Vertisis磁光克爾顯微系統(tǒng)的應(yīng)用論文集錦

正文

Vertisis磁光克爾顯微系統(tǒng)的應(yīng)用論文集錦

1. 減少合成反鐵磁體中Dzyaloshinskii-Moriya相互作用和無(wú)場(chǎng)自旋軌道轉(zhuǎn)矩開(kāi)關(guān)

Reducing Dzyaloshinskii-Moriya interaction and field-free spin-orbit torque switching in synthetic antiferromagnets

垂直磁化合成反鐵磁體(SAF)具有低凈磁化強(qiáng)度礁苗、高熱穩(wěn)定性以及易讀寫(xiě)等特點(diǎn)爬凑，取代磁隧道結(jié)的無(wú)鐵磁層成為自旋電子器件的核心，已成為人們研究的熱點(diǎn)。到目前為止于样，利用自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)實(shí)現(xiàn)垂直SAF的確定性開(kāi)關(guān)已有報(bào)道疏叨，但通常需要大的外部磁場(chǎng)來(lái)打破對(duì)稱性，難以應(yīng)用穿剖。結(jié)合理論分析和實(shí)驗(yàn)結(jié)果蚤蔓，我們發(fā)現(xiàn)鐵磁體與相鄰重金屬之間的界面結(jié)晶度對(duì)Dzyaloshinskii-Moriya相互作用的有效調(diào)節(jié)對(duì)疇壁構(gòu)型起著重要作用糊余。通過(guò)調(diào)整Bloch型和Néel型的疇壁結(jié)構(gòu)秀又，我們成功地在簡(jiǎn)單楔形結(jié)構(gòu)的[Co/Pd]/Ru/[Co/Pd] SAF器件中演示了無(wú)場(chǎng)SOT誘導(dǎo)磁化開(kāi)關(guān)。我們的工作為垂直SAF在SOT器件中的應(yīng)用提供了一條切實(shí)可行的途徑贬芥，為高密度吐辙、低雜散場(chǎng)昏苏、低功耗的磁記憶器件的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。

2. 在合成反鐵磁多層膜中具有穩(wěn)健可調(diào)性的人工斯格明子平臺(tái)

An artificial skyrmion platform with robust tunability in synthetic antiferromagnetic multilayers

磁斯格明子是拓?fù)渖戏瞧椒驳淖孕Y(jié)構(gòu)威沫，它們存在于無(wú)序排列的鐵磁耦合多層中已被報(bào)道贤惯。在這些多層膜中棒掠，重金屬間距層提供了Dzyaloshinskii-Moriya界面相互作用(DMI)孵构，以犧牲層間交換耦合(IEC)為代價(jià)穩(wěn)定斯格明子。為了滿足有序/可設(shè)計(jì)排列的功能要求颈墅，在本研究中，我們提出并實(shí)驗(yàn)證明了一種使用納米合成反鐵磁(SAF)多層膜的斯格明子成核的方案精盅。而不是依賴DMI帽哑，反鐵磁IEC在SAF多層膜具有成核和穩(wěn)定斯格明子的作用。

3. 電場(chǎng)控制的高效疇壁注入

Electric field control for energy efficient domain wall injection電法疇壁注入是一個(gè)能量消耗過(guò)程叹俏。這一過(guò)程通常是通過(guò)發(fā)送一個(gè)電流脈沖通過(guò)產(chǎn)生一個(gè)奧斯特磁場(chǎng)的帶狀線來(lái)局部改變磁線的磁化強(qiáng)度來(lái)實(shí)現(xiàn)的妻枕。在這項(xiàng)工作中，器件的磁特性通過(guò)電氣控制來(lái)調(diào)節(jié)屡谐，以降低注入DW所需的電流密度。提出的DW注入器件采用霍爾交叉結(jié)構(gòu)蝌数，簡(jiǎn)化了器件的制造過(guò)程，并允許在疇壁注入?yún)^(qū)域產(chǎn)生更大的Oersted場(chǎng)顶伞。50ns的電脈沖通過(guò)霍爾棒注入疇壁饵撑。結(jié)果疇壁的形成通過(guò)霍爾電阻的電性和克爾顯微鏡的光學(xué)性來(lái)檢測(cè)。結(jié)果表明唆貌，當(dāng)外加+250 MV/m的電場(chǎng)時(shí)，疇壁注入所需的電流密度降低了約20%锨咙。

