中文：晶格瓤帚；英文：lattice

試固體物質(zhì)的晶格能的振動(dòng)特性，可幫助我們從微觀的角度來分析其微觀特性涩赢，并且在固有屬性和結(jié)構(gòu)-性質(zhì)規(guī)則方面提供更多的創(chuàng)新視角戈次。拉曼光譜通過使用XperRam Compact（Nanobase）光譜儀在室溫下進(jìn)行測(cè)試，所用激發(fā)光源為633nm筒扒。NMS陶瓷晶體的拉曼散射光譜如圖1所示怯邪，圖1（a）所示樣品的拉曼峰都很相似，基線都很平坦花墩，并且振動(dòng)峰都很尖銳悬秉。根據(jù)群論分析結(jié)果，空間群為P21/n的晶體應(yīng)該有24個(gè)拉曼有源振動(dòng)模式（12Ag+12Bg）冰蘑。然而和泌，在實(shí)際的拉曼峰中，只有12個(gè)峰被檢測(cè)到祠肥，這是因?yàn)槔性捶宓寞B加以及設(shè)備分辨率的影響武氓。在100-270cm-1位置處，主要是由于A-位點(diǎn)陽離子（Nd3 ...

播到界面，向晶格的熱弛豫較低县恕，這意味著金屬/二氧化硅界面處的聲子轉(zhuǎn)移較弱东羹。另一方面，在非貴金屬中忠烛，聲子轉(zhuǎn)移增加并在界面處達(dá)到重要的溫度属提。這些金屬中重要的電子-聲子耦合導(dǎo)致晶格的大的熱弛豫。盡管鉑和鉻薄膜具有很強(qiáng)的電子-聲子耦合美尸，但到達(dá)金屬/二氧化硅界面的最高聲子溫度是在鋁界面獲得的冤议。這是由于鋁的熱容量低于鉻和鉑(見表一)。根據(jù)圖3中的插圖火惊，代表所考慮的6種材料在最初300 ps期間的金屬/二氧化硅界面聲子溫度求类。鋁和鉻膜具有一個(gè)重要的特征:與其他金屬相比，界面聲子溫度在更短的時(shí)間(40 ps)內(nèi)弛豫(表1中的值)屹耐。金屬/二氧化硅界面上的這種快速弛豫導(dǎo)致向目標(biāo)層的快速聲子傳輸尸疆。因此，鋁膜的熱行為惶岭， ...

致MoTe2晶格對(duì)稱性的選擇性的輕微破壞寿弱。圖1 在532nm激發(fā)光下的純的MoTe2, 1% Fe-MoTe2，2% Fe-MoTe2和5% Fe-MoTe2拉曼光譜圖圖2（a）顯示了具有代表性樣品的2% Fe-MoTe2的HRTEM（高分辨透射電鏡）顯示了連續(xù)的平面間距為0.305nm按灶，其對(duì)應(yīng)于2H-MoTe2的（100）晶格平面症革。并且四個(gè)不同地區(qū)相對(duì)應(yīng)的快速傅里葉轉(zhuǎn)換（FFT）研究了微量Fe離子摻雜的摻雜后對(duì)MoTe2晶格的影響。傅里葉圖中①和④的區(qū)域現(xiàn)實(shí)了單晶MoTe2的六方結(jié)構(gòu)鸯旁，但是在傅里葉轉(zhuǎn)化圖②和③的區(qū)域內(nèi)涌現(xiàn)出了雜質(zhì)相噪矛，表明引入的Fe離子的尺寸，此結(jié)果從微觀結(jié)構(gòu)上直觀的說明了Fe ...

m)的硅鍺超晶格的熱導(dǎo)率铺罢。ASOPS的另一個(gè)重要特性是探測(cè)速率可以比泵浦速率慢很多倍艇挨，fpump = nf probe+δf笼痹，其中n是整數(shù)呛每。這使得能夠以慢得多的采集速率對(duì)超快現(xiàn)象進(jìn)行采樣。例如纸厉，Pradere等人使用這種技術(shù)泉瞻，使用紅外相機(jī)以僅25 Hz的采集速率對(duì)30 KHz的熱波進(jìn)行采樣脉漏。您可以通過我們的官方網(wǎng)站了解更多的產(chǎn)品信息，或直接來電咨詢4006-888-532袖牙。 ...

