流子與半導體晶格碰撞的限制。當電子到達倍增區(qū)時浑吟，一個具有高電場|?→E（?）|的薄p?n+結(jié)笙纤，通過重復的沖擊電離產(chǎn)生一個具有數(shù)百萬二次電子的雪崩。在apd中组力，放大隨著反向偏置VOP的增加而增加省容。如果VOP高于擊穿電壓Vbreak，放大幾乎是無限的燎字。在這一點上腥椒，光子產(chǎn)生自我維持的雪崩阿宅，而雪崩光電二極管（APD）以光子計數(shù)或蓋革模式工作。在一個光子擊中探測器后不久笼蛛，電流就會隨著雪崩的開始而上升洒放，并導致穿過整個SPAD的電阻下降。通過將SPAD與電阻串聯(lián)起來滨砍，可以通過鑒別電路檢測到VSPAD的擊穿（如圖2a所示）往湿。每次雪崩都必須停止，即所謂的熄滅惋戏，以避免損壞二極管由于電流领追，并重新進行部署。通常日川，可能 ...
蔓腐， 通過測量晶格間距變化所造成的布拉格反射角的變化來確定磁疇結(jié)構(gòu)。Ｘ－射線衍射法的優(yōu)點是分辨率較離且能在觀測磁疇的同時對晶體的缺陷進行觀測龄句， 從而能夠?qū)w曲線與磁疇結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系進行研巧回论。但這種方法也有成本較高，不能檢測外場作用下的磁疇動態(tài)變化的缺點分歇。磁光克爾效應法磁光克爾效應根據(jù)光與磁性材料相互作用產(chǎn)生的磁光克爾響應信號觀測磁疇傀蓉。當光從磁性材料表面反射時，在磁疇表面產(chǎn)生的局部雜散磁場的作用下职抡，反射光的偏振態(tài)會發(fā)生一定的變化葬燎， 且反射光偏振態(tài)的變化與局部雜散磁場的大小和方向有關(guān)，反射光經(jīng)過檢偏器后偏振態(tài)的變化就會以光強分布的形式呈現(xiàn)出來缚甩，再由成像系統(tǒng)接收后即可得到磁性材料表面的磁疇結(jié)構(gòu)分布谱净。 ...
將能量傳遞給晶格，從而使等離子體溫度升高擅威。在多激光脈沖重復作用過程中壕探，激光誘導形成的缺陷逐步積累，材料的光學特性逐漸發(fā)生改變郊丛。二李请、飛秒激光的可行性驗證材料的光學特性改變，已在多種材料中得到驗證厉熟。德國馬克思-伯恩非線性光學和短脈沖光譜學研究所Ashkenasi等人發(fā)現(xiàn)釔理氟化物（YLF）和熔石英的表面燒蝕閾值在第1次脈沖激光輻射后會發(fā)生急劇下降导盅；日本中部大學的Qi等人發(fā)現(xiàn)孵化效應導致藍寶石的燒蝕閾值與輻射在襯底表面的激光脈沖數(shù)成反比。YAG 晶體在0.25-5 μm范圍內(nèi)具有較高的透過率揍瑟，是一種優(yōu)良的紫外白翻、紅外光學材料，且具有優(yōu)良的熱力學性質(zhì)绢片、良好的抗溫度蠕變性滤馍，以及很強的耐高溫塑性變形能力恩急。Y ...
替代纪蜒，相鄰的晶格位置是空的。由于這種缺陷可以明亮地發(fā)射單光子此叠，并且自旋可以被光學手段控制纯续，晶體中心可以成為未來量子信息處理和量子網(wǎng)絡的有前途的固態(tài)量子發(fā)射器。在固態(tài)量子發(fā)射器中灭袁，量子點和金剛石中的氮空位（NV）中心是兩個成熟的系統(tǒng)猬错。然而，在這兩個系統(tǒng)之間茸歧，NVs表現(xiàn)出超過1s的優(yōu)良相干時間倦炒，但缺乏產(chǎn)生難以區(qū)分光子所需的零聲子線（ZPL）的有效發(fā)射，而量子點在發(fā)射特性方面顯示出很大的前景软瞎，但限制在10ns相干時間逢唤。這突出了使用固態(tài)量子發(fā)射器工作的典型挑戰(zhàn)：單光子產(chǎn)生發(fā)射器自旋相干時間zui近對金剛石部分SiV中的第四組空缺中心的調(diào)查顯示了滿足這一領(lǐng)域的希望結(jié)果。圖16：固態(tài)量子發(fā)射器結(jié)合其良好的 ...
轉(zhuǎn)移涤浇。因此鳖藕，晶格氧氧化機理（LOM）是有利的，有可能克服吸附物析出機理（AEM）的限制只锭。盡管在退火過程中著恩， Co（OH）2轉(zhuǎn)化Co3O4導致鈷位點的氧化態(tài)增加，我們的原位拉曼光譜數(shù)據(jù)顯示蜻展，與Co（OH）2相比喉誊，退火后的Co3O4催化劑表面的CoOOH和CoO2的形成量相對較低。這表明負責OER的活性相更多地存在于非靜態(tài)氫氧化物表面上纵顾，而不是存在于結(jié)晶氧化物表面上伍茄。因此，我們假設 Co3O4的OER活性低于Co（OH）2是由于高價鈷物質(zhì)片挂，如Co3+和Co4+的形成減少幻林，因此有利于通過傳統(tǒng)的AEM而不是LOM進行的OER過程。本文研究介紹了超薄非晶態(tài)氫氧化鈷納米片的合成音念，并根據(jù)簡單熱處理引起的相變 ...