4. 在室溫下[PtCoFeIr]₂多層膜通過(guò)一階反轉(zhuǎn)曲線增強(qiáng)零場(chǎng)斯格明子密度

Enhancement of zero-field skyrmion density in [PtCoFeIr]₂ multilayers at room temperature by the first-order reversal curve磁斯格明子是納米尺度上的一種新型拓?fù)渥孕Y(jié)構(gòu)语卤，人們已經(jīng)對(duì)其在室溫下的零場(chǎng)密度進(jìn)行了大量的研究酪刀。在本研究中粹舵，我們報(bào)道了一種利用一階反轉(zhuǎn)曲線(FORC)技術(shù)來(lái)提高[Pt/Co/Fe/Ir]2多層膜中零場(chǎng)磁疇密度的方法，以獲得磁化開(kāi)關(guān)過(guò)程中不可逆或可逆行為的信息骂倘。從FORC圖中可以看出稠茂，磁化逆轉(zhuǎn)機(jī)理可分為三個(gè)階段:(1)可逆迷宮條狀疇擴(kuò)展或收縮階段;(2)不可逆條帶域壓裂階段;(3)不可逆斯格明子湮滅階段柠偶。此外，從不可逆條帶域壓裂階段選擇反轉(zhuǎn)場(chǎng)睬关，可以大大提高零場(chǎng)斯格明子密度诱担。根據(jù)最大FORC分布ρ接近最高的斯格明子密度电爹。我們的結(jié)果建立了FORC測(cè)量作為研究高密度的磁多層膜的一個(gè)有價(jià)值的工具蔫仙。

5.  磁場(chǎng)輔助磁各向異性微調(diào)產(chǎn)生的斯格明子的分形分析

Fractal Analysis of Skyrmions Generated by Field-Assisted Fine-tuning of Magnetic Anisotropy

磁斯格明子是由其它鐵磁態(tài)成核的旋轉(zhuǎn)自旋結(jié)構(gòu)，在納米尺度器件中具有巨大的應(yīng)用潛力丐箩。為了實(shí)現(xiàn)這一潛力，重要的是找到有用的方法來(lái)產(chǎn)生受控的斯格明子施籍，并確定工具來(lái)定量描述它們的形成居扒。這里我們產(chǎn)生垂直磁化的斯格明子用分形分析研究了MgO/Mn2CoAl/Pd超薄膜的形成。利用平面內(nèi)場(chǎng)丑慎，我們修改了薄膜的有效磁各向異性喜喂，以控制薄膜中兩個(gè)不同的疇?wèi)B(tài)的斯格明子的成核: 迷宮疇通常存在于垂直材料和無(wú)特征的單疇鐵磁相中。通過(guò)分形分析竿裂，我們得到了與磁疇分形維數(shù)相關(guān)的磁相圖玉吁，該磁相圖可以描述磁態(tài)的演化過(guò)程，并可用于對(duì)斯格明子的形成進(jìn)行分類进副。此外，我們發(fā)現(xiàn)斯格明子的密度不僅由臨界物質(zhì)參數(shù)κ決定悔常，而且還由平面內(nèi)強(qiáng)磁場(chǎng)中斯格明子與斯格明子之間的排斥性相互作用決定。從而建立了一種可靠而有力的產(chǎn)生斯格明子的方法和分析斯格明子演化的方法这嚣。

6. 用于神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的突觸元素具有合成釘扎位點(diǎn)的磁疇壁裝置

Synaptic element for neuromorphic computing using magnetic domain wall device with synthetic pinning sites