致MoTe2晶格對(duì)稱性的選擇性的輕微破壞侧巨。圖1 在532nm激發(fā)光下的純的MoTe2, 1% Fe-MoTe2，2% Fe-MoTe2和5% Fe-MoTe2拉曼光譜圖圖2（a）顯示了具有代表性樣品的2% Fe-MoTe2的HRTEM（高分辨透射電鏡）顯示了連續(xù)的平面間距為0.305nm贼陶，其對(duì)應(yīng)于2H-MoTe2的（100）晶格平面刃泡。并且四個(gè)不同地區(qū)相對(duì)應(yīng)的相對(duì)應(yīng)的快速傅里葉轉(zhuǎn)換（FFT）研究了微量Fe離子摻雜的摻雜后對(duì)MoTe2晶格的影響巧娱。傅里葉圖中①和④的區(qū)域現(xiàn)實(shí)了單晶MoTe2的六方結(jié)構(gòu)，但是在傅里葉轉(zhuǎn)化圖②和③的區(qū)域內(nèi)涌現(xiàn)出了雜質(zhì)相烘贴，表明引入的Fe離子的尺寸禁添，此結(jié)果從微觀結(jié)構(gòu)上直觀的說 ...

的論文“用超晶格在半導(dǎo)體中放大電磁波的可能性”中提出的。在塊狀半導(dǎo)體晶體中桨踪，電子可能占據(jù)兩個(gè)連續(xù)能帶中的一個(gè)——價(jià)帶老翘，其中大量填充著低能電子；導(dǎo)帶锻离，其中少量填充著高能電子铺峭。這兩個(gè)能帶被一個(gè)帶隙隔開，在這個(gè)帶隙中沒有允許電子占據(jù)的狀態(tài)汽纠。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體激光二極管卫键，當(dāng)導(dǎo)帶中的高能量電子與價(jià)帶中的空穴重新結(jié)合時(shí)，通過單個(gè)光子發(fā)出光虱朵。因此莉炉，光子的能量以及激光二極管的發(fā)射波長(zhǎng)由所使用的材料系統(tǒng)的帶隙決定。然而碴犬，QCL在其光學(xué)活性區(qū)不使用塊半導(dǎo)體材料絮宁。相反，它由一系列周期性的不同材料組成的薄層組成服协，形成一個(gè)超晶格绍昂。超晶格在整個(gè)器件的長(zhǎng)度上引入了一個(gè)變化的電勢(shì)，這意味著在器件的長(zhǎng)度上偿荷，電子占據(jù)不同位置的概率是變 ...

輻射是通過超晶格量子阱[1]內(nèi)能級(jí)間的子帶間躍遷來實(shí)現(xiàn)的窘游。自1994年首次實(shí)驗(yàn)演示以來，QCL技術(shù)得到了巨大的發(fā)展跳纳。這些性能水平是結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)张峰、材料質(zhì)量和制造技術(shù)不斷改進(jìn)的結(jié)果[3-5]。目前棒旗，它正在成為中紅外(中紅外)和太赫茲(太赫茲)頻率范圍內(nèi)的激光源，并在氣體傳感撩荣、環(huán)境監(jiān)測(cè)铣揉、醫(yī)療診斷、安全和國(guó)防[6]中有許多應(yīng)用餐曹。西北大學(xué)量子器件中心(CQD)的目標(biāo)是推進(jìn)光電技術(shù)逛拱，從紫外到太赫茲光譜區(qū)域。這包括基于III-V半導(dǎo)體的許多不同技術(shù)的發(fā)展[7,8]台猴。自1997年以來朽合，CQD在量子級(jí)聯(lián)激光器QCL的發(fā)展上投入了相當(dāng)大的努力俱两，特別是在功率、電光轉(zhuǎn)換效率(WPE)曹步、單模操作宪彩、調(diào)諧和光束質(zhì)量方面，推動(dòng)Q ...

