外腔半導(dǎo)體激光器穩(wěn)頻控制方式在精密測(cè)量以及量子技術(shù)等應(yīng)用領(lǐng)域申尤，對(duì)于激光器的穩(wěn)頻鎖相有較高的要求癌幕。自由運(yùn)轉(zhuǎn)的外腔半導(dǎo)體激光器由于溫度衙耕、機(jī)械振動(dòng)等因素影響，其輸出的光的頻率往往或多或少存在漂移勺远，使得這些自由運(yùn)轉(zhuǎn)的激光很難運(yùn)用于精密光譜橙喘、原子干涉等，必須對(duì)其穩(wěn)頻控制胶逢。一般的外腔半導(dǎo)體激光器往往會(huì)存在三種頻率控制方式：LD溫度LD的溫度影響半導(dǎo)體的增益輪廓和內(nèi)腔模式頻譜漂移厅瞎，主要是溫度變化造成介質(zhì)中載流子濃度變化，以及吸收因子變化初坠，此外溫度還會(huì)影響內(nèi)部FP腔的參數(shù)和簸。溫度對(duì)LD輸出頻率影響非常大，如用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用（CR-R刻錄機(jī)）的典型AlGaAs二極管在25℃時(shí)的標(biāo)稱波長(zhǎng)為λ=784nm碟刺，dλ/dT ...
色散補(bǔ)償光纖的1.55μmVCSEL調(diào)制性能-器件結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)隨著制造技術(shù)的不斷發(fā)展锁保，垂直腔面發(fā)射激光器（VCSELs）已被證明是一種具有成本效益的光源。爆炸性的帶寬需求半沽，特別是在上傳和下載速度方面爽柒，將需要光寬帶網(wǎng)絡(luò)和光纖到戶解決方案，以降低每帶寬成本者填，以滿足未來的市場(chǎng)條件霉赡。特別是直接調(diào)制激光器的非冷卻、無源粗波分復(fù)用（CWDM）解決方案預(yù)計(jì)將具有成本效益幔托。對(duì)于850nm的VCSEL，比特率高達(dá)25Gb/s蜂挪，適用于通過多模光纖的短距離光互連和光以太網(wǎng)解決方案重挑。然而，對(duì)于直接調(diào)制激光器來說棠涮，距離在10到40公里之間谬哀、比特率在10Gb/s及以上的城域范圍內(nèi)的光纖鏈路仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)。一方面严肪，對(duì)于1.3 ...
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積制備室溫連續(xù)波工作低閾值量子級(jí)聯(lián)激光器通過分子束外延MBE和MOCVD兩種方法生長(zhǎng)的量子微電子管的室溫連續(xù)工作結(jié)果令人鼓舞史煎，但進(jìn)一步的性能有望使量子微電子管更適合實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)。在所有需要改進(jìn)的器件參數(shù)中驳糯，特別需要更低的閾值電流密度篇梭，因?yàn)樗梢允蛊骷母俚目偣β剩⒂锌赡芴岣弑诓逍试褪唷Ｎ覀儓?bào)告了5.07 um的mocvd生長(zhǎng)QC激光器恬偷，具有BH再生結(jié)構(gòu)和下行安裝，其室溫連續(xù)波閾值電流密度低于所有這些先前報(bào)道的結(jié)果帘睦。本文提出的QCL結(jié)構(gòu)是通過低壓MOCVD生長(zhǎng)的袍患。有源區(qū)域結(jié)構(gòu)與文獻(xiàn)中報(bào)道的設(shè)計(jì)非常相似坦康，但對(duì)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)進(jìn)行了一些修改，如下所述诡延。一個(gè)周期的層序?yàn)椋簭淖⑷雽幼钃鯇雍? ...
量子級(jí)聯(lián)激光器：長(zhǎng)波紅外（λ>6 μm）的設(shè)計(jì)qcl今天能夠在λ = 3-24 μm范圍內(nèi)發(fā)光滞欠，并且z近已經(jīng)引入到太赫茲域，可能導(dǎo)致光電集成的新水平由于有可能利用為電信/數(shù)據(jù)通信組件市場(chǎng)開發(fā)的已經(jīng)成熟的InP和GaAs技術(shù)肆良，qcl已經(jīng)顯示出令人印象深刻的快速技術(shù)發(fā)展筛璧。自1994年成立以來，2QC激光器僅在幾年后就實(shí)現(xiàn)了室溫（RT）脈沖操作妖滔，并在2008年實(shí)現(xiàn)了連續(xù)（CW） RT操作隧哮。由于不斷推動(dòng)這項(xiàng)技術(shù)的工業(yè)化，由Cho首創(chuàng)的分子束外延（MBE）進(jìn)行的初始材料開發(fā)工作近年來已擴(kuò)展到更標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)平臺(tái)座舍，用于材料生長(zhǎng)沮翔，金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積（MOCVD）mocvd生長(zhǎng)的QC激光器已經(jīng)迅速達(dá)到了與 ...
