中文：速率方程锨苏；英文：rate equation

導(dǎo)體P的穩(wěn)態(tài)速率方程為：式中P0為激發(fā)時(shí)圓偏振度。τr和τs分別為復(fù)合壽命和自旋壽命耐亏。這種極化可以在磁場中進(jìn)一步研究徊都。事實(shí)上，對于相對于樣品施加的面外場广辰，塞曼效應(yīng)將分裂自旋水平暇矫。這導(dǎo)致讀出偏振不平衡主之，即使是線偏振光，這一結(jié)果可用于研究磁場與材料中載流子自旋的耦合程度李根。注意槽奕，復(fù)合壽命與自旋壽命的比值決定了在半導(dǎo)體系統(tǒng)中觀察光學(xué)取向的能力。隨著比值的增大房轿，P的量減小粤攒。這就是這種測量方法的局限性，如果τs?τr囱持，這種測量方法就不適合研究半導(dǎo)體系統(tǒng)中的光學(xué)自旋特性夯接。時(shí)間分辨測量使用脈沖激光的時(shí)間分辨研究可以繞過穩(wěn)態(tài)測量的限制，允許直接測量系統(tǒng)中的載流子動(dòng)力學(xué)纷妆。時(shí)間分辨光致發(fā)光(TRPL)和瞬態(tài)反射(T ...

步耦合設(shè)計(jì)的速率方程模型和從Schr?dinger-Poisson求解器獲得的參數(shù)11進(jìn)行常規(guī)設(shè)計(jì)的壽命的計(jì)算結(jié)果可以驗(yàn)證這一點(diǎn)盔几，如圖5b。激光上態(tài)壽命的減小和電子在注入器內(nèi)的積累的減緩掩幢，導(dǎo)致在有源區(qū)電壓升高較高逊拍，而在注入器上電壓升高較低。此外际邻，與傳統(tǒng)的反交叉對角線設(shè)計(jì)相比顺献，該設(shè)計(jì)具有更大的動(dòng)態(tài)電壓范圍，這可以從圖中所示的光電壓電流密度特性中看出枯怖。5a_x0005_。從激光閾值到翻轉(zhuǎn)點(diǎn)的電壓范圍幾乎是閾值處施加電壓的30%能曾，而傳統(tǒng)設(shè)計(jì)則小于10%簡單地說度硝，更大的電壓動(dòng)態(tài)范圍和在有源區(qū)域上更大的電壓增加有助于更寬的電壓誘導(dǎo)波長調(diào)諧范圍，即100 cm?1寿冕。圖5在實(shí)際應(yīng)用中蕊程，質(zhì)量控制激光器的性能一 ...

尼偏移。通過速率方程分析驼唱，我們可以發(fā)現(xiàn)如下的相互關(guān)系：包括光子壽命藻茂、約束因子、增益玫恳、增益導(dǎo)數(shù)和隨載流子和光子密度的變化辨赐、載流子損耗和自發(fā)產(chǎn)生的光子速率。圖3 1.55um VCSEL的小信號調(diào)制性能京办，提高了調(diào)制帶寬和溫度范圍掀序。在25℃時(shí)，超過12ghz的調(diào)制帶寬可以被描述為(a)惭婿，甚至在85℃的高溫下(b)10ghz的調(diào)制帶寬可用不恭。由于參考激光器和VCSEL具有相同的芯片布局叶雹，僅改變了外延特性，我們可以推斷出更高的應(yīng)變和模態(tài)增益偏移明顯提高了差分增益换吧，從而將K因子從0.4ns降低到0.3ns折晦，從而提高了阻尼極限。盡管在室溫下增加了阻尼偏移沾瓦，但調(diào)制性能满着，特別是在較高溫度下，明顯優(yōu)于參考激光器暴拄。圖 ...

CSELs的速率方程分析漓滔，fr可表示為D因子量化了諧振頻率隨電流的增加，在圖8(b)中由低自熱狀態(tài)下電流的fr(I)斜率確定乖篷。在本例中响驴，器件的D因子為1.7GHz/mA1/2，Max諧振頻率為5.81GHz撕蔼。線性擬合曲線的彎曲是由于在19mA偏置電流下發(fā)生的熱阻尼效應(yīng)豁鲤。相對較小的d因子可能是由于并入氣隙導(dǎo)致的大腔長以及對MEMSDBR的高穿透深度和大電流孔徑。為了進(jìn)一步提高S21響應(yīng)的3db帶寬鲸沮，需要更大的d因子琳骡。采用更短的腔長設(shè)計(jì)、微調(diào)DBR電介質(zhì)的折射率讼溺、減小孔徑尺寸以及通過適當(dāng)?shù)碾娀p小光學(xué)損耗等措施可以改善該特性楣号。|H(f)|2的3db角頻率相對于高于閾值的電流的平方根也繪制在圖8(c ...