近年來(lái)鸥昏，制造模仿人腦的裝置一直是科學(xué)研究的一個(gè)重要課題。目前的人工智能算法主要在馮·諾依曼硬件上執(zhí)行姐帚。這導(dǎo)致了處理速度的瓶頸，而且沒(méi)有能源效率障涯。在這項(xiàng)工作中罐旗，我們展示了一個(gè)基于磁疇壁器件的突觸元件唯蝶。利用硼(B+)離子注入的合成釘扎位點(diǎn)對(duì)疇壁運(yùn)動(dòng)進(jìn)行控制九秀，對(duì)疇壁運(yùn)動(dòng)進(jìn)行局部修飾。利用MagVision Kerr顯微鏡觀察了具有垂直磁各向異性的Co/Pd多層結(jié)構(gòu)的磁化開(kāi)關(guān)過(guò)程粘我。B+注入深度是通過(guò)改變Ta外層厚度來(lái)控制的鼓蜒≌髯郑克爾顯微鏡的結(jié)果與顯示多重電阻狀態(tài)的電線的電測(cè)量相關(guān)聯(lián)都弹。利用合成釘扎點(diǎn)控制疇壁運(yùn)動(dòng)被證明是一種可靠的神經(jīng)形態(tài)應(yīng)用技術(shù)匙姜。

7. 溫度調(diào)制磁斯格明子的相位及一階反轉(zhuǎn)曲線的變換分析

Temperature-modulated magnetic skyrmion phases and transformations analysis from first-order reversal curve study

我們對(duì) Pt/Co/Fe/Ir 磁性疊層進(jìn)行了溫度調(diào)制一階反轉(zhuǎn)曲線 (FORC) 研究畅厢，該疊層表現(xiàn)出隨著溫度升高從孤立的斯格明子到斯格明子晶格的磁性相變。使用原位磁光克爾成像框杜，疇變換的廣義描述與 FORC 分布峰在其反轉(zhuǎn)場(chǎng)和掃描場(chǎng)的相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)出允許從 FORC 圖進(jìn)行直接分析浦楣。在分析中通常被忽略的峰的掃描場(chǎng)被認(rèn)為是疇傳播或成核向終端疇分離的過(guò)程。這個(gè)流程發(fā)現(xiàn)在誘導(dǎo)磁化不可逆性以揭示域轉(zhuǎn)換方面是必不可少的振劳。此外，還開(kāi)發(fā)了一個(gè)以 FORC 分布峰為特征的模型油狂，以描述從孤立的斯格明子到斯格明子晶格相的轉(zhuǎn)變历恐，并確定轉(zhuǎn)變的重要場(chǎng)范圍。這個(gè)研究為 FORC 分布的其他抽象數(shù)據(jù)建立了一種直觀的分析形式选调，用于表征斯格明子活躍場(chǎng)中的磁性斯格明子

8. 用于賽道存儲(chǔ)器中疇壁釘扎的傾斜磁化

Tilted magnetisation for domain wall pinning in racetrack memory

基于疇壁運(yùn)動(dòng)的自旋電子學(xué)器件已經(jīng)引起了人們的廣泛關(guān)注夹供。然而，DW運(yùn)動(dòng)的隨機(jī)性仍然是DW器件實(shí)際應(yīng)用中的一個(gè)基本問(wèn)題仁堪。在本研究中哮洽，我們證明了利用垂直磁各向異性的Co/Ni多層膜(PMA)和平面內(nèi)磁各向異性的Co層(IMA)之間的交換相互作用可以實(shí)現(xiàn)有效的疇壁釘扎，從而產(chǎn)生局部?jī)A斜磁化弦聂。通過(guò)改變PMA和IMA層之間間隔層Pt的厚度來(lái)調(diào)節(jié)交換相互作用的強(qiáng)度，從而形成不同的傾斜角度莺葫。通過(guò)微磁模擬驗(yàn)證了釘扎場(chǎng)與磁化傾角的關(guān)系匪凉。極性Kerr顯微鏡顯示了電流驅(qū)動(dòng)的DW釘扎和脫釘在具有Co交叉桿的Co/Ni多層器件中，其中間隔層Pt厚度為1 nm捺檬。提出的方法可以在未來(lái)的DW內(nèi)存設(shè)備應(yīng)用程序中使用再层。

9. Pt[CoNi]nCoTa多層霍爾棒的確定性自旋軌道轉(zhuǎn)矩誘導(dǎo)磁化逆轉(zhuǎn)

Deterministic Spin-Orbit Torque Induced Magnetization Reversal In Pt[CoNi]nCoTa Multilayer Hall Bars

