雙馬赫曾德爾IQ強(qiáng)度調(diào)制器/QPSK,QAM單邊帶產(chǎn)生電光調(diào)制器
馬赫增德爾IQ調(diào)制器概述
光波導(dǎo)型IQ調(diào)制器一共有三個MZ干涉波導(dǎo)結(jié)構(gòu)組成（一個母MZ干涉結(jié)構(gòu)，兩個子MZ干涉結(jié)構(gòu)）器净，其中I為in-phase型雳，Q為quadrature，控制調(diào)制器的射頻輸入即IQ信號為同相正交信號山害，即Q與I的相位相差了90度纠俭。IQ型調(diào)制器在QAM，QPSK等高階調(diào)制格式和單邊帶產(chǎn)生中運(yùn)用廣泛浪慌。
圖1：調(diào)制器內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
法國IXBLUE(原Photline）生產(chǎn)的基于x-cut設(shè)計的雙馬赫曾德爾調(diào)制器有相對更穩(wěn)定和零啁啾的特性冤荆，并且具有高消光比和高帶寬的性能。因?yàn)榫哂懈咧鬏d波抑制比权纤，被廣泛用在單邊帶產(chǎn)生（Single Side Band）相關(guān)應(yīng)用中钓简。
IQ調(diào)制器性能參數(shù)
| Parameter | Min | Typ | Max | Max |
| Operating wavelength | 1530 | 1550 | 1580 | nm |
| insertion loss | - | 5 | 7 | dB |
| carrier attenuation | 32 | 40 | - | dB |
| Side-Band attenuation | 32 | 40 | - | dB |
| Electro-optical bandwidth | 20 | 25 | - | GHz |
CS-SSB 單邊帶產(chǎn)生 載波和副載波抑制效果
單邊帶調(diào)制示意圖
可配套驅(qū)動和偏壓控制器
詳情請聯(lián)系我司。
產(chǎn)品標(biāo)簽： MZ干涉,雙馬赫曾德爾干涉,載波抑制,單邊帶產(chǎn)生，高消光比究流，QPSK,QAM,EOM,Dual parallel MZM,MZM
