隨著有機金屬鈣鈦礦太陽能電池的快速發(fā)展奶赔,對靈活、廉價且易于加工的光伏材料的尋找在過去幾年中出現(xiàn)了新的轉(zhuǎn)變杠氢。它們的高載流子遷移率站刑、強吸收和可調(diào)帶隙使其成為生產(chǎn)低成本太陽能電池板的理想選擇鼻百。
為了擴大這項技術(shù)绞旅,需要更好地了解鈣鈦礦的基本特性。Photon為高光譜暗場成像提供了兩種不同的平臺温艇,IMA和GRAND-EOS可以快速表征鈣鈦礦的2D和3D晶體以及完整器件的結(jié)構(gòu)和物理特性因悲。高光譜成像結(jié)合了光譜學和成像;每個圖像都是在窄波段采集的。在分析空間和光譜信息的這種組合時勺爱,可以提取以下信息:吸收囤捻、缺陷的存在邻寿、非輻射損失、同種视哑、退化
當全局高光譜成像與光子等的絕對校準模塊相結(jié)合時绣否,還可以提取光電子學特性:準費米能級分裂、電荷轉(zhuǎn)移效率挡毅、揮發(fā)性有機化合物蒜撮。
展示全部
高光譜成像在鈣鈦礦光譜和空間分析的應用
一跪呈、鈣鈦礦器件
光致發(fā)光和電致發(fā)光成像
瓦倫西亞大學的Henk Bolink博士與IPVF(前身為IRDEP-法國光伏能源研究與發(fā)展研究所)的研究人員合作段磨,研究了具有不同電子傳輸層(PCBM和C60)的混合有機-無機甲基碘化鉛鈣鈦礦(CH3NH3PbI3)太陽能電池的性能。用IMA獲得的發(fā)光高光譜數(shù)據(jù)有助于識別此類器件中的嚴重不均勻性(圖1)耗绿。這些空間不均勻性與載體提取問題有關(guān)苹支,導致細胞的填充因子有限误阻。
圖1根據(jù)在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計算的當前傳輸效率fT圖债蜜。對于使用PCBM(a晴埂,c,器件A)或C60(b寻定,d儒洛,器件B)作為電子傳輸層(ETL)的鈣鈦礦太陽能電池,在微尺度(頂部)和整個器件級別(底部)進行fT mapping狼速。信號分布的插值已與色標疊加琅锻,作為眼睛的指南 [1]。
二向胡、鈣鈦礦晶體
光致發(fā)光成像
Photon與David Cooke教授(McGill University)和Mercouri Kanatzidis教授(Northwestern University)合作恼蓬,研究在空氣中老化的鈣鈦礦晶體的成分。在幾分鐘內(nèi)捷枯,在550*900μm的區(qū)域內(nèi)在670-900nm光譜范圍內(nèi)采集了萬個PL光譜2(圖2)滚秩。光譜特征的變化和強度的變化歸因于晶界、缺陷和相偏析淮捆。
圖2、(a)在770nm處提取的PL圖像;(b)PL中心波長的假彩色圖和(c)從高光譜數(shù)據(jù)中提取的兩個PL光譜–參見相應的顏色攀痊。
與Pablo Docampo教授研究小組(New Castle University)合作研究了大型鈣鈦礦晶體桐腌。一個好的太陽能電池需要盡可能發(fā)光[2]苟径。PL強度的映射(圖3)提供了一種快速評估非輻射損失并獲得材料效率輸入的方法案站。為了獲得這樣的圖譜,使用532nm激光以10個太陽的等效功率激發(fā)樣品棘街。在不到一分鐘的時間內(nèi)以 670nm波長從880nm采集到5nm的數(shù)據(jù)蟆盐。
圖3、在790nm處提取的PL圖像(a)和從不同區(qū)域提取的PL光譜(b)遭殉。
還使用Photon的GRAND-EOS平臺進行了大規(guī)模測量石挂。使用532nm激光以0,1等效功率激發(fā)樣品险污。圖4顯示了在2cm*2cm視場上獲得的PL圖痹愚。GRAND-EOS允許在更大的層面上捕獲光學圖像,以幫助改進制造過程
圖4蛔糯、(a)在790nm處提取的PL圖像拯腮,以及(b)從不同區(qū)域提取的PL光譜(參見相應的靶標)。使用GRAND-EOS系統(tǒng)獲取的數(shù)據(jù)蚁飒。
光致發(fā)光激發(fā)成像
zui后动壤,使用Photon的可調(diào)諧激光源作為激發(fā),用光致發(fā)光激發(fā)(PLE)和反射成像對相同的樣品進行研究淮逻,并使用光子等的IMA進行PL成像狼电,使用532nm激光激發(fā)源(見圖5)蜒灰。PLE光譜表明肩碟,PL發(fā)射的強度取決于激發(fā)光子的能量强窖,在2.03eV激發(fā)時達到zui大強度。獲取空間信息還能為了解樣品中是否存在缺陷提供寶貴的信息削祈。研究還表明翅溺,將PLE與拉曼光譜結(jié)合起來,有助于確定包晶體晶體中PL發(fā)射的來源髓抑。zui后咙崎,將PL和PLE測量與Frank-Condon 模型相結(jié)合,可以深入了解電子與聲子的相互作用[3]吨拍。
圖5褪猛、(a)在鈣鈦礦晶體上以2.33eV提取的光致發(fā)光激發(fā)(PLE)高光譜圖像羹饰;(b)在2.33eV下提取的反射率高光譜圖像伊滋,(c)從相同兩個區(qū)域提取的PLE(橙色填充)、反射率和PL(藍色填充)光譜(參見a和b上的相應目標)队秩。
三笑旺、鈣鈦礦薄膜
光致發(fā)光成像
Sam Stranks 教授(劍橋大學)正在通過聚光成像技術(shù)研究混合鹵化物鉛鈣鈦礦的基本特性(見圖6)[4]。在太陽等效光照下馍资,研究了溶液加工的三重陽離子混合鹵化物(Cs0.06MA0.15FA0.79)Pb(Br0.4I0.6)3鈣鈦礦薄膜(MA:甲基銨筒主,F(xiàn)A:甲酰胺)。研究發(fā)現(xiàn)鸟蟹,光照導致富碘鈣鈦礦的局部表面位點與鈍化PbI2材料混合乌妙。這項研究揭示了對混合鹵化物混合陽離子包晶石相分離的新見解,以及通過控制新型器件結(jié)構(gòu)中的電荷密度和轉(zhuǎn)移實現(xiàn)高發(fā)光薄膜的途徑藤韵。
