光尋址空間光調(diào)制器
PROM是一種典型的光尋址空間光調(diào)制器（OASLM）久信，采用光折變晶體Bi12SiO20(BSO), Bi12GeO20(BGO)，光尋址空間光調(diào)制器的晶體可同時(shí)用作電光和光導(dǎo)介質(zhì)漓摩。PROM光尋址空間光調(diào)制器的基本原理如下裙士，光敏層檢測(cè)寫入光束強(qiáng)度分布，并誘導(dǎo)晶體內(nèi)部的電子電荷分布管毙。晶體的光學(xué)性質(zhì)會(huì)隨著光誘導(dǎo)電子電荷或光電壓的變化而發(fā)生變化腿椎。施加的電偏壓使移動(dòng)載體漂移到晶體/電介質(zhì)界面，直到晶體中的電場(chǎng)被抵消夭咬。BSO啃炸、BGO晶體中的光致空間電荷通過(guò)電光縱向波克爾效應(yīng)調(diào)制雙折射。光尋址空間光調(diào)制器所調(diào)制信號(hào)的讀出可使用透射或反射模式下的相干光束來(lái)實(shí)現(xiàn)卓舵。我司提供的一種新型PROM調(diào)制器南用，可用于特定光譜范圍和入射輻射功率的應(yīng)用。
光尋址空間光調(diào)制器特點(diǎn)：
◆ 利用普通激光寫入/檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)掏湾，有效讀取紫外線训枢、X射線信息
◆ BSO和BGO同時(shí)兼做電光和光導(dǎo)晶體
光尋址空間光調(diào)制器技術(shù)參數(shù)：
| 有效面積 | ? 20 mm |
| 電光介質(zhì) | BGO crystal |
| 晶體厚度 | 0.2 – 2 mm |
| 電極 | S1: Al metal or ITO S2: ITO |
| 光學(xué)結(jié)構(gòu) | Al (or ITO)/BGO/ITO |
| 封裝方式 | Plastic 50X70X30 With connector |
光尋址空間光調(diào)制器應(yīng)用：
▲ 非相干光增強(qiáng)
▲ 圖像或信號(hào)相關(guān)
▲ 實(shí)時(shí)空間濾波
▲ 二維邏輯操作
▲ X射線探測(cè)
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產(chǎn)品標(biāo)簽：光尋址空間光調(diào)制器, OASLM,BSO,BGO,PROM,PRIZ,LCLV,OALV
