各種其他光子器件功能墩剖。提出了基于TFLN技術(shù)的電磁場傳感器。在給定電場與光信號(hào)相互作用長度的情況下夷狰，電場傳感器靈敏度的優(yōu)劣值與r/ε成正比岭皂，其中r為電光系數(shù)，ε為電光材料的射頻介電常數(shù)孵淘。對(duì)于TFLN傳感器蒲障，由于薄膜層的體積比襯 ...

藝。為了扭轉(zhuǎn)馬赫-曾德爾調(diào)制器單臂自發(fā)電極化的方向瘫证，將器件浸入硅油中揉阎，并在電極上施加高于鈮酸鋰矯頑力場(~ 22 kV/mm)的電場。電極去除后背捌，使用電子束光刻技術(shù)對(duì)電光太赫茲波傳感器的光學(xué)電路進(jìn)行圖像化毙籽，并通過鈮酸鋰層的干蝕刻形成。光纖V型槽陣列隨后被對(duì)準(zhǔn)并連接到器件上以實(shí)現(xiàn)光纖耦合毡庆。該裝置插入塑料外殼中以保護(hù)光纖(圖1d)坑赡。在工作波長λ = 1550 nm處，器件的光插入損耗為- 13 dB么抗。在參考文獻(xiàn)38 - 41中解釋了制造過程和器件結(jié)構(gòu)的更多細(xì)節(jié)毅否。通過測量LNOI電光電場傳感器對(duì)100 kHz振蕩電場的響應(yīng)，對(duì)LNOI電光電場傳感器的基本功能進(jìn)行了測試和驗(yàn)證蝇刀。測得探測器的靈敏度為2. ...

利用等離子體馬赫-曾德爾調(diào)制器和等離子體環(huán)形諧振器調(diào)制器分別在1528 nm和1285 nm處進(jìn)行了數(shù)據(jù)實(shí)驗(yàn)螟加，證明了低溫電光信號(hào)轉(zhuǎn)換速度可達(dá)160 Gbit/s和256 Gbit/s。這項(xiàng)工作表明吞琐，等離子調(diào)制器非常適合未來在低溫環(huán)境中高速捆探、可擴(kuò)展和節(jié)能的光子互連。2.用于未來RoF系統(tǒng)的全無源亞太赫茲對(duì)光接收機(jī)的等離子體片上天線（Plasmonic On-Chip Antenna Enabling Fully Passive sub-THz-to-Optical Receiver for Future RoF Systems）站粟，H. Ibili, et al (OFC, 2024)摘要：我們演 ...

作的等離子體馬赫-曾德爾調(diào)制器組成黍图。該裝置的示意圖如圖1(a)所示。等離子體馬赫-曾德爾調(diào)制器的兩個(gè)臂上有等離子移相器奴烙，每個(gè)槽寬為130nm助被，長度為15um剖张。等離子體馬赫-曾德爾調(diào)制器通過光柵耦合器實(shí)現(xiàn)與光子集成電路(PIC)芯片的光學(xué)耦合。為了方便光學(xué)對(duì)準(zhǔn)恰起，使用與低溫兼容的環(huán)氧膠將光纖陣列(FA)粘附到PIC上修械。等離子體馬赫-曾德爾調(diào)制器具有兩臂之間的不平衡，引入了一個(gè)固定的相移检盼。這允許在不需要電學(xué)調(diào)節(jié)的情況下調(diào)整調(diào)制器的工作點(diǎn)，例如通過熱光相移器翘单，避免了給低溫恒溫器增加額外的熱負(fù)載吨枉。相位調(diào)制是利用有機(jī)電光(OEO)材料的線性電光效應(yīng)實(shí)現(xiàn)的。OEO材料已被證明在4.2 K下表現(xiàn)出高非線性哄芜，該 ...

使用兩條臂的馬赫-曾德爾調(diào)制器部分貌亭。如果使用自由空間太赫茲波信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，可以將其中一只手臂極化认臊，使鈮酸鋰晶體的自發(fā)極化方向相反圃庭，從而在給定電場下實(shí)現(xiàn)相反的折射率變化，從而在輸出中實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度調(diào)制失晴【缒澹或者，如果使用金屬電極涂屁，則不需要極化书在，并且與另一只手臂相比，一只手臂的電場將被逆轉(zhuǎn)拆又。圖1(b)顯示了不同臂長下典型鈮酸鋰薄膜器件的計(jì)算調(diào)制帶寬儒旬。可以看出帖族，這些薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器設(shè)備的調(diào)制帶寬可以達(dá)到數(shù)太赫茲栈源。通過設(shè)計(jì)薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器波導(dǎo)結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)更好的相位匹配，可以進(jìn)一步增加薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器設(shè)備帶寬竖般。圖1所示(a) 太赫茲調(diào)制器器件示意圖;(b) 計(jì)算不同長度的設(shè)備臂薄膜鈮酸鋰調(diào)制器的調(diào)制帶寬 ...