圖6、同一區(qū)域上寬帶隙峰(a-d)和低帶隙峰(e-h)的原位高光譜PL圖(Cs0.06MA0.15FA0.79)Pb(Br0.4I0.6)3鈣鈦礦薄膜在白光照明下隨時間的變化锦针,強度為290mW/cm2用于處理前(t=0),處理期間(10和30分鐘)以及一旦發(fā)射強度達到穩(wěn)定發(fā)射(180分鐘)的樣品置蜀。mapping是在405nm激光激發(fā)下拍攝的奈搜,激發(fā)強度為≈50mW/cm2,并且所有測量均在大氣環(huán)境中進行[4]馋吗。
光致發(fā)光激發(fā)成像
在Rolston等人的這項工作中[5],使用PLE高光譜成像技術(shù)研究了采用兩種不同工藝制造的過氧化物太陽能電池的發(fā)光率:露天快速噴涂等離子處理(RSPP)和旋涂秋秤。將Photon公司生產(chǎn)的可調(diào)激光源與科研顯微鏡耦合宏粤,可獲得PLE高光譜數(shù)據(jù)脚翘。圖7顯示了從PLE高光譜圖像(c、e)中提取的PLE光譜(a)绍哎,證實RSPP技術(shù)的光致發(fā)光產(chǎn)率高于旋涂技術(shù)来农,而且更適合于在露天條件下快速制造過氧化物太陽能模塊。
圖7崇堰、(a)RSPP和旋涂鈣鈦礦的光致發(fā)光激發(fā)(PLE)光譜沃于;(b)光學圖像和;(c)旋涂鈣鈦礦的相應PLE圖與海诲;(d)光學圖像和繁莹;(e)RSPP鈣鈦礦的相應PLE圖。RSPP的較高發(fā)光在光譜和PLE圖中均可觀察到[5]特幔。
如果您對高光譜暗場顯微鏡感興趣咨演,請訪問上海昊量光電官方網(wǎng)站:
http://www.wjjzl.com/details-1007.html
相關(guān)文獻:
[1] El-Hajje, G., Momblona, C., Gil-Escrig, L., ávila, J., Guillemot, T., Guillemoles, J.-F., Sessolo, M., Bolink, H. J., & Lombez, L. (2016). Quantification of spatial inhomogeneity in perovskite solar cells by hyperspectral luminescence imaging. Energy & Environmental Science, 9(7), 2286–2294.
[2] Miller, O. D., Yablonovitch, E., & Kurtz, S. R. (2012). Strong Internal and External Luminescence as Solar Cells Approach the Shockley–Queisser Limit. IEEE Journal of Photovoltaics, 2(3), 303–311.
[3] Zelewski, S. J., Urban, J. M., Surrente, A., Maude, D. K., Kuc, A., Schade, L., Johnson, R. D., Dollmann, M., Nayak, P. K., Snaith, H. J., Radaelli, P.,Kudrawiec, R., Nicholas, R. J., Plochocka, P., & Baranowski, M. (2019). Revealing the nature of photoluminescence emission in the metal-halide double perovskite Cs2AgBiBr6. Journal of Materials Chemistry C, 7(27), 8350–8356.
[4] Andaji‐Garmaroudi, Z., Abdi‐Jalebi, M., Guo, D., Macpherson, S., Sadhanala, A., Tennyson, E. M., Ruggeri, E., Anaya, M., Galkowski, K., Shivanna, R., Lohmann, K., Frohna, K., Mackowski, S., Savenije, T. J., Friend, R. H., & Stranks, S. D. (2019). A Highly Emissive Surface Layer in Mixed‐Halide Multication Perovskites. Advanced Materials, 31(42), 1902374.
[5] Rolston, N., Scheideler, W. J., Flick, A. C., Chen, J. P., Elmaraghi, H., Sleugh, A., Zhao, O., Woodhouse, M., & Dauskardt, R. H. (2020). Rapid Open-Air Fabrication of Perovskite Solar Modules. Joule.
更多詳情請聯(lián)系昊量光電/歡迎直接聯(lián)系昊量光電
關(guān)于昊量光電:
上海昊量光電設(shè)備有限公司是光電產(chǎn)品專業(yè)代理商,產(chǎn)品包括各類激光器蚯斯、光電調(diào)制器薄风、光學測量設(shè)備、光學元件等溉跃,涉及應用涵蓋了材料加工村刨、光通訊、生物醫(yī)療撰茎、科學研究嵌牺、國防、量子光學龄糊、生物顯微逆粹、物聯(lián)傳感、激光制造等炫惩;可為客戶提供完整的設(shè)備安裝僻弹,培訓,硬件開發(fā)他嚷,軟件開發(fā)蹋绽,系統(tǒng)集成等服務(wù)。
您可以通過我們昊量光電的官方網(wǎng)站www.wjjzl.com了解更多的產(chǎn)品信息筋蓖,或直接來電咨詢4006-888-532卸耘。