的插入導致碳晶格結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化沪饺。在放電過程中，由于鋰離子和炭黑分離闷愤，在 2.9 V 時整葡，D峰從1343.3藍移到33595px?1。同樣讥脐，G峰在 2.6 V 時恢復遭居，回到39895px?1,在 2.5 V 時恢復到39952.5px?1啼器。隨著鋰離子在充放電過程中的遷移，G峰和D峰的頻率呈線性下降俱萍，然后增加端壳。有趣的是，在LFP的兩相變變之前枪蘑，在3.6 V處觀察到zui低R值（D峰的積分強度除以G峰的積分強度）损谦。原位LFP/SWCNT電極在充放電過程中的拉曼光譜如圖2。值得注意的是岳颇，來自SWCNTs的共振拉曼信號與SWCNTs中的電子躍遷共振相關(guān)照捡。在使用 532 nm 激光線 （2.33 eV） ...
能夠充分利用晶格匹配和應變補償InGaAs/InAlAs材料的帶隙偏移，而MWIR激光器需要高應變生長以改善電子約束话侧，從而提高電流注入效率栗精。這種MWIR設計方法的缺點是需要高偏置電壓，這反過來又有助于產(chǎn)生更大的熱功率瞻鹏。LWIR范圍內(nèi)的典型工作電壓（7-10 V）明顯低于MWIR范圍（10-15 V）悲立，從而使應用工程更具容忍度。LWIR激光器的典型能帶結(jié)構(gòu)如圖3所示與InP匹配的InGaAs/InAlAs晶格的帶偏移估計為βECB = 0.52 eV新博，激光發(fā)射波長為λ = 9.1 μm（對應βEL = 0.136 eV）级历。考慮到激光頂部水平應在遠離傳導帶連續(xù)體(例如,至少βEConf = 0.1 ...
As有源區(qū)域晶格叭披，以及所謂的結(jié)合-連續(xù)體或等效方式的四個或更多有源阱寥殖。活性阱周期性地重復30-40次涩蜘，并被厚的嚼贡、低摻雜的、InP包層包圍同诫，在頂部觸點下方有等離子體增強的約束層粤策。圖1圖1顯示了器件QCL-A的電光特性。這種情況下的波導尺寸為：width×length = 7.5 μm×4 mm误窖。發(fā)射波長以λ = 6.14 μm為中心叮盘，Max輸出功率為P = 1.25 W。高反射涂層可用于器件的單面發(fā)射霹俺。在電流為I = 1.2 A時柔吼，Max壁插效率（定義為器件的電光轉(zhuǎn)換效率，不包括熱電冷卻器（TEC）所需的功率丙唧，η = Pout/Pin）為η = 7%愈魏。對于安裝在銅散熱器上的激光器，該器件的閾值電 ...
yrmion晶格的各個skyrmion相之間的域變換過程是一致的。區(qū)域-區(qū)域分離的發(fā)散和迷宮狀態(tài)下的末端分離是決定FORC特征的另一個關(guān)鍵現(xiàn)象培漏。此外溪厘，建立了一個以FORC分布峰為特征的模型來描述隨著κ的增加而發(fā)生的變化由此可以推導出粒子相位和其他有用的場范圍。本實驗中使用的材料堆為Ta(5)/Ir(2)/ [Pt(1)/Co(0.5)/Fe(0.5)/Ir(0.8)]2/Ta(5)（名義層厚度以納米為單位）牌柄，用于Pt/Co和Fe/Ir界面的強加性界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用（i-DMI）畸悬。采用熱氧化硅片作為襯底。材料堆在室溫下使用磁控濺射系統(tǒng)（AJA ATC-Orio ...
C的天空粒子晶格的MOKE圖像珊佣。在補充材料中可獲得19.0°C傻昙， 23.0°C和26.0°C的其他支持MOKE圖像。圖3圖3(c)在19.0°c和圖3(f)在26.0°c時沿負磁場向上掃至上峰的HR處彩扔，均顯示條狀疇破裂為更短的段和天空區(qū)，留下條狀和天空區(qū)混合僻爽。然而虫碉，圖3(c)中的區(qū)域相距較遠，skyrmions稀疏胸梆，而圖3(f)中的skyrmions密度明顯較大敦捧，保持著接近于其終端分離的域-域分離。終端間距是指天際線或條紋之間的Min穩(wěn)定間隙碰镜。這種間隙類似于以前的研究中磁場增加的迷宮中更寬的區(qū)域所接近的區(qū)域?qū)挾染ぢ选Ｔ谧銐虼蟮拇艌鱿拢犛蚍蛛x在此終端寬度之外發(fā)散并接近飽和绪颖。在低峰的高HR處秽荤，圖3( ...
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