鐵磁體和反鐵磁體的異質(zhì)結(jié)構(gòu)對(duì)鐵磁體和非磁性襯底之間界面的研究表明扫倡，與鐵磁性襯底的相互作用可能在襯底中誘導(dǎo)長(zhǎng)程鐵磁有序谦秧，而其本身并不顯示鐵磁有序。感應(yīng)磁化強(qiáng)度可以與鐵磁體的磁化強(qiáng)度平行或反平行撵溃，這取決于交換相互作用的符號(hào)疚鲤。這可能會(huì)導(dǎo)致鐵磁層的產(chǎn)生，即使是在其整體形式是反鐵磁的材料缘挑，如觀察到的集歇，如超薄的Cr膜在Fe上。在這種情況下语淘，襯底中的長(zhǎng)程順序——無(wú)論是反鐵磁體還是非磁性金屬——是由與鐵磁性襯底的相互作用決定的诲宇，并且可以預(yù)期它會(huì)顯示出同樣的溫度依賴性。事實(shí)上惶翻，Mn對(duì)Ni的這種感應(yīng)磁序的溫度依賴性被研究了姑蓝，發(fā)現(xiàn)與襯底的相同。當(dāng)然维贺，隨著反鐵磁層厚度的增加它掂，整體反鐵磁態(tài)將占上風(fēng)，每一層將顯示自己的有 ...
/Pt/Co異質(zhì)結(jié)構(gòu)中自旋反射誘導(dǎo)的無(wú)場(chǎng)磁化開(kāi)關(guān)在這項(xiàng)研究中溯泣，我們證明了MgO/Pt/Co異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的無(wú)場(chǎng)SOT開(kāi)關(guān)虐秋，通過(guò)與介電MgO層接口來(lái)調(diào)制Pt內(nèi)的自旋反射和自旋密度。通過(guò)異忱伲霍爾電壓環(huán)位移測(cè)量客给，我們確定在沒(méi)有外部磁場(chǎng)的情況下，SOT作為有效的面外磁場(chǎng)對(duì)磁化強(qiáng)度起作用肢簿。通過(guò)替換MgO層并將其與高導(dǎo)電性Ti或Pt進(jìn)行比較靶剑，我們證實(shí)MgO確實(shí)負(fù)責(zé)無(wú)場(chǎng)SOT開(kāi)關(guān)。此外池充，MgO的厚度依賴性表明桩引，在5和8 nm之間的非常佳的開(kāi)關(guān)比高達(dá)80%。這項(xiàng)工作提供了利用介電/HM界面處的自旋反射來(lái)實(shí)現(xiàn)無(wú)場(chǎng)SOT磁化開(kāi)關(guān)的技術(shù)收夸，對(duì)于開(kāi)發(fā)大規(guī)模集成的SOT- mram和自旋邏輯器件具有重要意義坑匠。此外，無(wú)場(chǎng)SOT ...
)As量子阱異質(zhì)結(jié)構(gòu)示意圖卧惜。Ene表示導(dǎo)電帶中電子的量子化能態(tài)厘灼。enh和Enlh分別是價(jià)帶中重空穴和輕空穴的能態(tài)在自旋led實(shí)驗(yàn)中夹纫，通過(guò)直接比較電致發(fā)光在頂發(fā)射(電子自旋極化方向垂直于量子阱)和邊發(fā)射(電子自旋極化方向在平面上)的圓極化，驗(yàn)證了這一效應(yīng)设凹。適用于10 nm和15 nm寬的量子阱在邊緣發(fā)射幾何結(jié)構(gòu)中沒(méi)有發(fā)現(xiàn)明顯的圓極化舰讹，盡管在頂部發(fā)射中測(cè)量到了強(qiáng)烈的信號(hào)。然而闪朱，對(duì)于寬(體狀)量子阱(d≥50 nm)月匣，在邊緣發(fā)射中甚至可以檢測(cè)到圓極化，這表明與窄量子阱相比监透，由于量子約束減弱桶错，重空穴自旋獲得了面內(nèi)分量因此，對(duì)于寬GaAs/(Al,Ga)As-QW系統(tǒng)胀蛮，光學(xué)選擇規(guī)則應(yīng)該仍然允許邊緣發(fā)射中 ...
