藍(lán)寶石和石英石板小雙折射的測量摘要：測量了石英和藍(lán)寶石板在632.8 nm處的雙折射。觀察到的雙折射被認(rèn)為是由光軸相對于平板幾何結(jié)構(gòu)的傾斜引起的诗眨。用兩種儀器方法進(jìn)行了測量唉匾。空軍研究實驗室使用了穆勒矩陣激光旋光計匠楚，Hinds使用了exicor系統(tǒng)巍膘。介紹了測量技術(shù)，并給出了測量結(jié)果芋簿。簡介及背景石英和藍(lán)寶石是單軸晶體峡懈，當(dāng)晶體定向時，使光束經(jīng)歷非凡和普通的指數(shù)与斤，就可以很容易地觀察到這些材料的雙折射肪康。如果晶體的光軸與光學(xué)系統(tǒng)的軸對齊荚恶，則不會觀察到本征雙折射。然而梅鹦，如果這兩個軸沒有對齊裆甩，一個起源于這兩個軸之間的角度的雙折射將被觀察到。得到了石英和藍(lán)寶石的平板齐唆，經(jīng)過切割和拋光嗤栓，使晶體光軸從平板的法線向表面傾 ...
研究氟化鈣的雙折射摘要：本文介紹使用一種PEM光彈調(diào)制器，其中PEM的速度為整個的雙折射映射打開了大門 箍邮，通過在信號處理方案中增加一個額外的鎖相放大器茉帅，可以進(jìn)一步提高測量速度。除了速度锭弊，PEM技術(shù)還提供了較高的雙折射測量精度堪澎。業(yè)內(nèi)得到共識的是，氟化鈣CaF2是一種實用的光學(xué)材料味滞，用于157納米光刻步進(jìn)和掃描透鏡樱蛤。制備高質(zhì)量的低應(yīng)力雙折射CaF2一直是一個挑戰(zhàn)。除了這種應(yīng)力誘導(dǎo)雙折射剑鞍，約翰·伯內(nèi)特和他在NIST的同事們發(fā)現(xiàn)了CaF2沿<110>在157.6納米處的晶體軸徑為11.2納米/厘米這一消息對于光刻工業(yè)來說是一個不受歡迎的意外昨凡，因為他們錯誤地認(rèn)為屬于立方晶體群的CaF2是一種 ...
雙折射測量技術(shù)介紹1.理論基礎(chǔ)（1）偏振光盡管光具有波動性和粒子性，當(dāng)處理偏振光時只考慮粒子性蚁署。光可以看作是橫向電磁波便脊，因此光由電場振動和磁場振動組成。但是光戈，一般來說只考慮電場振動哪痰。我們可以把它分解成相互垂直方向上的兩個振動來處理電場振動。如下圖所示久妆，1.1偏振光的分解起偏器是由和光波長相比足夠小的光柵制成晌杰，或者由一特定偏振方向的光吸收材料組成，如果在光路中安裝起偏器筷弦，光線是否能透過起偏器就取決于光的振動方向肋演。也就是說，光透過起偏器只有一個振動方向奸笤。這里，因為振動方向是直線的哼鬓，所以稱為線性起偏器监右，振動方向的平面稱為偏振面。一般异希，用p偏振光和s偏振光來表達(dá)偏振態(tài)健盒。當(dāng)光入射于介質(zhì)時绒瘦，入射光方向與法 ...
