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Rs) 诬滩。電場靈敏度低至1Vm?1Hz?1/2已被證明，但由于大塊晶體固有的相位失配特性灭将，鈮酸鋰電光探測器的帶寬受到限制疼鸟。對于100GHz以上頻率的電光采樣，ZnTe和GaP提供了更大的帶寬(ZnTe: fc = 3THz庙曙；GaP: fc = 7 THz)空镜，但由于電光系數(shù)低于鈮酸鋰(ZnTe: r41 = 3.90 pm/V；GaP: r41 = 0.97 pm/V)捌朴。LN (LiNbO3)由于具有更大的電光系數(shù)吴攒，因此在電場的電光探測方面優(yōu)于ZnTe和GaP。重要的是砂蔽，薄膜LNOI通過適當設計光波導洼怔，可以實現(xiàn)太赫茲波信號和近紅外波的完美相位匹配。此外左驾，通過使用保偏光纖引導和耦合激光束進出探測器 ...
的情況下镣隶，電場靈敏度值約為10,000V/mHz0.5。使用具有更好動態(tài)范圍70dB和設備中較低射頻信號損耗的光譜儀诡右，預計低至-55dBm的射頻功率水平就能產(chǎn)生可檢測信號矾缓，因此，使用我們目前的薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器設備稻爬，低至約100V/mHz0.5的電場值是可檢測的。圖8. 在10GHz蜕依、15GHz和20GHz下第1階邊帶幅度的射頻功率依賴性表1：射頻功率檢測閾值4．總結設計桅锄、制作了一種基于鈮酸鋰薄膜的電光調(diào)制器，并對其進行了表征样眠。該平臺包括薄層鈮酸鋰核心區(qū)域友瘤，二氧化硅底包層和氮化硅肋區(qū)域。每個用于將光耦合進出薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器的光柵耦合器具有5dB插入損耗和90nm帶寬檐束。具有0.7um間隙的 ...
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