電流誘導(dǎo)的自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)作為控制納米磁結(jié)構(gòu)磁化強(qiáng)度的一種有效方法引起了廣泛的關(guān)注。SOT誘導(dǎo)的磁化逆轉(zhuǎn)通常在平面內(nèi)偏置磁場(chǎng)的幫助下實(shí)現(xiàn)堡纬。本文中聂受，我們證明了通過(guò)選擇具有弱平面外磁各向異性的薄膜層，可以在微米級(jí)多層膜中實(shí)現(xiàn)無(wú)場(chǎng)SOT誘導(dǎo)開(kāi)關(guān)烤镐。利用直流電蛋济，在Pt/[Co/Ni]₂/Co/Ta結(jié)構(gòu)中獲得了確定的雙極磁化逆轉(zhuǎn)。Kerr成像表明碗旅，SOT誘導(dǎo)的磁化開(kāi)關(guān)過(guò)程是通過(guò)反疇的成核和疇壁在系統(tǒng)中的傳播來(lái)完成的竞阐。

10. Pt (Co Ni) ₄Co IrMn自旋軌道轉(zhuǎn)矩誘導(dǎo)磁化各向異性調(diào)制 

Spin-orbit torque induced magnetization anisotropy modulation in Pt (Co Ni)₄ Co IrMn

在這項(xiàng)工作中，我們展示了一個(gè)系統(tǒng)內(nèi)的疇壁動(dòng)力學(xué)提供了一個(gè)替代平臺(tái)來(lái)表征自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)有效場(chǎng)蓖救。在具有Pt/(Co/Ni)₄/Co/IrMn疊加結(jié)構(gòu)的垂直磁化導(dǎo)線中积瞒，差分克爾成像表明磁化開(kāi)關(guān)過(guò)程是通過(guò)胚態(tài)成核和疇壁傳播進(jìn)行的川尖。通過(guò)探測(cè)平面內(nèi)場(chǎng)中電流誘導(dǎo)的DW運(yùn)動(dòng)，利用諧波霍爾電壓法得到SOT的有效場(chǎng)。SOT有效場(chǎng)使結(jié)構(gòu)的有效各向異性場(chǎng)減小12%叮喳，且隨著線內(nèi)平面內(nèi)電流的增加被芳。

11. 由Dzyaloshinskii-Moriya相互作用引起的分叉PMA線結(jié)構(gòu)的不對(duì)稱疇壁傳播

Asymmetrical domain wall propagation in bifurcated PMA wire structure due to the Dzyaloshinskii-Moriya interaction

控制復(fù)雜磁網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中的疇壁運(yùn)動(dòng)對(duì)自旋器件的開(kāi)發(fā)具有重要意義。在這里馍悟，我們報(bào)告一個(gè)傳播的動(dòng)態(tài)具有垂直磁各向異性(PMA)分叉鐵磁線的DW畔濒。線結(jié)構(gòu)中的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)使注入的DW產(chǎn)生傾斜角度，從而導(dǎo)致通過(guò)網(wǎng)絡(luò)分支的準(zhǔn)選擇性傳播锣咒。DW 傾斜導(dǎo)致DW之間的場(chǎng)間隔到達(dá)各個(gè)分支中的霍爾條侵状。微磁結(jié)果進(jìn)一步表明毅整，通過(guò)調(diào)整DMI的強(qiáng)度趣兄，可以實(shí)現(xiàn)對(duì) PMA 復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中DW動(dòng)力學(xué)的控制悼嫉。

12. 垂直疊加結(jié)構(gòu)中垂直壁運(yùn)動(dòng)的雙向高速域壁運(yùn)動(dòng)

Bi-directional high speed domain wall motion in perpendicular wall motion in perpendicular stack structures

我們報(bào)道了Co/中沿和逆電流方向的雙向疇壁運(yùn)動(dòng)帶Ta封蓋的Pt雙疊線艇潭。雙向性是通過(guò)應(yīng)用對(duì)Dzyloshinskii-Moriya相互作用(DMI)有利和相反的硬軸磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)的戏蔑。當(dāng)硬軸磁場(chǎng)有利于DMI并沿電流方向流動(dòng)時(shí)蹋凝，得到的速度增強(qiáng)。Co/Pt雙堆是對(duì)高自旋軌道轉(zhuǎn)矩強(qiáng)度Pt/的一種改進(jìn)Co/Ta疊加总棵，提高其熱穩(wěn)定性和垂直磁各向異性(PMA)鳍寂。得到的速度隨著DMI的減小而減小迄汛，而隨著SOT強(qiáng)度的增大而增大Ta封蓋厚度。對(duì)于器件應(yīng)用骤视，在1 × 10¹² A/m²的合理電流密度下獲得的速度高達(dá) 530 m/s隔心。該裝置的低各向異性，加上硬軸磁場(chǎng)的應(yīng)用尚胞，通過(guò)防止Walker擊穿來(lái)增強(qiáng)速度帜慢。 

