光器采用埋置異質(zhì)結(jié)構(gòu)波導(dǎo)制備赞咙，用于高功率RT操作责循。激光條紋寬度一般在4 ~ 10 μm之間，空腔長(zhǎng)度一般在3 ~ 5mm之間攀操。在MOCVD生長(zhǎng)完成后院仿，通過化學(xué)刻蝕定義脊?fàn)畈▽?dǎo)，并在激光波導(dǎo)側(cè)面重新生長(zhǎng)絕緣Fe:InP速和。極化子C-V和霍爾測(cè)試已被用來(lái)確保Fe:InP是一個(gè)良好的電絕緣體歹垫。橫向再生的目的是雙重的：它允許激光模式的光學(xué)限制在橫向方向，并有助于優(yōu)化散熱颠放，通過改善在活躍區(qū)域產(chǎn)生的熱量的橫向傳輸排惨，并通過平面化設(shè)備的頂面，從而允許向下安裝激光器碰凶。通過電子束蒸發(fā)沉積頂部和底部觸點(diǎn)金屬暮芭，隨后在頂部觸點(diǎn)上電解鍍一層厚金層，從而完成了器件的制造欲低。這些器件被切成小塊辕宏，銦被焊接到銅支架上，以獲得非常佳的 ...
行蝕刻砾莱。埋藏異質(zhì)結(jié)構(gòu)的選擇性生長(zhǎng)和接觸沉積完成了激光加工瑞筐。圖5圖6單模器件的結(jié)果如圖5所示，在15?C下腊瑟，我們從單個(gè)發(fā)射極獲得了高達(dá)約Pout = 180 mW的連續(xù)功率聚假。2毫米長(zhǎng)的器件安裝在正面朝下，并在高達(dá)60°C的連續(xù)波中工作扫步，輸出功率為10 mW魔策。典型光譜如圖6(a)所示，其中對(duì)數(shù)尺度表示30 db側(cè)模抑制比河胎。從連續(xù)波亞閾值光譜[圖6(b)]闯袒，我們可以確定布拉格阻帶的寬度，對(duì)應(yīng)耦合強(qiáng)度的估計(jì)約為kL = 3.5。該值高于強(qiáng)耦合分布式反饋設(shè)備（kL = 1-2）的通常預(yù)期值政敢。對(duì)光柵與光學(xué)模式耦合的更深入的探討將在其他地方提出其徙。發(fā)射波長(zhǎng)與溫度的相關(guān)性為λ/T = 0.4 nm/K，并且從連 ...
喷户，在對(duì)SAF異質(zhì)結(jié)構(gòu)中場(chǎng)和電流驅(qū)動(dòng)的DW運(yùn)動(dòng)（DWM）的動(dòng)態(tài)過程進(jìn)行廣泛研究的基礎(chǔ)上唾那，我們進(jìn)一步探索了通過工程動(dòng)態(tài)焦耳加熱來(lái)調(diào)制層間交換耦合（IEC）。重要的是褪尝，我們首次基于SAF異質(zhì)結(jié)構(gòu)中自旋極化鐵耦合器層的定制DWM闹获，提出了一種具有泄漏集成點(diǎn)火和自復(fù)位（LIFT）特征的新型高可靠自旋電子神經(jīng)元器件，本質(zhì)上模擬了神經(jīng)元在內(nèi)置場(chǎng)（hbuilt）和Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida （RKKY）相互作用下的LIFT行為河哑，而無(wú)需任何額外的復(fù)位器件或電路避诽。針對(duì)CMOS兼容和可制造應(yīng)用，利用半導(dǎo)體負(fù)差分電阻（NDR）效應(yīng)對(duì)電流進(jìn)行差動(dòng)璃谨，實(shí)現(xiàn)了神經(jīng)元器件之間全局抑制的贏者通吃（W ...
聯(lián)層和SAF異質(zhì)結(jié)構(gòu)的底部硬層之間存在885 Oe的有效場(chǎng)沙庐。矯頑力和RKKY有效場(chǎng)的增強(qiáng)都?xì)w因于器件收縮和離子束刻蝕（IBE）過程中不可避免的外圍損傷。由于樣品中存在較高的IEC佳吞，因此在實(shí)驗(yàn)中使用恒定的- 860 Oe外部OOP場(chǎng)來(lái)補(bǔ)償RKKY場(chǎng)拱雏。簡(jiǎn)單地說，我們首先在Hall bar的橫截面上注入7.5 mA的3 s脈沖電流，在Hall bar的左端觀察到一個(gè)有核的向下區(qū)域，并向+x區(qū)域擴(kuò)展哑芹。隨后，在RKKY等效的現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用中羡滑，左右兩側(cè)的DW都向成核點(diǎn)中心收縮，即DW收縮算芯。然后柒昏，從x方向連續(xù)6個(gè)6 s周期注入占空比為50%的3.35 mA脈沖電流，下向上（DU） DW在電流的驅(qū)動(dòng)下逐漸向右移動(dòng)熙揍， ...
)垂直p-n異質(zhì)結(jié)二極管進(jìn)行電流整流和（ii）典型的應(yīng)用职祷，基于ALD-Te的選擇器件，將其評(píng)級(jí)為電子級(jí)vdW晶體届囚。圖1：實(shí)驗(yàn)流程和結(jié)果示意圖圖1a展示了這種淋浴噴頭式反應(yīng)堆生成vdW Te薄膜的生長(zhǎng)的示意圖有梆。在低沉積溫度下用兩種液相Te前驅(qū)體-Te（OEt）4和Te（SiMe3）2做促進(jìn)反應(yīng)，對(duì)于共價(jià)鍵合的元素薄膜同樣如此意系，如ALD 生長(zhǎng)的Sb泥耀。如圖1b所示，與左半部分裸襯底進(jìn)行比較蛔添，通過定制的ALD工藝痰催，我們成功地實(shí)現(xiàn)了在50℃下兜辞，Te薄膜在4英寸尺寸SiO2/Si晶元上晶元級(jí)生產(chǎn)。在此我們進(jìn)行拉曼光譜和作圖表征來(lái)評(píng)價(jià)薄膜的質(zhì)量和均勻性（AUT-Nanobase-XperRamS）夸溶。圖1c是 ...
逸吵，二維vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)為研究拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、超晶格缝裁、和層間庫(kù)侖相互作用的影響提供了新的途徑扫皱。然而，與簡(jiǎn)單的單層相比捷绑，二維vdW多層在相鄰層之間具有vdW間隙韩脑，擾亂了層間電荷效率，從而導(dǎo)致這些多層在平面內(nèi)和平面外載流子輸運(yùn)的各向異性胎食。在存在靜電偏置相關(guān)的層間電阻的情況下扰才，以往的研究通過考慮Thomas-費(fèi)米電荷屏蔽長(zhǎng)度和厚度相關(guān)的載流子遷移率，進(jìn)而描述了二維多層膜的復(fù)雜載流子輸運(yùn)厕怜。例如，在一個(gè)傳統(tǒng)的背柵結(jié)構(gòu)蕾总，由于層間電阻和層依賴的平面內(nèi)載流子遷移率之間的相互作用粥航，層間電導(dǎo)率z高的層從底表面向頂表面移動(dòng)。這就引發(fā)了載流子沿著厚度的空間再分布生百。此外递雀，zui近通過比較獲得的關(guān)于底部接觸和頂部接觸的漏電流，已被 ...
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