本研究所采用分子束外延法在InP襯底上生長了所研究的激光器艺谆。高速1.55umVCSEL結(jié)構(gòu)是其他高速器件的改進版本榨惰，具有優(yōu)化的有源區(qū)域、失諧静汤、鏡像反射率和摻雜水平琅催。激光芯片的示意圖如圖1所示。BCB用作低介電常數(shù)鈍化虫给，以實現(xiàn)高速運行恢暖。外延輸出鏡由32對無基波吸收的InGaAlAs和InAlAs組成。為了在高溫下實現(xiàn)高速運行和足夠的增益狰右，有源區(qū)由7個厚度為6納米的重應變InAlGaAs量子阱組成杰捂。在接近臨界層厚度的邊緣處，將應變調(diào)整為壓縮應變的2.5%（擬晶）棋蚌。這將提高增益和差分增益嫁佳，從而實現(xiàn)低閾值電流和高弛豫振蕩頻率。模式增益偏置針對高溫行為進行了優(yōu)化谷暮。因此蒿往，可以得到負T0值，即該器件在60℃ ...
聯(lián)激光器通過分子束外延MBE和MOCVD兩種方法生長的量子微電子管的室溫連續(xù)工作結(jié)果令人鼓舞湿弦，但進一步的性能有望使量子微電子管更適合實際應用系統(tǒng)瓤漏。在所有需要改進的器件參數(shù)中，特別需要更低的閾值電流密度颊埃，因為它可以使器件消耗更少的總功率蔬充，并有可能提高壁插效率。我們報告了5.07 um的mocvd生長QC激光器班利，具有BH再生結(jié)構(gòu)和下行安裝饥漫，其室溫連續(xù)波閾值電流密度低于所有這些先前報道的結(jié)果。本文提出的QCL結(jié)構(gòu)是通過低壓MOCVD生長的罗标。有源區(qū)域結(jié)構(gòu)與文獻中報道的設計非常相似庸队，但對波導結(jié)構(gòu)進行了一些修改，如下所述闯割。一個周期的層序為：從注入層阻擋層厚度開始彻消，以納米為單位：4.0/1.26/ 1.3/ ...
Cho首創(chuàng)的分子束外延（MBE）進行的初始材料開發(fā)工作近年來已擴展到更標準的工業(yè)平臺，用于材料生長宙拉，金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）mocvd生長的QC激光器已經(jīng)迅速達到了與mbegrow設備相當?shù)腞T性能宾尚，并且在RT后不久就顯示出連續(xù)運行MOCVD生長的qcl在中波紅外（MWIR）13和長波紅外（LWIR）波長下的高功率連續(xù)工作已經(jīng)被證明。盡管qcl具有巨大的前景鼓黔，但直到z近央勒，復雜的結(jié)構(gòu)和制造qcl的困難使這些設備僅僅是實驗室工具不见。z近的進展主要是為了提高MWIR的電光轉(zhuǎn)換效率，這極大地促進了技術(shù)從實驗室到工業(yè)的轉(zhuǎn)移崔步。我們團隊的研究成果在功率輸出和插拔效率方面取得了飛躍稳吮，z終可以實現(xiàn)這些設 ...
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