的考慮限制在半導(dǎo)體激光器上，半導(dǎo)體激光器的總體尺寸與LED相似曲秉，允許它們被納入陣列中采蚀，而無需從根本上重新設(shè)計(jì)支持基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)。實(shí)際上承二，LED和激光器在三個(gè)重要方面有所不同：（1）光譜分布（圖1）（2）光輸出生成效率（圖2）（3）輸出空間分布（圖3）榆鼠。激光的光譜帶寬較窄（圖1），這在熒光顯微鏡中并不特別重要亥鸠，因?yàn)闊晒馊玖虾蜔晒獾鞍椎墓庾V帶寬通常大于LED或激光妆够。相反，是輸出空間分布负蚊，方便地表示為光學(xué)擴(kuò)展量（étendue）[1]神妹，這主要區(qū)分LED和激光器的下游應(yīng)用。一般來說家妆，光學(xué)擴(kuò)展量是器件的發(fā)光表面積與來自該面積的光的角發(fā)散度的乘積鸵荠。因此，激光器的光學(xué)擴(kuò)展量值比LED小得多（表1）伤极。這使得LED主 ...
的單頻可調(diào)諧半導(dǎo)體激光器蛹找，單頻鈦寶石激光器，單頻染料激光器哨坪；用于波長(zhǎng)鎖定的石英真空腔庸疾，波長(zhǎng)鎖定電路，鎖相環(huán)齿税，鎖相放大器彼硫，飽和吸收譜裝置，高精度標(biāo)準(zhǔn)具，吸收穩(wěn)頻參考拧篮；用于移頻的聲光移頻器（AOM词渤，AOFS），PDH電光調(diào)制器串绩，鈮酸鋰電光調(diào)制器缺虐，用于啟偏的偏振光纖，以及用于波長(zhǎng)精確測(cè)量的各種波長(zhǎng)計(jì)等等礁凡。 ...
激光器高氮、差頻半導(dǎo)體激光器、THz晶體顷牌、THz天線剪芍、THz探針等。 ...
N窟蓝，各種單頻半導(dǎo)體激光器）罪裹；用于快速進(jìn)行偏振態(tài)量子編碼的高速電光調(diào)制器；用于量子計(jì)算的電子信號(hào)發(fā)生运挫，分析任意波形發(fā)生器（AWG）状共，高速量子隨機(jī)數(shù)發(fā)生器，鎖相放大器等谁帕。此外好像光電還提供各種量子光學(xué)實(shí)驗(yàn)演示裝置峡继，二階相干度HBT測(cè)量?jī)x，糾纏光子干涉度量實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)匈挖，光粒子性/量子隨機(jī)產(chǎn)生實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)碾牌， Franson干涉實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)等，以幫助研究工作者儡循，研究生甚至本科生深入了解量子光學(xué)小染。 ...
于微諧振腔和半導(dǎo)體激光器技術(shù)等實(shí)現(xiàn)的小型化和芯片級(jí)光學(xué)頻率梳。昊量光電提供各種光頻率梳技術(shù)所使用的關(guān)鍵部件及完整的光頻梳系統(tǒng)贮折。包括：GHz飛秒光頻梳、光學(xué)頻率合成器资盅、載波相位穩(wěn)定測(cè)量?jī)x调榄、重頻鎖定光學(xué)鎖相環(huán)等。 ...
半導(dǎo)體激光器封裝技術(shù)大都是在分立器件封裝技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展與演變而來的呵扛，但卻有很大的特殊性每庆。一般情況下，分立器件的管芯被密封在封裝體內(nèi)今穿，封裝的作用主要是保護(hù)管芯和完成電氣互連缤灵。目前半導(dǎo)體激光器器封裝主要包括，單發(fā)射腔封裝、單陣列（通常稱為巴條腮出，Laser Diode Bar）帖鸦，多單管模組（各個(gè)獨(dú)立的發(fā)光單元采用串聯(lián)連接，并將模組各單個(gè)發(fā)光單元輸出光束通過光學(xué)系統(tǒng)的會(huì)聚后耦合入光纖輸出）胚嘲，水平陣列（HORIZONTAL STACKED）作儿，垂直疊陣（VERTICAL STACKED），面陣結(jié)構(gòu)等馋劈。其中涉及到激光散熱攻锰，光束整形，頻率鎖定妓雾，光纖耦合等多種技術(shù)及相關(guān)器件娶吞。 ...
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