13. RKKY轉(zhuǎn)矩對(duì)自旋霍爾角相反合成反鐵磁納米線疇壁運(yùn)動(dòng)的影響

Role of RKKY torque on domain wall motion in synthetic antiferromagnetic nanowires with opposite spin Hall angles

通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究了增強(qiáng)自旋軌道和RKKY誘導(dǎo)力矩對(duì)合成反鐵磁(SAF)納米線中一對(duì)疇壁(DWs)的電流誘導(dǎo)運(yùn)動(dòng)的影響笼裳。自旋霍爾效應(yīng)(SHE)產(chǎn)生的力矩使Néel DWs對(duì)向橫向旋轉(zhuǎn)，這是由于自旋霍爾角相反的重金屬沉積在頂部和底部鐵磁界面上躬柬。這兩個(gè)DW的非共線旋轉(zhuǎn)極大地干擾了反鐵磁耦合，進(jìn)而刺激了層間RKKY交換力矩的增強(qiáng)抽减，從而提高了DW的速度允青。通過(guò)微磁仿真驗(yàn)證了she誘導(dǎo)轉(zhuǎn)矩與RKKY交換轉(zhuǎn)矩之間的相互作用卵沉。此外颠锉，增加RKKY交換強(qiáng)度還可以進(jìn)一步提高DW速度法牲。 

14. 自旋軌道轉(zhuǎn)矩通過(guò)不對(duì)稱疇壁傳播誘導(dǎo)磁化反轉(zhuǎn)

Spin orbit torques induced magnetization reversal through asymmetric domain wall propagation in TaCoFeBMgO structures

利用反常霍爾效應(yīng)和克爾效應(yīng)顯微技術(shù)琼掠，研究了垂直磁化Ta/CoFeB/MgO結(jié)構(gòu)中Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)下自旋軌道力矩引起的磁化逆轉(zhuǎn)拒垃。通過(guò)對(duì)面內(nèi)場(chǎng)相關(guān)的自旋轉(zhuǎn)矩效率測(cè)量結(jié)果的分析悼瓮，得到了~300 Oe的DMI的有效場(chǎng)值，這對(duì)穩(wěn)定Néel膜層壁起著關(guān)鍵作用艰猬。Kerr成像結(jié)果表明横堡，在小、中平面內(nèi)場(chǎng)作用下命贴，電流誘導(dǎo)的反轉(zhuǎn)是由霍爾棒邊緣的疇形核介導(dǎo)的，其次是不對(duì)稱的疇壁(DW)傳播腊满。然而套么，隨著面內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)的增加，在達(dá)到完全反轉(zhuǎn)之前觀察到一個(gè)各向同性的DW膨脹碳蛋。微磁模擬的DW結(jié)構(gòu)在CoFeB層表明胚泌，DMI和外場(chǎng)共同作用下的DW構(gòu)型是造成DW傳播行為的主要原因

15.  原位克爾和諧波測(cè)量確定MgOCoFeBTa中電流誘導(dǎo)有效場(chǎng)

In situ Kerr and harmonic measurement in determining current-induced effective fields in MgOCoFeBTa