以準(zhǔn)確確定異質(zhì)結(jié)構(gòu)的多層膜結(jié)構(gòu);2）在醫(yī)學(xué)方面的應(yīng)用中院刁，橢偏成像技術(shù)可以和很多生物技術(shù)相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)各個(gè)層面的應(yīng)用粪狼。例如與人工智能技術(shù)相結(jié)合實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)病人身體的癌細(xì)胞退腥，及時(shí)做出反應(yīng)，配合醫(yī)生對(duì)患者進(jìn)行康復(fù)治療再榄；3）將橢偏成像技術(shù)的zui新發(fā)展實(shí)用化狡刘，研制可用于工業(yè)生產(chǎn)過(guò)程中使用的成像橢偏儀，在半導(dǎo)體困鸥、微電子等產(chǎn)品的生產(chǎn)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)嗅蔬；4）通過(guò)解決圖像傳感器的低頻響應(yīng)和降低系統(tǒng)噪聲來(lái)減小圖像采集的誤差；5）建立包含成像橢偏儀的校準(zhǔn)因素的系統(tǒng)模型, 以減小成像橢偏儀的測(cè)量誤差;6）對(duì)半導(dǎo)體工業(yè)常用薄膜材料建立準(zhǔn)確的物理模型, 以減小系統(tǒng)的計(jì)算誤差;7）引入能夠同步進(jìn)行數(shù)據(jù)獲取和數(shù)據(jù)處理的控制系統(tǒng) ...
疾就，晶格匹配對(duì)異質(zhì)結(jié)構(gòu)施加了限制澜术，因?yàn)榫哂蟹浅２煌w結(jié)構(gòu)的材料在組合時(shí)不能很好地耦合。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體也傾向于形成三維結(jié)構(gòu)猬腰，使得不配對(duì)的鍵更容易存在于表面鸟废。這些懸空鍵不僅使這些系統(tǒng)中的表面物理更加難以控制，而且使這些材料的薄膜變成準(zhǔn)二維(2D)結(jié)構(gòu)姑荷。幸運(yùn)的是盒延，在過(guò)去的二十年里，一種新的材料出現(xiàn)了鼠冕，它具有真正的二維性質(zhì)和光學(xué)定向自旋的能力添寺。了解更多詳情，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)上海昊量光電的官方網(wǎng)頁(yè)：http://www.wjjzl.com/three-level-150.html更多詳情請(qǐng)聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電關(guān)于昊量光電：上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商懈费，產(chǎn)品包括各類激光器畦贸、光 ...
也可以在二維異質(zhì)結(jié)構(gòu)中進(jìn)行逐層工程。這種工程方法可以通過(guò)結(jié)合相互補(bǔ)充的2D系統(tǒng)來(lái)利用楞捂。例如薄坏，在WSe2/Gr異質(zhì)結(jié)構(gòu)中，用于谷自旋操縱的大自旋-軌道耦合(WSe2)和用于電子器件的高電導(dǎo)(石墨烯)的配對(duì)對(duì)谷自旋動(dòng)力學(xué)產(chǎn)生了新的影響寨闹。因此胶坠，逐層工程提出了一種很有前途的方法來(lái)構(gòu)建具有增強(qiáng)控制和檢測(cè)自旋現(xiàn)象的二維系統(tǒng)。這就促使人們尋找與傳統(tǒng)半導(dǎo)體類似或更新穎的二維類似物繁堡，這些材料已經(jīng)產(chǎn)生了大量的自旋電子研究沈善。幾種二維半導(dǎo)體具有適合低維自旋器件的特性，如高電子遷移率和可通過(guò)門控調(diào)節(jié)的載流子密度椭蹄。例如闻牡，基于Gr的器件已經(jīng)證明了長(zhǎng)通道上的自旋輸運(yùn)和自旋進(jìn)動(dòng)，并且被預(yù)測(cè)在沒(méi)有外場(chǎng)的情況下具有光學(xué)產(chǎn)生的自旋極 ...
