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統(tǒng)照藻，研究了在零偏壓下基于MoS2二維材料同質(zhì)p-n結(jié)器件中光電流的分布情況。結(jié)果表明坑律，光照下MoS2同質(zhì)p-n結(jié)中光電流的產(chǎn)生主要來源于p-n結(jié)區(qū)岩梳。具體而言囊骤，摻雜類型不同的MoS2薄片中能帶失配產(chǎn)生內(nèi)建電場晃择，當光輻射到2片MoS2薄片的重疊區(qū)域（結(jié)區(qū)）時，光生載流子在內(nèi)建電場的作用下分離進而產(chǎn)生光電流也物。而當光僅僅輻射在單個MoS2薄片上時宫屠，光生載流子會很快復(fù)合，導(dǎo)致無光電流產(chǎn)生滑蚯。特別是浪蹂，作者通過光電流成像發(fā)現(xiàn)有效結(jié)區(qū)面積是直接測量得到的納米薄片重疊面積的1/2左右，因此器件光電轉(zhuǎn)換效率實際被低估了一倍左右告材。通過光電流成像的校正坤次，器件的實際光電轉(zhuǎn)換效率達到1%。相關(guān)研究成果發(fā)表在Small Me ...
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