采用諧波測(cè)量和原位克爾成像相結(jié)合的方法，實(shí)驗(yàn)確定了MgO/CoFeB/Ta結(jié)構(gòu)的自旋軌道有效場(chǎng)肃弟。在這里玷室，我們通過(guò)解析能方法評(píng)估SO有效場(chǎng)穷缤，通過(guò)將異常霍爾效應(yīng)和平面霍爾效應(yīng)(PHE)電壓轉(zhuǎn)化為依賴于的場(chǎng)箩兽，同時(shí)用微分克爾顯微鏡成像磁化行為津肛。分析擬合測(cè)量數(shù)據(jù)表明兩橫場(chǎng)的顯著的共存,HT,縱向磁場(chǎng),HL,在縱向(HL = -12 Oe, HT = 8 Oe / 106 A cm?2)和橫向(HL = -12 Oe, HT = -17 Oe / 106 A cm?2)測(cè)量方案,分別由于板式換熱器。此外身坐，原位Kerr成像還觀察到CoFeB/Ta界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)的影響。微磁模擬證實(shí)了樹(shù)枝狀疇的形成和邊緣傾斜的磁化落包，是由于DMI部蛇。

16. CoPd多層膜的納米尺度成分修飾用于在賽道存儲(chǔ)器中進(jìn)行可控域壁釘固定

Nanoscale Compositional Modification in CoPd Multilayers for Controllable Domain Wall Pinning in Racetrack Memory

在社交媒體時(shí)代，信息的儲(chǔ)存扮演著重要的角色咐蝇。磁疇壁存儲(chǔ)設(shè)備是有前途的替代硬磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的大容量存儲(chǔ)涯鲁。使這些器件用于實(shí)際應(yīng)用的挑戰(zhàn)之一是精確控制納米線中的疇壁位移。研究人員已經(jīng)廣泛地研究了基于光刻制造的地形缺口的疇壁釘扎。然而抹腿，將疇壁內(nèi)存擴(kuò)展到納米級(jí)需要更好的疇壁固定策略。在這篇文章中髓需，我們證明了離子注入對(duì)Co/Pd多層基納米線磁性能的局部修飾 是一種有效的非形貌方法。首先房蝉，通過(guò)微磁模擬僚匆，表明在 組成被修改以調(diào)整各向異性和磁化強(qiáng)度的區(qū)域充當(dāng) 疇壁釘固定中心。實(shí)驗(yàn)上搭幻，從磁化測(cè)量和薄膜水平的X射線衍射測(cè)量咧擂，表明離子注入在改變磁各向異性方面是有效的。此外檀蹋，還制作了器件松申，并利用不同應(yīng)用領(lǐng)域的克爾圖像顯示俯逾，疇壁被固定在Bt離子注入?yún)^(qū)域贸桶。這些結(jié)果表明，利用離子注入的局部成分修飾可以精確地釘住疇壁桌肴。研究結(jié)果為實(shí)現(xiàn)大容量信息存儲(chǔ)提供了參考。

17.  通過(guò)改變Pt插入層厚度來(lái)調(diào)節(jié)垂直磁化PtCoPt(t)Ta結(jié)構(gòu)的自旋軌道轉(zhuǎn)矩有效場(chǎng)

Tuning the spin-orbit torque effective fields by varying Pt insertion layer thickness in perpendicularly magnetized PtCoPt(t)Ta structures

我們實(shí)驗(yàn)確定坠七，在Co/Ta界面之間插入Pt層可以有效抵消垂直磁化Pt/Co/Pt(t)/Ta結(jié)構(gòu)中的類場(chǎng)自旋軌道轉(zhuǎn)矩(SOT)，因?yàn)镻t/Co和Co/Pt界面上的Rashba效應(yīng)相互抵消彪置≈糇伲可以通過(guò)改變Pt插入層的厚度來(lái)調(diào)節(jié)類阻尼項(xiàng)，從而改變SOT有效場(chǎng)的符號(hào)和大小拳魁。Pt/Co和Co/Pt界面存在不對(duì)稱的SOT貢獻(xiàn)惶桐，導(dǎo)致在不同的插入Pt和底部Pt層厚度下獲得零阻尼樣SOT。像SOT一樣改變阻尼符號(hào)的能力允許在SOT設(shè)備中控制磁開(kāi)關(guān)方向潘懊。