壽命的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積绳矩。圖2圖2中插入的圖形顯示了當(dāng)我們改變泵浦脈沖能量時(shí)罩润，中紅外探頭透射率(調(diào)制深度)的z大下降。利用TM極化泵翼馆，我們分別以86 pJ(平均功率21.5 uW)和600 pJ脈沖能量實(shí)現(xiàn)了4.3%和40%的調(diào)制深度割以。TM和TE極化泵的調(diào)制斜率效率分別線性擬合為0.62 nJ和0.64 nJ。由于 1.38 um泵浦光子具有比QW帶隙更高的能量应媚，因此由于不存在偏振依賴严沥，預(yù)計(jì)TM和TE極化泵浦脈沖都將誘導(dǎo)帶間躍遷。因此中姜，我們期望TM和TE泵都能產(chǎn)生相同的恢復(fù)壽命和調(diào)制效率消玄。而圖2中兩種恢復(fù)曲線的微小差異可能是由實(shí)驗(yàn)不確定性引起的，我們不能排除TM和TE偏振近紅 ...
光器使用埋藏異質(zhì)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)行室溫連續(xù)操作丢胚。在這封信中翩瓜，我們報(bào)告了一個(gè)mocvd生長(zhǎng)的室溫連續(xù)波QC激光器異質(zhì)結(jié)構(gòu)。該激光器被加工成雙通道脊?fàn)畈▽?dǎo)嗜桌，頂部鍍有厚厚的電鍍金奥溺，從而省去了更復(fù)雜的橫向InP再生步驟。圖1.(a)基于雙聲子共振的具有四量子阱有源區(qū)的8.2-_x0016_m QC激光器的導(dǎo)帶圖的一部分和相關(guān)波函數(shù)的模平方骨宠。施加51kv /cm的電場(chǎng)浮定。箭頭表示激光躍遷。(b)基模強(qiáng)度分布圖层亿、層結(jié)構(gòu)分布圖和所用介質(zhì)波導(dǎo)折射率實(shí)部分布圖桦卒。激光主動(dòng)式區(qū)域基于雙聲子共振設(shè)計(jì)∧溆郑活躍區(qū)和注入器一個(gè)周期的層序?yàn)?4/18/9/57/11/54/12/45/25/34/14/33/13/32/15/31/1 ...
雜質(zhì)水平低方灾，異質(zhì)結(jié)界面光滑圖2然后將生長(zhǎng)的結(jié)構(gòu)加工成埋藏異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器。通過(guò)光刻確定了7.5 um的脊寬，并使用標(biāo)準(zhǔn)Br2 /HBr基溶液濕法蝕刻通過(guò)活性區(qū)裕偿。通過(guò)MOCVD選擇性再生洞慎，一層摻雜了Fe的厚InP在脊周圍生長(zhǎng)，作為電隔離層嘿棘，也增強(qiáng)了從有源區(qū)域的側(cè)向散熱掃描電鏡檢測(cè)結(jié)果表明劲腿，再生的InP:Fe隔離層與邊壁之間的界面光滑，無(wú)生長(zhǎng)缺陷鸟妙。Fe摻雜量選擇在21017 cm?3以上焦人，但低于沉淀濃度。合并的鐵原子充當(dāng)深層電子陷阱重父，因此在再生的InP:Fe層中基本上沒(méi)有自由電子花椭，導(dǎo)致激光脊周圍的絕緣但光學(xué)透明的區(qū)域。圖3然后用電子束蒸發(fā)的Ti/Pt/Au頂部接觸金屬房午，然后是5 um厚的電鍍Au層矿辽， ...
作了具有埋置異質(zhì)結(jié)構(gòu)波導(dǎo)和固定腔長(zhǎng)1.9 mm的激光器，在其背面涂覆高反射率涂層歪沃，并將外延面向上安裝嗦锐。圖3圖2a顯示了臺(tái)面樣品在80k和300k下的電致發(fā)光光譜。與預(yù)期相反沪曙，本設(shè)計(jì)中的超強(qiáng)耦合對(duì)增益譜寬沒(méi)有明顯的負(fù)面影響奕污，如果有的話。輻射躍遷展寬與z佳可比常規(guī)設(shè)計(jì)相似液走。在非激光平臺(tái)樣品上的電子傳輸特性（電流-電壓特性）表征表明碳默，與具有相似波長(zhǎng)和片狀摻雜密度的典型高性能傳統(tǒng)設(shè)計(jì)相比，我們的超強(qiáng)耦合設(shè)計(jì)在大溫度范圍內(nèi)具有更高的Max工作電流密度和更低的差分電阻（補(bǔ)充圖S1）缘眶。代表性激光光譜如圖2b所示嘱根；激光波長(zhǎng)在低溫下為4.5 mm，在室溫下為4.7 mm巷懈。圖4激光表征結(jié)果表明该抒，與目前報(bào)道的在相似 ...
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