美國Hinds Instruments, Inc公司是光彈調制器的（photoelastic modulators）生產商昏鹃。Hinds Instruments公司的PEM光彈調制器可以控制光束的偏振狀態(tài)的改變尚氛，調制速率為20~100kHz。光彈調制器（PEM）的作用就像一個“動態(tài)的波片”洞渤，可以使快軸和慢軸之間產生一個周期變化的折射率差阅嘶，從而控制透過光束的偏振進行周期性的變化。具體而言即载迄，光彈調制器（photoelastic modulators）通過對線偏振光添一定的相位使輸出光在圓偏振讯柔、橢圓偏振、線偏振等狀態(tài)之間井進行變化护昧，同時光彈調制器（PEM）還可以使光在左旋魂迄、右旋兩種狀態(tài)之間進行切換。
光彈調制器對比聲光調制器捏卓、電光調制器极祸、液晶調制器的獨特之處包括：
大通光孔徑（15到30mm慈格，標準）怠晴，同時保持很高的調制器頻率
超大接受角度（市場角）范圍（+/- 20°）
波長覆蓋范圍大（170nm~10um，F(xiàn)IR~THz）
高損傷閾值
可控制相位延遲
美國Hinds Instruments, Inc公司PEM光彈調制器電學和光學頭封裝在不同的部件中浴捆。這樣能夠很小化光學系統(tǒng)單元的尺寸蒜田，同樣也使得光學頭與磁場或真空兼容（當這些有需要的時候）
應用舉例：
Hinds Instruments光彈調制器主要分為兩個系列：
Series I 系列光彈調制器使用矩形光學原件冲粤，波長覆蓋紫外美莫、可見光和紅外至1或者2um。
Series II系列光彈調制器使用對稱或者八角形的光學原件梯捕，波長覆蓋可見和紅外（到中紅外）頻譜區(qū)域厢呵。特殊的型號可用于紫外。
Hinds Instruments公司光彈調制器的光學頭使用不同的光學材料傀顾，材料的選取主要取決于儀器頻譜透射率的需要襟铭。表1列出了通常使用的材料。
TABLE 1 | ||
spectral region | SERIES | MATERIAL |
Vacuum UV, UV | I | Lithium Fluoride |
Vacuum UV to mid-IR | I,II | Calcium Fluoride |
Vacuum UV to near-IR | I,II | Fused Silica |
Mid-visible to mid-IR | II | Zinc Selenide |
Near- to mid-IR | II | Silicon |
相對于Series II八角形光學元件短曾，Series I矩形的光學元件在相同厚度的情況下寒砖，相位延遲量更少。在紅外波段嫉拐，這是一個缺點哩都，但是在紫外波段，尤其是真空紫外婉徘，這則變成為了一個很大優(yōu)點漠嵌。
八角形（Series II）光學元件在給定的厚度下更加的有效率，因此在紅外波段有更多的優(yōu)勢盖呼。使用Series II操作低延遲量（例如：深紫外）或許會造成一些問題献雅。
可選選項（規(guī)格和價格會因為客戶需要而改變，詳情詢問昊量光電的工程師）
增透膜塌计，Model ARC挺身。防反射膜可用于任何光學調制器上，窄帶寬和寬帶寬鍍膜都可得锌仅。
請聯(lián)系昊量光電關于頻譜范圍和透射率要求
無干涉選項章钾，Model NIO。這一項用于偏轉光束路徑热芹，因此消除了調制器干涉
特殊頻率贱傀，Model SFO。標準的調制頭配以特殊頻率
特殊光學頭/電學頭電纜伊脓，Model SLHH
特殊調制頭附件府寒，Model SHE。光學頭可以根據客戶需要提供特殊形狀
真空操作报腔。PEM可用于真空環(huán)境株搔，詳情請詢問Hinds
磁場兼容選項，Model MFC纯蛾。光學頭不含任何磁鐵材料纤房，用于強磁場中
基本指標
Model | Optical Material | Nominal Frequency | Retardation Range | Useful aperture1 | |
Quarter Wave | Half Wave | ||||
I/FS50 | Fused Silica | 50 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 16mm |
I/FS20 | Fused Silica | 20 KHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 22mm |
I/CF50 | Calcium Fluoride | 50 kHz | 130nm - 2μm | 130nm - 1μm | 16mm |
II/FS20A | Fused Silica | 20 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 56mm |
II/FS20B | Fused Silica | 20 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 56mm |
II/FS42A | Fused Silica | 42 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 27mm |
II/FS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/FS47A | Fused Silica | 47 kHz | 170nm - 2μm | 170nm - 1μm | 24mm
|
II/FS47B | Fused Silica | 47 kHz | 1.6μm - 2.6μm | 800nm - 2.5μm | 24mm |
II/FS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 2.5μm | 400nm - 2.5μm | 13mm |
II/IS42B | Fused Silica | 42 kHz | 1.6μm - 3.5μm | 800nm - 2.5μm | 27mm |
II/IS84 | Fused Silica | 84 kHz | 800nm - 3.5μm | 400nm - 1.8μm | 27mm |
II/CF57 | Calcium Fluoride | 57 kHz | 2μm - 8.5μm | 1μm - 5.5μm | 23mm |
II/ZS37 | Zinc Selenide | 37 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 9μm | 19mm |
II/ZS50 | Zinc Selenide | 50 kHz | 2μm - 18μm | 1μm - 10μm | 14mm |
II/SI40 | Silicon | 40 kHz | FIR - THz | FIR - THz | 36mm |
II/SI50 | Silicon | 50 KHz | FIR - THz | FIR - THz | 29mm |
產品標簽：光彈調制器,美國Hinds Instruments公司,PEM
