方形明场、三角形晶格等）來(lái)設(shè)計(jì)不同量子比特之間的相互作用汽摹。圖1 使用空間光調(diào)制器（SLM）生成的點(diǎn)陣圖2 Mikhail D. Lukin團(tuán)隊(duì)使用的光路圖什么是空間光調(diào)制器？空間光調(diào)制器（Spatial Light Modulator苦锨，SLM）是一種基于液晶的雙折射原理逼泣，對(duì)光波的相位和振幅進(jìn)行調(diào)制的設(shè)備。液晶分子的排列可由外部電場(chǎng)控制逆屡，改變施加在液晶單元上的電壓圾旨，分子排列改變，進(jìn)而影響液晶層光學(xué)性質(zhì)魏蔗，實(shí)現(xiàn)對(duì)光波相位或振幅的調(diào)制。對(duì)于向列型液晶痹筛，液晶分子長(zhǎng)軸方向折射率與短軸不同莺治，電壓改變分子排列方向，使通過(guò)液晶層的光波相位因折射率變化而改變帚稠。圖3 液晶空間光調(diào)制器的工作原理圖圖4 常見(jiàn)的液晶空間光調(diào) ...
和相對(duì)較低的晶格熱導(dǎo)率谣旁。此外，Te的潛力可以廣泛應(yīng)用于（光）電子學(xué)滋早、自旋電子學(xué)榄审、熱電學(xué)、和選擇性器件杆麸，其p型輸運(yùn)行為搁进、強(qiáng)大的手性、較強(qiáng)的熱電性能和快速開(kāi)關(guān)性能均很出色昔头。由于其獨(dú)特的性能饼问，由于Te在高溫下會(huì)發(fā)生熱擴(kuò)散和解析，所以必須開(kāi)發(fā)一種薄膜定制生長(zhǎng)技術(shù)揭斧，以解決相關(guān)問(wèn)題莱革。迄今為止，多種方法如物理熱相沉積技術(shù)，包括熱蒸發(fā)盅视、濺射捐名、和脈沖激光沉積，都被專(zhuān)門(mén)用于Te沉積生長(zhǎng)闹击。在此镶蹋，我們報(bào)道了一種在接近50℃的室溫下，通過(guò)合理的無(wú)退火ALD工藝拇砰，原子層沉積了碲（ALD-Te）薄膜梅忌。我們利用了兩種前驅(qū)體-Te（SiMe3）2和Te（OEt）4，采用協(xié)同策略除破，結(jié)合(i)引入甲醇（MeOH）來(lái)提高初始吸附/成 ...
起的CeO2晶格中的晶格應(yīng)變和結(jié)構(gòu)缺陷可以促進(jìn)氧空位的形成牧氮。從拉曼光譜中計(jì)算出的氧空位濃度見(jiàn)表1。氧空位的估計(jì)濃度還顯示出與XPS估算的OV和Ce3+值相同的趨勢(shì)如下：Pt/CeO2（R50）（2.18×1021cm-3) >Pt/CeO2（N50）（2.14×1021cm-3）> Pt/CeO2（R20）（2.02×1021cm-3）> Pt/CeO2（R05）（1.94×1021 cm-3）>Pt/CeO2（N20）（1.81×1021 cm-3）> Pt/CeO2（N05）(1.79× 1021 cm-3）瑰枫。反滴定法制備的Pt/CeO2催化劑的氧空位濃度相對(duì) ...
拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)踱葛、超晶格、和層間庫(kù)侖相互作用的影響提供了新的途徑光坝。然而尸诽，與簡(jiǎn)單的單層相比，二維vdW多層在相鄰層之間具有vdW間隙盯另，擾亂了層間電荷效率性含，從而導(dǎo)致這些多層在平面內(nèi)和平面外載流子輸運(yùn)的各向異性。在存在靜電偏置相關(guān)的層間電阻的情況下鸳惯，以往的研究通過(guò)考慮Thomas-費(fèi)米電荷屏蔽長(zhǎng)度和厚度相關(guān)的載流子遷移率商蕴，進(jìn)而描述了二維多層膜的復(fù)雜載流子輸運(yùn)。例如芝发，在一個(gè)傳統(tǒng)的背柵結(jié)構(gòu)绪商，由于層間電阻和層依賴的平面內(nèi)載流子遷移率之間的相互作用，層間電導(dǎo)率z高的層從底表面向頂表面移動(dòng)辅鲸。這就引發(fā)了載流子沿著厚度的空間再分布格郁。此外，zui近通過(guò)比較獲得的關(guān)于底部接觸和頂部接觸的漏電流独悴，已被證明是評(píng)估二維vdW多層內(nèi) ...
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