5×5陣列形病，950~1650nm客年，具有溫度穩(wěn)定功能的近紅外離散放大光子探測器陣列
美國Amplification Technologies近紅外離散放大光子探測器陣列（DAPD：Discrete Amplification photon detector）5×5陣列近紅外探測器，具有溫度穩(wěn)定功能漠吻。Amplification1550系列5x5近紅外光電探測器可實(shí)現(xiàn)近紅外光譜響應(yīng)量瓜，950nm至1650nm、高速自淬火近紅外銦鎵砷探測器5x5 Array途乃，專為3D激光雷達(dá)應(yīng)用而設(shè)計(jì)绍傲。DAPDNIR 5x5 Array探測器利用了Amplification Technologies開發(fā)的突破性離散放大方法，該方法使用多通道放大和單片集成負(fù)反饋雪崩機(jī)制來放大低電平電信號耍共。離散放大技術(shù)具有內(nèi)部放大功能烫饼，可提供非常高的增益（約100,000），這與非常低的過量噪聲系數(shù)（低于1.05）和快速響應(yīng)（上升時(shí)間快于0.6ns）相結(jié)合试读。這些特性使NIR陣列式光電探測器DAPD能夠檢測單光子杠纵，并優(yōu)化極弱光水平的檢測。
離散放大InGaAs光子探測器陣列采用KOVAR材料制成的密封包裝钩骇，其中包括一個(gè)低功率兩級熱電冷卻器（TEC）和一個(gè)熱敏電阻比藻。該包裝允許Amplification探測器在寬環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作，同時(shí)使1550系列5x5探測器芯片陣列保持在-50°C的工作溫度倘屹。
近紅外銦鎵砷探測器陣列的主要特點(diǎn)：
5×5陣列近紅外探測器采用In0.47Ga0.53As吸收器設(shè)計(jì)银亲，可在950nm至1650nm的寬波長范圍內(nèi)工作
設(shè)計(jì)用于在各種環(huán)境溫度下運(yùn)行，其中使用低功率兩級熱電冷卻器冷卻陣列溫度
針對0.1ns至20ns激光雷達(dá)脈沖檢測的定制設(shè)計(jì)纽匙，具有高達(dá)50MHz的高重復(fù)頻率
NIR InGaAs光子探測器陣列具有好的的偏置電壓穩(wěn)定性
每光子約75,000電子的高增益务蝠，足夠高以允許50Ω射頻前置放大器；無需進(jìn)行跨阻抗匹配
低噪聲因子
NIR陣列式光電探測器主要應(yīng)用：
1550系列5x5近紅外光電探測器系列設(shè)計(jì)用于激光雷達(dá)系統(tǒng)烛缔、三維激光雷達(dá)成像和環(huán)境監(jiān)測應(yīng)用馏段。該NIR InGaAs光子探測器陣列針對0.5ns至20ns的激光脈沖長度進(jìn)行了優(yōu)化。25個(gè)探測器中的每個(gè)探測器都分別連接到封裝中的專用引腳力穗，在封裝的四面都有公共陰極連接毅弧。能夠連接到25個(gè)像素中的任何一個(gè)提供了多個(gè)級別的靈活性。例如当窗，離散放大InGaAs光子探測器陣列可以連接成四分之一配置或作為單個(gè)寬面積探測器。
NIR InGaAs探測器陣列作為50Ω系統(tǒng)的電子放大提供了額外的設(shè)計(jì)功能靈活性寸宵，使用現(xiàn)成的50Ω電子放大崖面。陣列設(shè)計(jì)為在脈沖檢測模式下以恒定偏置運(yùn)行，以連續(xù)模式運(yùn)行梯影，進(jìn)一步降低了電氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜性巫员，并提供了許多選項(xiàng)來將Amplification探測器陣列系統(tǒng)與模擬到數(shù)字采樣系統(tǒng)、幀抓取器等進(jìn)行集成甲棍。
近紅外探測器陣列的規(guī)格：
注：下表的數(shù)據(jù)規(guī)格均是在封裝環(huán)境溫度為-45°C時(shí)得出的
參數(shù) | DAPDNIR 5x5 Array 1550 series 100 μm Pitch | 單位 |
有效區(qū)域尺寸 | 500 by 500 | μm2 |
有效區(qū)域單像素 | 90 by 90 | μm2 |
像素?cái)?shù) | 25 | - |
光子檢測效率@1064nm (PDE)1 | 15 | % |
光譜響應(yīng)范圍（λ） | 950-1650 | nm |
單光電子增益 (M) | 1x105 | - |
過量噪聲系數(shù) | 1.05 | - |
暗計(jì)數(shù)率（單像素） | 4 | MHZ |
工作偏置 | 50-70 | V |
上升時(shí)間（10%- 90%） | 600 | ps |
單放大通道恢復(fù)時(shí)間（-35℃時(shí)） | 50 | ns |
絕對額定值 | ||
損傷閾值 | 0.5 | nJ |
工作電流（反向偏置） | 50 | μA |
工作電壓 | -(Vop+4)2 | V |
（1）光子檢測效率包括后脈沖简识。
（2）靈敏度的工作偏置Vop由Amplification Technologies測試后提供。
產(chǎn)品標(biāo)簽：光電探測器陣列,DAPD,Amplification Technologies,陣列近紅外探測器,散放大光子探測器陣列
