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三軸高頻磁場交流磁場傳感器（5Hz-100KHz）
盒上的交變電場頻率小于某一臨界值绰寞，電場強(qiáng)度大于某一臨界值時(shí)，液晶分子將產(chǎn)生紊亂的運(yùn)動铣口，使各處的折射率隨時(shí)間發(fā)生變化滤钱，從而使入射光受到散射。這就是動態(tài)散射效應(yīng)脑题。2件缸、扭曲-向列型效應(yīng)線偏光在液晶內(nèi)傳播時(shí)，其偏振方向試中于液晶分子層的分子長軸方向一致叔遂。因此他炊，當(dāng)液晶前后各放置一片起偏器和相同偏振方向的檢偏器，經(jīng)過起偏器的偏振光在液晶中偏振方向發(fā)生旋轉(zhuǎn)已艰，再經(jīng)過檢偏器時(shí)光強(qiáng)發(fā)生改變痊末。在液晶盒上施加適當(dāng)?shù)碾妶觯捎陔妶鰧σ壕Х肿拥娜∠蜃饔昧ú簦沟么蠖鄶?shù)分子的長軸或者沿電場方向排列（p型）凿叠，或者垂直于電場排列（n型）。這使線偏光基本不受影響（p型）或受到液晶的雙折射的作用（n型）變成橢圓偏振光嚼吞。無論p型還是n型 ...
盒件，K（ω）是場頻（ω）、電導(dǎo)率和介電常數(shù)的函數(shù)：是典型的麥克斯韋-瓦格納電荷兩種液體界面處的弛豫時(shí)間刻度舱禽。如Eq所示炒刁。由于界面極化(如充電)是由導(dǎo)電和介電充電共同驅(qū)動的，所以位移是兩者電學(xué)性質(zhì)的函數(shù)流體和交流電場頻率誊稚。例如切心，在100 kHz數(shù)量級的頻率下飒筑，界面位移的大小僅由兩種共流流體之間的電導(dǎo)率差異決定片吊，我們在這里將其定義為界面電導(dǎo)率(σ2?σ1)绽昏。然而，在高頻(通常為>10MHz)下俏脊，位移是由界面介電常數(shù)（ε2?ε1）驅(qū)動的全谤。最后，在中頻時(shí)爷贫，界面行為對電學(xué)和電介質(zhì)的差異都很敏感认然，由于fDEP的低頻和高頻特性，如果一個(gè)流體相具有更大的電導(dǎo)率（σ1>σ2）漫萄，并且相鄰流體具有更大的介 ...
影響卷员。當(dāng)光波場頻率很大且溶液的濃度不太大時(shí)，光學(xué)常數(shù)折射率及消光系數(shù)有如下關(guān)系式：由朗伯定律與光強(qiáng)度的定義得吸收系數(shù)β與消光系數(shù)k的關(guān)系為：又由比爾定律知腾务，當(dāng)溶液濃度足夠小以至于分子間相互作用能被忽略時(shí)毕骡，溶液吸收系數(shù)β與溶液的濃度C成正比，即β=αC岩瘦，α是與濃度無關(guān)由吸收物質(zhì)分子的特性決定的常數(shù)未巫。因此可以得到溶液濃度與其折射率之間的關(guān)系式為：由以上推導(dǎo)可知光學(xué)常數(shù)n、k值和溶液濃度之間的關(guān)系如式(1-11)所示启昧，而橢偏儀測量得到的參數(shù)ψ和Δ是光學(xué)常數(shù)n叙凡、k的函數(shù)，這意味著溶液直接影響著測試結(jié)果密末，不同濃度溶液帶來的影響不同握爷。所以后續(xù)研究過程中溶液以及溶液濃度對測試結(jié)果的影響都是具有挑戰(zhàn)性的。4. ...
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