18. 磁性能的納米修飾用于有效的疇壁釘扎

Nanoscale modification of magnetic properties for effective domain wall pinning

將信息存儲(chǔ)在多根磁性納米線中的磁疇壁存儲(chǔ)技術(shù)耀盗，是在不久的將來(lái)存儲(chǔ)大量數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的潛在概念，這是由于社交媒體和計(jì)算設(shè)備的廣泛使用而產(chǎn)生的。然而舌厨，疇壁記憶的技術(shù)難題之一是在納米尺度上可控釘扎疇壁岂却。在這里，我們證明了穩(wěn)定疇壁的可能性躏哩，通過(guò)利用元素的熱擴(kuò)散從交叉棒狀結(jié)構(gòu)納米尺度的磁性性質(zhì)的修改署浩。我們已經(jīng)用克爾顯微鏡檢查和評(píng)估了納米線的磁性。通過(guò)小環(huán)(磁阻與磁場(chǎng))測(cè)量扫尺，我們的Ni80Fe20納米線由Cr擴(kuò)散引起的釘扎場(chǎng)估計(jì)約為8 kA/m筋栋。提出的概念可能在未來(lái)的領(lǐng)域墻壁內(nèi)存應(yīng)用中使用。

19. 空間約束微波合成具有高性能紫外光探測(cè)的三層生物晶體

Space-confined microwave synthesis of ternary-layered BiOClcrystals with high-performance ultraviolet photodetection

近年來(lái)正驻，二維(2D)三元材料因其新奇的性質(zhì)而引起了廣泛的關(guān)注姑曙，它可以通過(guò)調(diào)節(jié)其化學(xué)成分來(lái)實(shí)現(xiàn)襟交，具有很大的自由度和可調(diào)空間。然而伤靠，二維三元材料的精確合成還面臨著巨大的挑戰(zhàn)捣域，阻礙了其進(jìn)一步的發(fā)展。在這項(xiàng)工作中焕梅，我們展示了一種簡(jiǎn)單而可靠的方法，通過(guò)微波輔助的空間限制過(guò)程卦洽，在短時(shí)間內(nèi)(<3分鐘)合成二維三層BiOCl晶體贞言。對(duì)其紫外檢測(cè)性能進(jìn)行了系統(tǒng)分析≈鹧基于獲得的BiOCl血小板的光電探測(cè)器對(duì)266 nm激光照明具有很高的靈敏度蜗字。響應(yīng)率計(jì)算為8 A/W，響應(yīng)時(shí)間為18 ps脂新。另一方面挪捕，在環(huán)境空氣中暴露3周后争便，該設(shè)備相當(dāng)穩(wěn)定，在測(cè)量過(guò)程中響應(yīng)幾乎沒(méi)有變化滞乙。單晶BiOCl血小板的快速合成及其對(duì)紫外光照射的高靈敏度表明了2D BiOCl光電探測(cè)器在光電領(lǐng)域的潛在應(yīng)用前景奏纪。

關(guān)于生產(chǎn)商：

Vertisis Technology Pte Ltd是南洋理工大學(xué)(NTU)通過(guò)NTU的創(chuàng)新和企業(yè)公司和新加坡APP系統(tǒng)服務(wù)公司的合資企業(yè)，旨在從2017年起將尖端技術(shù)商業(yè)化斩启。Vertisis已經(jīng)成功地生產(chǎn)了表征磁性器件及其對(duì)最終產(chǎn)品收率的關(guān)鍵影響的顯微系統(tǒng)序调。其核心技術(shù)來(lái)源于南洋理工大學(xué)物理實(shí)驗(yàn)室發(fā)現(xiàn)的一項(xiàng)新技術(shù)——物鏡上的法拉第效應(yīng)還原技術(shù)，以更好地建立磁疇過(guò)程中的克爾成像发绢。這種新開(kāi)發(fā)的磁顯微鏡技術(shù)具有獨(dú)特的系統(tǒng)硬耍、組件和專有軟件，在自旋電子學(xué)和半導(dǎo)體相關(guān)行業(yè)中有廣泛的應(yīng)用边酒。自推出以來(lái)经柴，許多系統(tǒng)已成功安裝在世界知名的大學(xué)和研究機(jī)構(gòu)墩朦，在新加坡和整個(gè)亞太地區(qū)取得了優(yōu)異的成績(jī)坯认。通過(guò)不斷創(chuàng)新，滿足全球目標(biāo)市場(chǎng)的功能需求氓涣，公司始終處于技術(shù)的前沿牛哺。我們將充滿激情，前瞻性荆隘，理解并提供解決方案，以滿足您的技術(shù)創(chuàng)新需求赴背。

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