中文：電子傳輸層馅精；英文：electron transport layer / ETL

MAPbI3是應用最廣泛的鈣鈦礦吸收材料隐孽，它具有優(yōu)越的光吸收條件、低的結合能健蕊、載流子壽命長菱阵、雙電荷轉移和制備簡單等性能。這些特性是MAPbI3 PSCs可以實現(xiàn)高能量轉移效率（PCE）的關鍵因素缩功。使用源表為Keithley 2430太陽模擬器在0.25cm2的陰罩下測量了J-V曲線晴及，同時在AM為1.5G的輻照下校準Si-參比電池。時間分辨光致發(fā)光譜（TRPL）使用（XperRam Ultimate）的激光系統(tǒng)掂之，激發(fā)光源為405nm進行測量分析抗俄。如圖1（a）所示為ITO/PEN and ETL/ITO/PEN結構的光透射性能，表明在ITO/PEN基地上三種ETLs都有具有增透性能世舰，由于具有高的結 ...

究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機-無機甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽能電池的性能动雹。用IMA獲得的發(fā)光高光譜數(shù)據(jù)有助于識別此類器件中的嚴重不均勻性（圖1）。這些空間不均勻性與載體提取問題有關跟压，導致細胞的填充因子有限胰蝠。圖1根據(jù)在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計算的當前傳輸效率fT圖。對于使用PCBM（a，c茸塞，器件A）或C60（b躲庄，d，器件B）作為電子傳輸層（ETL）的鈣鈦礦太陽能電池钾虐，在微尺度（頂部）和整個器件級別（底部）進行fTmapping噪窘。信號分布的插值已與色標疊加，作為眼睛的指南[1]效扫。二倔监、鈣鈦礦晶體光致發(fā)光成像Photon與Davi ...

層和ETL(電子傳輸層)。圖1 OLED的結構示意圖構成OLED結構的薄膜的計量是至關重要的菌仁。MProbe UVVis和MProbe UVVis- msp提供了一種廉價浩习、可靠、非接觸的計量方法济丘∑谆啵可以測量材料的厚度和光學常數(shù)。MProbe UVVis可以測量毯狀(無圖案)樣品摹迷，MProbe UVVis-msp可以使用非常小的光斑尺寸在像素級進行測量疟赊。一、測量實例圖2玻璃上ITO(透明導電氧化物)的測量-使用參數(shù)化ITO模型確定厚度和光學常數(shù)圖3 ITO上html層的測量-測量了ITO和html的厚度圖4 測量ITO上的EML層-測量ITO和EML厚度圖5 測量ITO上的ETL層-測量ITO和ET ...

TO玻璃泪掀、 電子傳輸層听绳、光吸收層、空穴傳輸層和電極組成异赫。在PSCs的多層結構中，空穴傳輸層（HTL）的設計是為了促進電子和空穴的分離头岔，這是電池性能和穩(wěn)定性的關鍵塔拳。然而，HTL本身存在的一些問題阻礙了PSCs技術的發(fā)展和應用峡竣。目前靠抑，PSCs的HTL主要基于Spiro-OMeTAD、PTAA和P3HT等材料适掰。對于大規(guī)模應用而言颂碧，這些材料的成本都高的令人望而卻步，此外类浪，Spiro-OMeTAD中的摻雜劑具有較強的吸水性载城，嚴重威脅了PSCs的使用壽命。因此费就，有必要探索一種低成本诉瓦、穩(wěn)定的空穴傳輸材料（HTMs），用于PSCs的實用化階段。PEDOT通常與PSS結合使用睬澡，廣泛應用于反向PSCs中固额，其價格比 ...