讲婚，稱為可以在晶格中自由運(yùn)動(dòng)的自由電子尿孔，而原共價(jià)鍵中出現(xiàn)一個(gè)空位，稱為空穴筹麸。自由電子和空穴都是載流子活合，載流子則是可以運(yùn)輸電流的載體。由于本征半導(dǎo)體導(dǎo)電性較差物赶，因此為了提高其導(dǎo)電性會(huì)在其中摻入少量雜質(zhì)白指，形成雜質(zhì)半導(dǎo)體。半導(dǎo)體PN結(jié)則是由一個(gè)P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體組合而成酵紫。N型半導(dǎo)體：N型半導(dǎo)體是在純凈的硅晶體中摻入五價(jià)元素（磷和砷）組成的告嘲。雜質(zhì)中四個(gè)價(jià)電子與硅組成共價(jià)鍵，剩余一個(gè)稱為自由電子（載流子）憨闰。因此N型半導(dǎo)體中載流子是自由電子状蜗。P型半導(dǎo)體：P型半導(dǎo)體是在硅中摻雜三價(jià)元素（硼）組成的。它和硅中價(jià)電子組成共價(jià)鍵時(shí)由于缺少一個(gè)價(jià)電子鹉动，從而形成空穴（載流子）轧坎。因此P型半導(dǎo)體中的載流子是空穴。將P型 ...

結(jié)構(gòu)和基底的晶格常數(shù)都是很重要的因子泽示。Al2O3和GaN都具有六方原子結(jié)構(gòu)缸血，其和MoS2的六方結(jié)構(gòu)很相似。如果基底的晶格常數(shù)可MoS2的晶格常數(shù)很好的匹配械筛，然后MoS2的單疇可能傾向于少于晶界的方向直線排列捎泻。Al2O3和GaN的晶格常數(shù)分別為4.76?和3.18?，并且和MoS2薄膜的晶格常數(shù)3.17?做比較埋哟。因此笆豁，Al2O3的晶格常數(shù)和MoS2的不匹配，然而卻可以和GaN相匹配赤赊。圖1. （a）和（b）得到了在SiO2基底上合成MoS2薄膜的拉曼光譜頻率成像圖闯狱，表明E_2g^1和A_1g峰分別在384cm-1和405cm-1處；（c）和（d）在特定頻率下的拉曼強(qiáng)度圖譜圖2（a）-（c）顯示了在 ...

子到斯格明子晶格的磁性相變抛计。使用原位磁光克爾成像哄孤，疇變換的廣義描述與 FORC 分布峰在其反轉(zhuǎn)場(chǎng)和掃描場(chǎng)的相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)出允許從 FORC 圖進(jìn)行直接分析。在分析中通常被忽略的峰的掃描場(chǎng)被認(rèn)為是疇傳播或成核向終端疇分離的過程吹截。這個(gè)流程發(fā)現(xiàn)在誘導(dǎo)磁化不可逆性以揭示域轉(zhuǎn)換方面是必不可少的瘦陈。此外凝危，還開發(fā)了一個(gè)以 FORC 分布峰為特征的模型，以描述從孤立的斯格明子到斯格明子晶格相的轉(zhuǎn)變晨逝，并確定轉(zhuǎn)變的重要場(chǎng)范圍蛾默。這個(gè)研究為 FORC 分布的其他抽象數(shù)據(jù)建立了一種直觀的分析形式，用于表征斯格明子活躍場(chǎng)中的磁性斯格明子8.用于賽道存儲(chǔ)器中疇壁釘扎的傾斜磁化Tilted magnetisation for do ...