的分量。由于雙折射效應(yīng)扣癣，光束沿橢圓偏振惰帽，在四分之一波片和中旋轉(zhuǎn)傳播。仔細(xì)調(diào)整波片后父虑，當(dāng)反射光束到達(dá)時该酗，大部分激光功率仍停留在X軸上。PBS1作為一個分析儀士嚎，在Z軸向外反射激光功率呜魄。當(dāng)調(diào)制電壓加載在上時，Z軸和X軸之間的激光功率比發(fā)生變化莱衩，導(dǎo)致?lián)p耗調(diào)制爵嗅。這種腔體設(shè)計保證了兩個EOM在不同的工作模式下工作。一個EOM作為損耗相關(guān)的驅(qū)動器笨蚁，另一個EOM作為相位相關(guān)的驅(qū)動器睹晒，以減少不良影響，實現(xiàn)完全穩(wěn)定括细。超低噪聲頻率梳的布局如圖1（b）所示伪很。為盡量減少環(huán)境噪音，我們將OFC安裝在鋁盒內(nèi)勒极。光纖振蕩器是一種環(huán)境穩(wěn)定的摻鉺光纖激光器是掰，由保偏光纖（PMF）組成。采用NALM鎖模機制辱匿，獲得了穩(wěn)定的脈沖序列和自啟 ...
應(yīng)也被稱為圓雙折射效應(yīng)键痛。V oight和Cotton和Mouton在順磁液體中發(fā)現(xiàn)的磁雙折射現(xiàn)象。這些效應(yīng)被稱為線性磁雙折射匾七。Williams以及Fowler和Fryer首先應(yīng)用磁光成像技術(shù)來實現(xiàn)磁疇的可視化絮短，這些都是基于Kerr效應(yīng)。由于克爾顯微鏡的這些較早的應(yīng)用昨忆，連續(xù)的系統(tǒng)發(fā)展大大增強了傳統(tǒng)克爾技術(shù)的能力丁频。通過干涉層的應(yīng)用實現(xiàn)了顯著的對比度增強，但克爾顯微鏡的突破是隨著20世紀(jì)80年代視頻顯微鏡和數(shù)字圖像處理的引入而來的邑贴。自20世紀(jì)50年代以來席里，法拉第顯微鏡也主要用于磁性柘榴石薄膜和正鐵氧體的透射實驗，由于法拉第效應(yīng)比克爾效應(yīng)強得多拢驾，因此不需要電子對比度增強奖磁。基于Voigt效應(yīng)的透射顯微鏡 ...
化誘導(dǎo)了圓形雙折射繁疤，因此咖为，兩種圓形光模式在通過半導(dǎo)體傳播時經(jīng)歷了不同的相移秕狰，這導(dǎo)致入射線偏振光的偏振面旋轉(zhuǎn)。圖2.4.2 K時n↑= 1.5·1017 cm?3和n↓= 0.5·1017 cm?3的Kerr旋轉(zhuǎn)譜圖2為根據(jù)圖1的吸收系數(shù)計算得到的克爾旋轉(zhuǎn)光譜期望值躁染∶В克爾旋轉(zhuǎn)僅在砷化鎵帶隙附近是非零的。此外吞彤，在頻譜的中間存在一個符號反轉(zhuǎn)我衬。這表明正確的光子能量的選擇對GaAs中pMOKE測量起著至關(guān)重要的作用。實驗發(fā)現(xiàn)备畦，不同樣品的克爾旋轉(zhuǎn)光譜略有不同低飒。因此，在n-GaAs樣品上進(jìn)行pMOKE測量的第1步是優(yōu)化探針激光束的光子能量懂盐。zui重要的是褥赊，對于一個固定的光子能量，克爾旋轉(zhuǎn)角θK與GaAs導(dǎo)帶 ...
二維電子系統(tǒng)中砷化鎵的磁光克爾效應(yīng)除了本體砷化鎵的自旋注入實驗外莉恼，二維電子系統(tǒng)的自旋注入實驗進(jìn)行光學(xué)測量并不像在大塊GaAs樣品上進(jìn)行pMOKE測量那么簡單拌喉，因為2DEG對稱性的降低可能會嚴(yán)重影響光學(xué)選擇規(guī)則，從而影響pMOKE的強度俐银。事實上尿背，研究表明，在狹窄(約10 nm寬)的GaAs/(Al,Ga)As量子阱(QW)系統(tǒng)中捶惜，約束勢迫使價帶中重空穴態(tài)的軌道角動量和自旋角動量向垂直于QW平面的面外方向運動田藐。此外，約束提升了Γ-point處重空穴態(tài)和輕空穴態(tài)的簡并性吱七，將輕空穴帶移至較低能量處(見圖1)汽久。考慮到這兩個因素踊餐，只有面外極化重空穴才能促進(jìn)與導(dǎo)電帶電子的復(fù)合過程景醇。這對磁光過程有重大影響。在 ...
