中文：載流子遷移率色迂；英文：carrier mobility

。它們具有高載流子遷移率慕趴、對(duì)可見(jiàn)光吸收率高和可調(diào)諧的帶寬使其成為低成本太陽(yáng)能電池的選擇痪蝇。但是鈣鈦礦卻有一個(gè)缺點(diǎn)，它們的穩(wěn)定性是不穩(wěn)定的冕房，它們當(dāng)前的壽命只有2000小時(shí)躏啰，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于硅的使用時(shí)間（52000小時(shí)）。如果想要將這一新的光伏之星推向市場(chǎng)耙册，更好的理解光物理學(xué)和降解機(jī)制變的尤為重要给僵。 Photon Etc.的IMA面成像高光譜顯微設(shè)備可解答研究人員關(guān)于為什么鈣鈦礦具有杰出性能的疑問(wèn)。IMA可以通過(guò)光學(xué)測(cè)量快速表征二維和三維鈣鈦礦晶體以及完整的光伏器件的結(jié)構(gòu)特性详拙。該設(shè)備采用光譜掃描方式帝际，在大面積區(qū)域(100 x 100μm2 - 1 x 1 mm2 )上獲得材料的熒光和透射圖譜成像圖，不需要 ...

高光譜成像在鈣鈦礦光譜和空間分析的應(yīng)用一饶辙、鈣鈦礦器件光致發(fā)光和電致發(fā)光成像瓦倫西亞大學(xué)的Henk Bolink博士與IPVF（前身為IRDEP-法國(guó)光伏能源研究與發(fā)展研究所）的研究人員合作蹲诀，研究了具有不同電子傳輸層（PCBM和C60）的混合有機(jī)-無(wú)機(jī)甲基碘化鉛鈣鈦礦（CH3NH3PbI3）太陽(yáng)能電池的性能。用IMA獲得的發(fā)光高光譜數(shù)據(jù)有助于識(shí)別此類器件中的嚴(yán)重不均勻性（圖1）弃揽。這些空間不均勻性與載體提取問(wèn)題有關(guān)脯爪，導(dǎo)致細(xì)胞的填充因子有限。圖1根據(jù)在1.15V和1.16V施加偏置下拍攝的EL高光譜圖像計(jì)算的當(dāng)前傳輸效率fT圖矿微。對(duì)于使用PCBM（a痕慢，c，器件A）或C60（b冷冗，d守屉，器件B）作為電子傳輸 ...

理性能，如高載流子遷移率蒿辙、可調(diào)帶隙拇泛、強(qiáng)光吸收率和柔韌性。其中思灌，MoS2具有可調(diào)諧的帶隙俺叭，這使得它比石墨烯具有更廣泛的應(yīng)用。隨著層數(shù)的減少泰偿，MoS2的帶隙從塊狀的1.29eV增加到單層的1.9eV熄守，并變?yōu)橹苯訋丁Ｓ捎谠颖《蚧f的直接帶隙和強(qiáng)激子性質(zhì)，觀察到強(qiáng)烈的光-物質(zhì)相互作用裕照。此外攒发，這種材料在原子厚度上表現(xiàn)出優(yōu)異的機(jī)械柔韌性。這些特性使二硫化鉬在光電應(yīng)用晋南，特別是光電探測(cè)器方面表現(xiàn)出巨大的優(yōu)勢(shì)惠猿。近年來(lái)，人們利用微機(jī)械剝離和化學(xué)氣相沉積法（CVD）制備MoS2薄膜的光電探測(cè)器進(jìn)行了大量的研究负间。然而偶妖，微機(jī)械剝離的成品率低和可擴(kuò)展性差阻礙了MoS2光電探測(cè)器的實(shí)際應(yīng)用。CVD被認(rèn)為是合成大面積M ...

由于其優(yōu)越的載流子遷移率和在原子尺度厚度上的有效靜電柵能控性政溃，TMDs和Xene將是下一代電子領(lǐng)域很有前途的候選者趾访。然而當(dāng)前二維材料的合成技術(shù)依舊面臨技術(shù)挑戰(zhàn)（例如，晶片規(guī)模均勻性董虱，可靠的批量生產(chǎn)和不影響結(jié)晶度的較低的合成溫度）扼鞋，高保質(zhì)量合成和包括硅基其他2D材料的異質(zhì)材料合成方法，是解鎖這些材料的潛力在科學(xué)和技術(shù)領(lǐng)域的必要途徑空扎。目前原子層沉積（ALD）由于其特殊的厚度均勻性/可控性藏鹊，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造中沉積非晶高k介質(zhì)，转锈，成為一種理想的薄膜生產(chǎn)技術(shù)盘寡。低溫制備，和優(yōu)良的步驟能夠覆蓋任何的非平面幾何器件撮慨。因此竿痰，將ALD的技術(shù)成為制備2D vdW材料有前途的方法。然而砌溺，原子層沉積的2D（ALD- ...

諧帶隙影涉、超高載流子遷移率和強(qiáng)烈的光物質(zhì)相互作用。此外规伐，二維vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)為研究拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)蟹倾、超晶格、和層間庫(kù)侖相互作用的影響提供了新的途徑猖闪。然而鲜棠，與簡(jiǎn)單的單層相比，二維vdW多層在相鄰層之間具有vdW間隙培慌，擾亂了層間電荷效率豁陆，從而導(dǎo)致這些多層在平面內(nèi)和平面外載流子輸運(yùn)的各向異性。在存在靜電偏置相關(guān)的層間電阻的情況下吵护，以往的研究通過(guò)考慮Thomas-費(fèi)米電荷屏蔽長(zhǎng)度和厚度相關(guān)的載流子遷移率盒音，進(jìn)而描述了二維多層膜的復(fù)雜載流子輸運(yùn)表鳍。例如，在一個(gè)傳統(tǒng)的背柵結(jié)構(gòu)祥诽，由于層間電阻和層依賴的平面內(nèi)載流子遷移率之間的相互作用譬圣，層間電導(dǎo)率z高的層從底表面向頂表面移動(dòng)。這就引發(fā)了載流子沿著厚度的空間再分布原押。此外胁镐，zui ...