效應(yīng)吝岭、磁線陣雙折射三痰、塞曼效應(yīng)、磁光克爾效應(yīng)等窜管。（１）磁光法拉第效應(yīng)磁光法拉第效應(yīng)又稱磁光旋光效應(yīng)散劫，是指當(dāng)一束線偏振光從磁光材料沿磁場方向透射時，由于材料折射率的不同幕帆，磁光材料中的左旋和右旋偏振光获搏，即偏振面相對于入射光的偏振面偏轉(zhuǎn)一定角度的一種磁光現(xiàn)象。法拉第效應(yīng)產(chǎn)生的根本原因是磁光材料中的電子等磁性粒子發(fā)生光學(xué)躍遷蜓肆。在磁場的作用下颜凯，這種躍遷使得在磁光材料內(nèi)部傳輸?shù)淖笮龍A偏振光和右旋圓偏振光產(chǎn)生一定的色散差，導(dǎo)致zui終透射光的偏振面相對入射光旋轉(zhuǎn)了一定角度仗扬。（２）磁線振雙折射當(dāng)一束線偏振光以垂直于磁場方向的方向從磁光材料傳輸時症概，線偏振光被分解成兩個偏振光，兩種偏振光在材料中以不同的相速度傳播早芭， ...
色散可控彼城，高雙折射，高非線性退个，大模場等募壕。圖1硫系玻璃光子晶體光纖結(jié)構(gòu)[2]硫系PCF解決了傳統(tǒng)單模光纖放大器因纖芯過細(xì)導(dǎo)致高功率下產(chǎn)生非線性效應(yīng)，引起光纖端面損傷的不足语盈，對于大功率光纖放大器舱馅、高功率激光傳輸?shù)葢?yīng)用領(lǐng)域具有重大的意義。（2）耦合器光纖耦合器可將輸入信號的不同波長成分從不同輸出端口分離出來刀荒，或?qū)⒍鄠€不同波長的輸入信號混合成單個輸出代嗤，其對光場(分束比)的調(diào)控由光纖纖芯中傳播光之間的模式重疊長度和纖芯間的距離決定〔瑁基于硫系玻璃光纖制備的光纖耦合器在未來的中紅外通信干毅、激光、傳感等領(lǐng)域均有重要的應(yīng)用前景泼返。（3）光纖合束器光纖合束器是實現(xiàn)高功率激光的核心元器件硝逢，可解決單個激光器功率進(jìn)一步提升 ...
及退偏。線性雙折射是指線偏光的兩個正交分量的折射率差绅喉，圓偏光雙折射是指左旋和右旋偏振光之間的折射率的差值渠鸽。衰減則定義為偏振光zui大zui小透過率差值的比值∨撸總之拱绑，有6個參數(shù)來表征非退偏樣品的延遲和衰減特性，線性位相延遲器的大小丽蝎，線性位相延遲器和圓偏光位相延遲器的快軸角度,線性衰減器的大小,線性位相衰減器和圓偏光衰減器的角度猎拨。（4）PEM光彈調(diào)制器是一種基于光彈效應(yīng)的共振偏振調(diào)制器。光彈效應(yīng)是由機械應(yīng)力導(dǎo)致的透明介質(zhì)固體中的線性雙折射屠阻。光彈調(diào)制器發(fā)明于1960年红省。其中設(shè)計zui成功的光彈調(diào)制器包括了一個矩形的熔石英和一個有單晶石英制成的壓電傳感器。PEM是由各向同性的光學(xué)材料制成的国觉，如石英等吧恃。 ...
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